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    • 53. 发明专利
    • 流路形成構件之熔接方法及流路形成構件
    • 流路形成构件之熔接方法及流路形成构件
    • TW424123B
    • 2001-03-01
    • TW087117861
    • 1998-10-28
    • 東陶機器股份有限公司
    • 中村克昭指吸晃中井一貫守田裕伸吉村孝司
    • E03C
    • B23K26/28B23K26/32B23K2203/12B23K2203/50
    • 本發明之目的係在於提供一種介經僅接合部在短時間內加熱予以熔融,可抑制熔接部之結晶組織變質的流路形成構件之熔接方法及流路形成構件。本發明的流路形成構件之熔接方法,係屬於內部準備兩個以上之中空構件,介經熔接一體地接合該構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法,其特徵為:介經照射電磁波熔融上述端面予以熔接者。熔接時,熔融至少一方之中空構件。同時該一方之中空構件係介經含有至少兩種類之金屬的合金材料所構成,上述含於上述合金材料之至少一種類的金屬之沸點,比上述合金材料之熔融點較低者較理想。上述合金材料係黃銅較理想。又,上述電磁波係YAG雷射較理想。
    • 本发明之目的系在于提供一种介经仅接合部在短时间内加热予以熔融,可抑制熔接部之结晶组织变质的流路形成构件之熔接方法及流路形成构件。本发明的流路形成构件之熔接方法,系属于内部准备两个以上之中空构件,介经熔接一体地接合该构件之端面所形成的流路形成构件之熔接方法,其特征为:介经照射电磁波熔融上述端面予以熔接者。熔接时,熔融至少一方之中空构件。同时该一方之中空构件系介经含有至少两种类之金属的合金材料所构成,上述含于上述合金材料之至少一种类的金属之沸点,比上述合金材料之熔融点较低者较理想。上述合金材料系黄铜较理想。又,上述电磁波系YAG激光较理想。