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51. 发明专利

TW201544612A 氧化物燒結體及其製造方法、以及氧化物膜审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、以及氧化物膜
公开(公告)号：TW201544612A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104249
申请日：2015-02-09
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：曽我部健太郎 , SOGABE, KENTARO , 安東勳雄 , ANDO, ISAO , 小沢誠 , OZAWA, MAKOTO
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10
CPC分类号： C04B35/16 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9623 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種製造安定性、成膜安定性、放電安定性及機械強度優異之氧化物燒結體及其製造方法、以及使用其氧化物燒結體所得之具有中間折射率之氧化物膜。本發明係製造含有In與Si，Si之含量以Si/In原子數比計為0.65以上1.75以下，相對密度為90%以上，且彎曲強度為90N/mm2以上之氧化物燒結體，且使用該氧化物燒結體，以濺鍍法製作折射率1.70以上1.90以下之氧化物膜。
简体摘要：本发明提供一种制造安定性、成膜安定性、放电安定性及机械强度优异之氧化物烧结体及其制造方法、以及使用其氧化物烧结体所得之具有中间折射率之氧化物膜。本发明系制造含有In与Si，Si之含量以Si/In原子数比计为0.65以上1.75以下，相对密度为90%以上，且弯曲强度为90N/mm2以上之氧化物烧结体，且使用该氧化物烧结体，以溅镀法制作折射率1.70以上1.90以下之氧化物膜。

52. 发明专利

TW201544485A 氧化物燒結體及其製造方法、靶及使用其所得之透明導電膜以及透明導電性基材审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、靶及使用其所得之透明导电膜以及透明导电性基材
公开(公告)号：TW201544485A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104118687
申请日：2008-07-04
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 阿部能之 , ABE, YOSHIYUKI
IPC分类号： C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , C03C17/245 , H01B1/08
CPC分类号： C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
摘要：本發明係提供一種可實現高速成膜與保持無小結(noduleless)發生之濺鍍用靶或離子電鍍用小片(tablet)、獲得該等之最適當的氧化物燒結體及其製造方法及使用其所得之藍色光吸收少的低電阻透明導電膜。本發明係提供一種氧化物燒結體等，其在含有使銦與鎵作為氧化物之氧化物燒結體，其特徵為，使方錳鐵礦(bixbyite)型構造之In2O3相成為主要結晶相，其中β-Ga2O3型構造之GaInO3相，或GaInO3相與(Ga,In)2O3相係作為平均粒徑5μm以下之結晶粒進行精細分散(fine dispersion)，鎵之含量以Ga/(In+Ga)原子數比為10原子%以上未達35原子%者。
简体摘要：本发明系提供一种可实现高速成膜与保持无小结(noduleless)发生之溅镀用靶或离子电镀用小片(tablet)、获得该等之最适当的氧化物烧结体及其制造方法及使用其所得之蓝色光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明系提供一种氧化物烧结体等，其在含有使铟与镓作为氧化物之氧化物烧结体，其特征为，使方锰铁矿(bixbyite)型构造之In2O3相成为主要结晶相，其中β-Ga2O3型构造之GaInO3相，或GaInO3相与(Ga,In)2O3相系作为平均粒径5μm以下之结晶粒进行精细分散(fine dispersion)，镓之含量以Ga/(In+Ga)原子数比为10原子%以上未达35原子%者。

53. 发明专利

TWI503992B 氧化物半導體薄膜以及薄膜電晶體有权
简体标题：氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI503992B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW103124547
申请日：2014-07-16
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363 , C04B35/00 , C01G15/00
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696

54. 发明专利

TW201534563A 氫氧化銦粉及氧化銦粉审中-公开
简体标题：氢氧化铟粉及氧化铟粉
公开(公告)号：TW201534563A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103146308
申请日：2014-12-30
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：菅本憲明 , SUGAMOTO, NORIAKI , 木部龍夫 , KIBE, TATSUO , 川上哲史 , KAWAKAMI, TETSUJI , 岩佐剛 , IWASA, TSUYOSHI , 加茂哲郎 , KAMO, TETSURO , 水沼昌平 , MIZUNUMA, SHOUHEI
IPC分类号： C01G15/00
CPC分类号： C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2004/51 , C01P2006/12 , C01P2006/13 , C04B35/01 , C04B35/62645 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463
摘要：得到高密度的燒結體。使用將氫氧化銦粉預燒所得之氧化銦粉。其中，氫氧化銦粉係藉由Wilson式求得之(200)面及(400)面之配向指數為各自2.0以上，(442)面之配向指數為0.5以下，並且相對於上述(200)面之配向指數，上述(400)面之配向指數之比為1.5以上，且並沒有出現(220)面及(420)面之繞射峰。
简体摘要：得到高密度的烧结体。使用将氢氧化铟粉预烧所得之氧化铟粉。其中，氢氧化铟粉系借由Wilson式求得之(200)面及(400)面之配向指数为各自2.0以上，(442)面之配向指数为0.5以下，并且相对于上述(200)面之配向指数，上述(400)面之配向指数之比为1.5以上，且并没有出现(220)面及(420)面之绕射峰。

55. 发明专利

TW201510284A 陽極及其製造方法审中-公开
简体标题：阳极及其制造方法
公开(公告)号：TW201510284A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103127244
申请日：2014-08-08
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：菅本憲明 , SUGAMOTO, NORIAKI , 木部龍夫 , KIBE, TATSUO , 加茂哲郎 , KAMO, TETSURO , 岩佐剛 , IWASA, TSUYOSHI , 川上哲史 , KAWAKAMI, TETSUJI , 高田功 , TAKADA, KOU , 森本敏夫 , MORIMOTO, TOSHIO
IPC分类号： C25B11/04 , C25B1/00
CPC分类号： B22C9/06 , B22C9/22 , B22D21/00 , B22D21/005 , B22D25/04 , C25B1/00 , C25B9/02 , C25B11/04 , C25D17/10 , C25D17/12
摘要：於電解時抑制電阻造成之溫度上昇，防止陽極掉落。在由具有100℃以上250℃以下熔點的低熔點金屬或低熔點合金所構成之電極板的一邊，係藉由面接觸方式裝配有保持構件，該保持構件具有該一邊的長度以上之長度，且由具有比電極板的熔點還高熔點的金屬或合金所構成。
简体摘要：于电解时抑制电阻造成之温度上升，防止阳极掉落。在由具有100℃以上250℃以下熔点的低熔点金属或低熔点合金所构成之电极板的一边，系借由面接触方式装配有保持构件，该保持构件具有该一边的长度以上之长度，且由具有比电极板的熔点还高熔点的金属或合金所构成。

56. 发明专利

TWI466968B 積層陶瓷電容器內部電極用導電性糊有权
简体标题：积层陶瓷电容器内部电极用导电性煳
公开(公告)号：TWI466968B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW099105099
申请日：2010-02-23
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：石山直希 , ISHIYAMA, NAOKI
IPC分类号： C09D5/24 , C09D7/12

57. 发明专利

TW201438921A 透明導電性基材以及其製造方法审中-公开
简体标题：透明导电性基材以及其制造方法
公开(公告)号：TW201438921A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103102576
申请日：2014-01-24
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 小野勝史 , ONO, KATSUSHI , 大久保和彥 , OKUBO, KAZUHIKO
IPC分类号： B32B9/00 , B32B7/02 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , G06F3/045
CPC分类号： C23C14/086 , B32B27/06 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/702 , B32B2457/208 , G06F3/044 , G06F2203/04103
摘要：本發明之目的為提供一種透明導電性薄膜，其係在透明的薄膜基材上形成有使2層構造單層化之透明導電膜，並且提供一種使包含2層的透明導電膜積層體單層化之製造方法。本發明藉由透明導電性基材等而提供，其係在透明的基材之單面或雙面上形成有單層且結晶質的透明導電膜，而該透明導電膜係包含氧化銦、或至少含有1種以上2~6價金屬元素之氧化物的氧化銦；其特徵為：前述透明導電膜係藉由依序形成作為第1非晶質的透明導電膜及第2非晶質的透明導電膜之2層後，將所得的透明導電膜積層體進行熱處理而形成；第1非晶質的透明導電膜其以式(A)所示之2~6價金屬元素之氧化物的總重量比係與第2非晶質的透明導電膜不同，而且結晶質的透明導電膜中的2~6價金屬元素之氧化物的總重量比為16重量%以下。
简体摘要：本发明之目的为提供一种透明导电性薄膜，其系在透明的薄膜基材上形成有使2层构造单层化之透明导电膜，并且提供一种使包含2层的透明导电膜积层体单层化之制造方法。本发明借由透明导电性基材等而提供，其系在透明的基材之单面或双面上形成有单层且结晶质的透明导电膜，而该透明导电膜系包含氧化铟、或至少含有1种以上2~6价金属元素之氧化物的氧化铟；其特征为：前述透明导电膜系借由依序形成作为第1非晶质的透明导电膜及第2非晶质的透明导电膜之2层后，将所得的透明导电膜积层体进行热处理而形成；第1非晶质的透明导电膜其以式(A)所示之2~6价金属元素之氧化物的总重量比系与第2非晶质的透明导电膜不同，而且结晶质的透明导电膜中的2~6价金属元素之氧化物的总重量比为16重量%以下。

58. 发明专利

TW201436905A 鎳粉末及其製造方法审中-公开
简体标题：镍粉末及其制造方法
公开(公告)号：TW201436905A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103110226
申请日：2014-03-19
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：小澤秀造 , OZAWA, SHUUZOU
IPC分类号： B22F1/00 , C01G53/00
CPC分类号： H01G4/30 , B22F1/02 , B22F9/12 , H01G4/0085
摘要：本發明係提供一種藉由使粉末在燒結的收縮起始溫度高溫化，改善燒結性，同時抑制觸媒活性，且脫脂性優異的鎳粉末及其製造方法。本發明為一種鎳粉末之製造方法，係為將由氣相狀態冷凝而得到的原料鎳粉末以硫化合物進行濕式處理後，進行乾燥，製造硫以硫與鎳的化合物之形態包含於粒子表面的鎳粉末之方法，其特徵為包含以下步驟：(A)將原料鎳粉末與水混合，形成漿體的漿體化步驟；(B)所得到的漿體中，以使形成於所得到之鎳粉末的粒子表面之被覆層所含有的硫量相對於鎳粉末總量成為0.05~0.3質量%之方式，添加水溶性之硫化物的硫化物添加步驟；以及(C)自所得到的漿體將鎳粉末固液分離，在真空下或惰性氣體進行乾燥的乾燥步驟。
简体摘要：本发明系提供一种借由使粉末在烧结的收缩起始温度高温化，改善烧结性，同时抑制触媒活性，且脱脂性优异的镍粉末及其制造方法。本发明为一种镍粉末之制造方法，系为将由气相状态冷凝而得到的原料镍粉末以硫化合物进行湿式处理后，进行干燥，制造硫以硫与镍的化合物之形态包含于粒子表面的镍粉末之方法，其特征为包含以下步骤：(A)将原料镍粉末与水混合，形成浆体的浆体化步骤；(B)所得到的浆体中，以使形成于所得到之镍粉末的粒子表面之被覆层所含有的硫量相对于镍粉末总量成为0.05~0.3质量%之方式，添加水溶性之硫化物的硫化物添加步骤；以及(C)自所得到的浆体将镍粉末固液分离，在真空下或惰性气体进行干燥的干燥步骤。

60. 发明专利

TW201431077A 氧化物半導體薄膜與其製造方法以及薄膜電晶體审中-公开
简体标题：氧化物半导体薄膜与其制造方法以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201431077A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102142591
申请日：2013-11-22
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78693
摘要：本發明係由氧化物結晶質薄膜提供具有較高之載體遷移度且適合作為TFT之通道層材料的氧化物半導體薄膜。本發明之氧化物半導體薄膜係藉由對於由含有銦與鈦之氧化物所構成且鈦含量以Ti/In原子數比計為0.005至0.12之非晶質膜，施行250℃以上之加熱溫度、及1分至120分之處理時間的退火處理而得者。該氧化物半導體薄膜係為結晶質且僅由方鐵錳礦型構造之In2O3相所構成，且載體濃度為1×1019cm-3以下、載體遷移度為1cm2/Vsec以上。
简体摘要：本发明系由氧化物结晶质薄膜提供具有较高之载体迁移度且适合作为TFT之信道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明之氧化物半导体薄膜系借由对于由含有铟与钛之氧化物所构成且钛含量以Ti/In原子数比计为0.005至0.12之非晶质膜，施行250℃以上之加热温度、及1分至120分之处理时间的退火处理而得者。该氧化物半导体薄膜系为结晶质且仅由方铁锰矿型构造之In2O3相所构成，且载体浓度为1×1019cm-3以下、载体迁移度为1cm2/Vsec以上。

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