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    • 2. 发明专利
    • 透明導電性基材以及其製造方法
    • 透明导电性基材以及其制造方法
    • TW201438921A
    • 2014-10-16
    • TW103102576
    • 2014-01-24
    • 住友金屬鑛山股份有限公司SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
    • 中山德行NAKAYAMA, TOKUYUKI小野勝史ONO, KATSUSHI大久保和彥OKUBO, KAZUHIKO
    • B32B9/00B32B7/02C23C14/34C23C14/58H01B1/08H01B5/14H01B13/00G06F3/045
    • C23C14/086B32B27/06B32B2307/202B32B2307/412B32B2307/702B32B2457/208G06F3/044G06F2203/04103
    • 本發明之目的為提供一種透明導電性薄膜,其係在透明的薄膜基材上形成有使2層構造單層化之透明導電膜,並且提供一種使包含2層的透明導電膜積層體單層化之製造方法。本發明藉由透明導電性基材等而提供,其係在透明的基材之單面或雙面上形成有單層且結晶質的透明導電膜,而該透明導電膜係包含氧化銦、或至少含有1種以上2~6價金屬元素之氧化物的氧化銦;其特徵為:前述透明導電膜係藉由依序形成作為第1非晶質的透明導電膜及第2非晶質的透明導電膜之2層後,將所得的透明導電膜積層體進行熱處理而形成;第1非晶質的透明導電膜其以式(A)所示之2~6價金屬元素之氧化物的總重量比係與第2非晶質的透明導電膜不同,而且結晶質的透明導電膜中的2~6價金屬元素之氧化物的總重量比為16重量%以下。
    • 本发明之目的为提供一种透明导电性薄膜,其系在透明的薄膜基材上形成有使2层构造单层化之透明导电膜,并且提供一种使包含2层的透明导电膜积层体单层化之制造方法。本发明借由透明导电性基材等而提供,其系在透明的基材之单面或双面上形成有单层且结晶质的透明导电膜,而该透明导电膜系包含氧化铟、或至少含有1种以上2~6价金属元素之氧化物的氧化铟;其特征为:前述透明导电膜系借由依序形成作为第1非晶质的透明导电膜及第2非晶质的透明导电膜之2层后,将所得的透明导电膜积层体进行热处理而形成;第1非晶质的透明导电膜其以式(A)所示之2~6价金属元素之氧化物的总重量比系与第2非晶质的透明导电膜不同,而且结晶质的透明导电膜中的2~6价金属元素之氧化物的总重量比为16重量%以下。