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51. 发明专利

TW200604365A 磁控管濺射方法及磁控管濺射裝置审中-公开
简体标题：磁控管溅射方法及磁控管溅射设备
公开(公告)号：TW200604365A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094118780
申请日：2005-06-07
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：太田淳 OTA, ATSUSHI , 田口信一郎 TAGUCHI, SHINICHIRO , 杉浦功 SUGIURA, ISAO , 谷典明 TANI, NORIAKI , 新井真 ARAI, MAKOTO , 清田淳也 KIYOTA, JUNYA
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/352
摘要：本發明是在於提供一種可大幅度減少靶表面的異常放電及成為靶材料的堆積原因的非侵蝕(erosion)區域之磁控管濺射方法及磁控管濺射裝置。本發明是在真空中使複數個靶8A，8B，8C，8D在電性獨立的狀態下配置，在靶8A，8B，8C，8D的附近使磁控管放電發生，而來進行濺射之磁控管濺射方法。本發明是在濺射時，以所定的時序來對接的靶8A，8B，8C，8D交互施加180°相位相異的電壓。
简体摘要：本发明是在于提供一种可大幅度减少靶表面的异常放电及成为靶材料的堆积原因的非侵蚀(erosion)区域之磁控管溅射方法及磁控管溅射设备。本发明是在真空中使复数个靶8A，8B，8C，8D在电性独立的状态下配置，在靶8A，8B，8C，8D的附近使磁控管放电发生，而来进行溅射之磁控管溅射方法。本发明是在溅射时，以所定的时序来对接的靶8A，8B，8C，8D交互施加180°相位相异的电压。

52. 发明专利

TW200538570A 濺鍍用的靶及使用該靶的濺鍍方法审中-公开
简体标题：溅镀用的靶及使用该靶的溅镀方法
公开(公告)号：TW200538570A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094111373
申请日：2005-04-11
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：新井真 ARAI, MAKOTO , 石橋曉 ISHIBASHI, SATORU , 小松孝 KOMATSU, TAKASHI , 谷典明 TANI, NORIAKI , 清田淳也 KIYOTA, JUNYA , 太田淳 OTA, ATSUSHI , 杉浦功 SUGIURA, ISAO , 中村久三 NAKAMURA, KYUZO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3426
摘要：若將以往技術的靶裝著於濺鍍裝置，在靶的周圍設置接地屏蔽(ground shield)，則在使電漿發生時，由於電流會從靶流往接地屏蔽，因此電漿不會被形成於靶的外周緣部的表面，靶的外周緣部會成為不被濺鍍的非侵蝕區域而殘留。其解決手段乃本發明之濺鍍用的靶T係具有特定的外形者，其特徵為：在濺鍍面與周壁面所交會的部份，對其全周賦予斜面T2。
简体摘要：若将以往技术的靶装着于溅镀设备，在靶的周围设置接地屏蔽(ground shield)，则在使等离子发生时，由于电流会从靶流往接地屏蔽，因此等离子不会被形成于靶的外周缘部的表面，靶的外周缘部会成为不被溅镀的非侵蚀区域而残留。其解决手段乃本发明之溅镀用的靶T系具有特定的外形者，其特征为：在溅镀面与周壁面所交会的部份，对其全周赋予斜面T2。

53. 发明专利

TW583736B 電漿清洗氣體及電漿清洗方法有权
简体标题：等离子清洗气体及等离子清洗方法
公开(公告)号：TW583736B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091119637
申请日：2002-08-29
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED , 安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION , 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC. , 關東電化工業股份有限公司 KANTO DENKA KOGYO CO., LTD. , 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD , 昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO KABUSHIKI KAISHA , 索尼公司 SONY CORPORATION , 大金工業股份有限公司 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. , 日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. , 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：關屋章 AKIRA SEKIYA , 三井有規 YUKI MITSUI , 大平豊 YUTAKA OHIRA , 米村泰輔 TAKSUKE YONEMURA
IPC分类号： B08B , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/3065 , Y10S438/905
摘要：本發明之CVD室(chamber)用電漿清洗氣體，係用以清洗電漿CVD裝置對基板進行成膜處理後堆積在CVD室內壁表面及配置在CVD室內之部材表面上之含矽附著物之清洗用氣體，該清洗用氣體為100容量%之氟氣，並係藉由放電產生電漿之氟氣。
藉由放電從濃度100容量%之氟氣產生電漿而做為清洗氣體使用時，可以得到極優之蝕刻速度，並且即使在氣體總流量1000sccm、室壓400Pa下也可以使電漿安定地產生，同時，在前述條件下可以確保清洗均勻性。再者，濃度因係100%之故，裝置不複雜，實用性佳。
简体摘要：本发明之CVD室(chamber)用等离子清洗气体，系用以清洗等离子CVD设备对基板进行成膜处理后堆积在CVD室内壁表面及配置在CVD室内之部材表面上之含硅附着物之清洗用气体，该清洗用气体为100容量%之氟气，并系借由放电产生等离子之氟气。借由放电从浓度100容量%之氟气产生等离子而做为清洗气体使用时，可以得到极优之蚀刻速度，并且即使在气体总流量1000sccm、室压400Pa下也可以使等离子安定地产生，同时，在前述条件下可以确保清洗均匀性。再者，浓度因系100%之故，设备不复杂，实用性佳。

54. 发明专利

TW574401B 濺鍍裝置有权
简体标题：溅镀设备
公开(公告)号：TW574401B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW090118221
申请日：2001-07-25
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：谷典明 TANI, NORIAKI , 齋藤和彥 SAITO, KAZUHIKO , 鄒紅罡 SUU, KOUKOU
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3438 , C23C14/088 , H01J37/34
摘要：本發明之課題，係提供一種即使利用濺鍍法將介電體膜以連續性地成膜於多數基板上，成膜速度或組成比仍可以保持一定之技術。
本發明的濺鍍裝置(1)，係於真空槽(11)的內部底面上，將對向電極(21)設置成位於載置台(15)的周圍。在對向電極(21)的表面上可形成多數的孔(23)，使表面積變大。因此，被濺鍍的介電體材料會附著於對向電極(21)的表面上，即使介電體可成膜於其表面上而分布正電荷，分布在對向電極(21)的表面上的電荷之電荷密度與以往相比之下會變小，結果，對向電極表面的電位係大致可保持在接地電位。如此一來，藉由對向電極(21)表面的電位係大致可保持在接地電位，因為在真空槽(11)內的放電穩定了，所以以往所產生的膜厚分布及成膜速度的變動，或放電不穩定的問題就不容易發生了。
简体摘要：本发明之课题，系提供一种即使利用溅镀法将介电体膜以连续性地成膜于多数基板上，成膜速度或组成比仍可以保持一定之技术。本发明的溅镀设备(1)，系于真空槽(11)的内部底面上，将对向电极(21)设置成位于载置台(15)的周围。在对向电极(21)的表面上可形成多数的孔(23)，使表面积变大。因此，被溅镀的介电体材料会附着于对向电极(21)的表面上，即使介电体可成膜于其表面上而分布正电荷，分布在对向电极(21)的表面上的电荷之电荷密度与以往相比之下会变小，结果，对向电极表面的电位系大致可保持在接地电位。如此一来，借由对向电极(21)表面的电位系大致可保持在接地电位，因为在真空槽(11)内的放电稳定了，所以以往所产生的膜厚分布及成膜速度的变动，或放电不稳定的问题就不容易发生了。

55. 发明专利

TW200402253A 磁中性線放電電漿處理系統 MAGNETIC NEUTRAL LINE DISCHARGE PLASMA PROCESSING SYSTEM 失效
简体标题：磁中性线放电等离子处理系统 MAGNETIC NEUTRAL LINE DISCHARGE PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200402253A
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW092115747
申请日：2003-06-10
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田岱二郎 UCHIDA, TAIJIRO
IPC分类号： H05H , C23C
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/3266
摘要：本發明提供一磁中性線放電電漿處理系統，其可以同時施加多數線性磁中性線放電電漿，以均質均勻地處理在一大矩形基板之所有表面區域。磁中性線放電電漿處理系統之磁場產生機構具有至少兩線性電流棒安排在真空室外，與在真空室內之處理物體之予以處理之表面平行，以在相鄰定位之線性電流棒間之真空室內，形成至少一線性磁中性線。
简体摘要：本发明提供一磁中性线放电等离子处理系统，其可以同时施加多数线性磁中性线放电等离子，以均质均匀地处理在一大矩形基板之所有表面区域。磁中性线放电等离子处理系统之磁场产生机构具有至少两线性电流棒安排在真空室外，与在真空室内之处理物体之予以处理之表面平行，以在相邻定位之线性电流棒间之真空室内，形成至少一线性磁中性线。

56. 发明专利

TW200307993A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW200307993A
公开(公告)日：2003-12-16
申请号：TW092106991
申请日：2003-03-27
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：內田寬人 , 神保武人 , 增田健 , 沼雅彥 , 山田貴一 , 植松正紀 , 鄒紅罡 , 木村勳
IPC分类号： H01L , B01D
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/409 , C23C16/4402 , C23C16/455 , C23C16/45519
摘要：本發明乃為一種提供不會產生粒，可實施MOCVD法的成膜裝置及成膜方法。乃屬於由成膜室47、和混合氣體生成用混合室43、和原料氣體用氣化室41、和設在成膜室上面的氣體頭部48所形成的成膜裝置中，在氣化室41和混合室43之間，以及在混合室43內的下流側，配設粒子陷阱。並設置具備用來連接配設在混合室43內的下流側的粒子陷阱46a、46b的一次側和二次側和間的閥V3的旁通管線50。使用該裝置進行成膜時，以打開旁通管線50的閥V3的狀態流入原料氣體、反應氣體、載氣的氣類後，關閉該閥或可變閥時，一邊慢慢地關閉一邊開始成膜。
简体摘要：本发明乃为一种提供不会产生粒，可实施MOCVD法的成膜设备及成膜方法。乃属于由成膜室47、和混合气体生成用混合室43、和原料气体用气化室41、和设在成膜室上面的气体头部48所形成的成膜设备中，在气化室41和混合室43之间，以及在混合室43内的下流侧，配设粒子猫腻。并设置具备用来连接配设在混合室43内的下流侧的粒子猫腻46a、46b的一次侧和二次侧和间的阀V3的旁通管线50。使用该设备进行成膜时，以打开旁通管线50的阀V3的状态流入原料气体、反应气体、载气的气类后，关闭该阀或可变阀时，一边慢慢地关闭一边开始成膜。

57. 发明专利

TW200939357A 薄膜電晶體之製造方法及薄膜電晶體 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管之制造方法及薄膜晶体管 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200939357A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097150186
申请日：2008-12-23
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：森村太郎 MORIMURA, TARO , 菊池亨 KIKUCHI, TORU , 橋本征典 HASHIMOTO, MASANORI , 淺利伸 ASARI, SHIN , 齋藤一也 SAITO, KAZUYA , 中村久三 NAKAMURA, KYUZO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02422 , H01L21/02675 , H01L27/1285 , H01L29/66765
摘要：本發明提供可防止元件間之電晶體特性的不一致而提高移動率之生產性優異的薄膜電晶體之製造方法及薄膜電晶體。本發明之薄膜電晶體之製造方法,係以源極電極膜71及汲極電極膜72作為遮罩而對非晶矽膜4的通道部41照射固體綠光雷射GL而使移動率提高。由於藉由固體綠光雷射之照射使非晶矽膜的通道部結晶化,所以與過去之使用準分子雷射的方法相比,能使雷射振盪特性穩定化,對於大型基板也能以在整個面內都一樣的輸出特性進行雷射照射,可防止元件間之通道部的結晶度之不一致。另外,因為雷射振盪器的維護周期變長,所以可降低裝置的停機成本,提高生產性。
简体摘要：本发明提供可防止组件间之晶体管特性的不一致而提高移动率之生产性优异的薄膜晶体管之制造方法及薄膜晶体管。本发明之薄膜晶体管之制造方法,系以源极电极膜71及汲极电极膜72作为遮罩而对非晶硅膜4的信道部41照射固体绿光激光GL而使移动率提高。由于借由固体绿光激光之照射使非晶硅膜的信道部结晶化,所以与过去之使用准分子激光的方法相比,能使激光振荡特性稳定化,对于大型基板也能以在整个面内都一样的输出特性进行激光照射,可防止组件间之信道部的结晶度之不一致。另外,因为激光振荡器的维护周期变长,所以可降低设备的停机成本,提高生产性。

58. 发明专利

TW200935989A 電漿源機構及成膜裝置 PLASMA SOURCE MECHANISM AND FILM FORMING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子源机构及成膜设备 PLASMA SOURCE MECHANISM AND FILM FORMING APPARATUS
公开(公告)号：TW200935989A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097149479
申请日：2008-12-18
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：松元孝文 MATSUMOTO, TAKAFUMI , 鈴木壽弘 SUZUKI, TOSHIHIRO , 中牟田雄 NAKAMUTA, YUU , 松本昌弘 MATSUMOTO, MASAHIRO , 久保昌司 KUBO, MASASHI
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , C23C14/568 , C23C14/5826 , H01J37/321 , H01J37/3266
摘要：本發明,係能夠將大面積之電漿以良好再現性來產生,並藉由此而提供一種能夠適用於廣泛之用途中的使用有低價之電漿源的電漿處理技術。本發明之電漿源機構(1),係可適用在具備有真空槽(20)之真空裝置(21)中,並具備有:矩形環狀之天線部(12),係在真空槽(20)之外側處隔著介電質部(10)而被配置,並可施加高頻電力;和磁石部(11),係在真空槽(20)之外側處隔著介電質部(10)而被配置在天線部(12)之近旁,並具備有與天線部(12)相對應之矩形形狀。天線部(12),係將第1以及第2天線線圈(14、15)鄰接並作近接配置,且第1以及第2天線線圈(14、15)係被並聯連接。
简体摘要：本发明,系能够将大面积之等离子以良好再现性来产生,并借由此而提供一种能够适用于广泛之用途中的使用有低价之等离子源的等离子处理技术。本发明之等离子源机构(1),系可适用在具备有真空槽(20)之真空设备(21)中,并具备有:矩形环状之天线部(12),系在真空槽(20)之外侧处隔着介电质部(10)而被配置,并可施加高频电力;和磁石部(11),系在真空槽(20)之外侧处隔着介电质部(10)而被配置在天线部(12)之近旁,并具备有与天线部(12)相对应之矩形形状。天线部(12),系将第1以及第2天线线圈(14、15)邻接并作近接配置,且第1以及第2天线线圈(14、15)系被并联连接。

59. 发明专利

TW200935282A 觸控面板、觸控面板之製造方法 A TOUCH PANEL, A METHOD FOR PRODUCING A TOUCH PANEL 审中-公开
简体标题：触摸皮肤、触摸皮肤之制造方法 A TOUCH PANEL, A METHOD FOR PRODUCING A TOUCH PANEL
公开(公告)号：TW200935282A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097148529
申请日：2008-12-12
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：高橋明久 TAKAHASHI, HIROHISA , 石橋曉 ISHIBASHI, SATORU , 谷典明 TANI, NORIAKI , 浮島禎之 UKISHIMA, SADAYUKI , 高澤悟 TAKASAWA, SATORU , 中村久三 NAKAMURA, KYUZO , 山本治彥 YAMAMOTO, HARUHIKO
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F3/045
摘要：提供一種耐久性高之觸控面板。顯示裝置(10)與可撓性面板(20之任一方又或是雙方,係在電極層(上部電極層(27)、下部電極層(30))之表面處以島狀而形成有保護體(32),而在保護體(32)之間,係露出有透明導電膜(31)之表面。由於保護體(32)係從透明導電膜(31)之表面而高高的突出,因此,當可撓性面板(20)被推壓,而上部電極層(27)與下部電極層(30)相接觸時,被施加於透明導電膜(31)上之荷重係藉由保護體(32)而被減輕,而透明導電膜(31)係不會破損。
简体摘要：提供一种耐久性高之触摸皮肤。显示设备(10)与可挠性皮肤(20之任一方又或是双方,系在电极层(上部电极层(27)、下部电极层(30))之表面处以岛状而形成有保护体(32),而在保护体(32)之间,系露出有透明导电膜(31)之表面。由于保护体(32)系从透明导电膜(31)之表面而高高的突出,因此,当可挠性皮肤(20)被推压,而上部电极层(27)与下部电极层(30)相接触时,被施加于透明导电膜(31)上之荷重系借由保护体(32)而被减轻,而透明导电膜(31)系不会破损。

60. 发明专利

TW200923114A 成膜裝置及成膜方法 FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD 审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法 FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD
公开(公告)号：TW200923114A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097137910
申请日：2008-10-02
申请人：愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.
发明人：今北健一 IMAKITA, KENICHI , 森田正 MORITA, TADASHI , 山本弘輝 YAMAMOTO, HIROKI , 森本直樹 MORIMOTO, NAOKI , 鍋谷章生 NABEYA, AYAO , 中村真也 NAKAMURA, SHINYA
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01L43/12
摘要：本發明提供一種可提升膜厚均一性的成膜裝置及成膜方法。在轉動機構(24,26,27,29,31,MT)上,相對於基板(S)的表面而傾斜的狀態下,搭載具有濺鍍面的靶材(32)。轉動機構以沿著被濺鍍面的法線的軸為中心可轉動而支撐靶材(32)。藉由對於轉動機構所支撐的靶材(32)進行濺鍍而在基板(S)的表面形成薄膜。在此薄膜形成之時,轉動機構維持靶材(32)的轉動角。
简体摘要：本发明提供一种可提升膜厚均一性的成膜设备及成膜方法。在转动机构(24,26,27,29,31,MT)上,相对于基板(S)的表面而倾斜的状态下,搭载具有溅镀面的靶材(32)。转动机构以沿着被溅镀面的法线的轴为中心可转动而支撑靶材(32)。借由对于转动机构所支撑的靶材(32)进行溅镀而在基板(S)的表面形成薄膜。在此薄膜形成之时,转动机构维持靶材(32)的转动角。

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