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51. 发明专利

TWI397153B 半導體記憶裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI397153B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW094134323
申请日：2005-09-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513

52. 发明专利

TWI556462B 於基板上直接形成太陽能發電薄膜之太陽能電池有权
简体标题：于基板上直接形成太阳能发电薄膜之太阳能电池
公开(公告)号：TWI556462B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102138590
申请日：2009-02-11
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：若山惠英 , WAKAYAMA, YOSHIHIDE , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0216 , E04D13/18
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50

53. 发明专利

TWI543245B 半導體裝置之製造方法及半導體基板之清洗方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体基板之清洗方法
公开(公告)号：TWI543245B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW098112518
申请日：2009-04-15
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 史鐵勒傑米華股份有限公司 , STELLA CHEMIFA CORPORATION
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 長谷部類 , HASEBE, RUI , 宮下雅之 , MIYASHITA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02054 , H01L21/0206 , Y10S438/906

54. 发明专利

TWI518939B 薄膜與其形成方法，及包含該薄膜之半導體發光元件有权
简体标题：薄膜与其形成方法，及包含该薄膜之半导体发光组件
公开(公告)号：TWI518939B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW099134457
申请日：2010-10-08
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD. , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 淺原浩和 , ASAHARA, HIROKAZU , 井之口敦智 , INOKUCHI, ATSUTOSHI
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/407 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/0087 , H01L33/28

55. 发明专利

TWI517201B 外側空氣遮斷容器及可減壓處理設備有权
简体标题：外侧空气遮断容器及可减压处理设备
公开(公告)号：TWI517201B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW100119370
申请日：2011-06-02
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 日本華爾卡工業股份有限公司 , NIPPON VALQUA INDUSTRIES, LTD.
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI , 今田博久 , IMADA, HIROHISA , 吉田勉 , YOSHIDA, TSUTOMU
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32513 , C23C16/4409

56. 发明专利

TWI512890B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI512890B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099126181
申请日：2010-08-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 大橋朋貢 , OHASHI, TOMOTSUGU , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/31612 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/30604 , H01L21/76898

57. 发明专利

TWI507568B 電子裝置製造用A1合金元件、電子裝置製造裝置以及具有陽極氧化膜之電子裝置製造用A1合金元件的製造方法有权
简体标题：电子设备制造用A1合金组件、电子设备制造设备以及具有阳极氧化膜之电子设备制造用A1合金组件的制造方法
公开(公告)号：TWI507568B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW098125495
申请日：2009-07-29
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 北野真史 , KITANO, MASAFUMI , 田原稔 , TAHARA, MINORU , 伊藤久和 , ITO, HISAKAZU , 白井孝太 , SHIRAI, KOTA , 佐伯雅之 , SAEKI, MASAYUKI
IPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00
CPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12

58. 发明专利

TW201508978A 電極構造物及二次電池审中-公开
简体标题：电极构造物及二次电池
公开(公告)号：TW201508978A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102139943
申请日：2013-11-04
申请人：新日本金屬鑛業股份有限公司 , NEW NIPPON METAL MINING INDUSTRY CO., LTD. , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：清水健三 , SHIMIZU, KENZO , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA
IPC分类号： H01M4/13 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M4/664 , H01M4/665 , H01M4/667 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
摘要：本發明主要之課題係實現充放電特性遠比以往更優異之高性能鋰離子蓄電池與小型且大的蓄電量及可急速充電之二次電池。本發明之主要解決方法係具有電子供給區域部、與該電子供給區域部不同之拉電子區域部及電隔離至少該等表面之區域的電極構造物。
简体摘要：本发明主要之课题系实现充放电特性远比以往更优异之高性能锂离子蓄电池与小型且大的蓄电量及可急速充电之二次电池。本发明之主要解决方法系具有电子供给区域部、与该电子供给区域部不同之拉电子区域部及电隔离至少该等表面之区域的电极构造物。

59. 发明专利

TW201448677A 電漿產生裝置、電漿處理裝置、電漿產生方法及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子产生设备、等离子处理设备、等离子产生方法及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201448677A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102121284
申请日：2013-06-14
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 平山昌樹 , HIRAYAMA, MASAKI , 須川成利 , SUGAWA, SHIGETOSHI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H05H1/30
摘要：提供一種電漿產生裝置，能夠實質地消弭電漿激發區域的周邊存在之電極等構件材料因受到加速的電子而被濺鍍之情形。具備：電漿形成用的電極(10)，具有主面(10a)及背面(10b)；高頻供給部(100，70，60)，將頻率200MHz以上的高頻電力供給至電極(10)；及磁場形成機構(50)，設於電極(10)的背面側，包含N極與前述背面相向配置之第1固定磁鐵(56)，和S極與前述背面相向配置之第2固定磁鐵(58)，形成迴圈狀的磁場區域(LMR)，用以將被激發之電漿閉鎖於主面(10a)附近；磁場形成機構(50)所形成之迴圈狀的磁場區域(LMR)，在與主面(10a)平行之方向具有3000高斯以上的強磁場。
简体摘要：提供一种等离子产生设备，能够实质地消弭等离子激发区域的周边存在之电极等构件材料因受到加速的电子而被溅镀之情形。具备：等离子形成用的电极(10)，具有主面(10a)及背面(10b)；高频供给部(100，70，60)，将频率200MHz以上的高频电力供给至电极(10)；及磁场形成机构(50)，设于电极(10)的背面侧，包含N极与前述背面相向配置之第1固定磁铁(56)，和S极与前述背面相向配置之第2固定磁铁(58)，形成循环状的磁场区域(LMR)，用以将被激发之等离子闭锁于主面(10a)附近；磁场形成机构(50)所形成之循环状的磁场区域(LMR)，在与主面(10a)平行之方向具有3000高斯以上的强磁场。

60. 发明专利

TWI459558B 電晶體及半導體裝置有权
简体标题：晶体管及半导体设备
公开(公告)号：TWI459558B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW096125521
申请日：2007-07-13
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 黑田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/085 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/28202 , H01L29/518 , H01L29/78654 , H01L29/78696

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