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41. 发明专利

TW201702314A 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法审中-公开
简体标题：奈米压印用组合物及奈米压印图案形成方法
公开(公告)号：TW201702314A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111685
申请日：2016-04-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：昆野健理 , KONNO, KENRI
IPC分类号： C08L83/07 , C08L33/16 , B29C59/02 , B29C59/16 , B82Y40/00 , H01L21/308
CPC分类号： G03F7/0002 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08L83/06 , C09D183/04 , C09D183/06 , G03F7/0046 , G03F7/0388 , G03F7/0757 , C08L33/16
摘要：本發明提供一種奈米壓印用組合物，其特徵在於：含有具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之矽氧烷聚合物(A)、聚合起始劑(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之結構單元。[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1為1~5之整數，Rf101為含有氟原子之有機基]。
简体摘要：本发明提供一种奈米压印用组合物，其特征在于：含有具有会借由光照射而聚合之聚合性基之硅氧烷聚合物(A)、聚合起始剂(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之结构单元。[式(f1-1)中，R为氢原子、碳数1~5之烷基、或碳数1~5之卤化烷基；Rf102及Rf103分别独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1~5之烷基、或碳数1~5之卤化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1为1~5之整数，Rf101为含有氟原子之有机基]。

42. 发明专利

TW201643204A 聚合物、有機層組成物、有機層以及形成圖案的方法审中-公开
简体标题：聚合物、有机层组成物、有机层以及形成图案的方法
公开(公告)号：TW201643204A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105117785
申请日：2016-06-06
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：朴裕信 , PARK, YU-SHIN , 金兌鎬 , KIM, TAE-HO , 崔有廷 , CHOI, YOO-JEONG , 姜善惠 , KANG, SUN-HAE , 權孝英 , KWON, HYO-YOUNG , 金相均 , KIM, SANG-KYUN , 金永珉 , KIM, YOUNG-MIN , 南沇希 , NAM, YOUN-HEE , 宋炫知 , SONG, HYUN-JI , 尹星莉 , YOON, BYERI , 李東槿 , LEE, DONG-GEUN , 鄭瑟基 , JEONG, SEULGI
IPC分类号： C08G61/12 , C09D165/00 , G03F7/11 , G03F1/76 , G03F1/80 , H01L21/308
摘要：本發明提供一種包含由化學式1表示的結構單元的聚合物和包含所述聚合物的有機層組成物。 [化學式1]所述化學式1與具體實施方式中所定義的相同。
简体摘要：本发明提供一种包含由化学式1表示的结构单元的聚合物和包含所述聚合物的有机层组成物。 [化学式1]所述化学式1与具体实施方式中所定义的相同。

43. 发明专利

TW201635371A 蝕刻方法（三）审中-公开
简体标题：蚀刻方法（三）
公开(公告)号：TW201635371A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105101026
申请日：2016-01-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：渡邊光 , WATANABE, HIKARU , 辻晃弘 , TSUJI, AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308
摘要：能防止開口閉塞，並相對於氮化矽所構成之第2區域而蝕刻氧化矽所構成之第1區域。一實施形態之方法，係包含有：第1工序，係在收納被處理體之處理容器內產生含氟碳氣體之處理氣體的電漿，會在被處理體上形成含氟碳之沉積物；第2工序，係在收納被處理體之處理容器內，產生含有含氧氣體及非活性氣體之處理氣體的電漿；以及，第3工序，係藉由沉積物所含有的氟碳之自由基來蝕刻第1區域。此方法中，係反覆實行含第1工序、第2工序及第3工序之機制。
简体摘要：能防止开口闭塞，并相对于氮化硅所构成之第2区域而蚀刻氧化硅所构成之第1区域。一实施形态之方法，系包含有：第1工序，系在收纳被处理体之处理容器内产生含氟碳气体之处理气体的等离子，会在被处理体上形成含氟碳之沉积物；第2工序，系在收纳被处理体之处理容器内，产生含有含氧气体及非活性气体之处理气体的等离子；以及，第3工序，系借由沉积物所含有的氟碳之自由基来蚀刻第1区域。此方法中，系反复实行含第1工序、第2工序及第3工序之机制。

44. 发明专利

TW201634755A 釕除去組成物、及磁阻式記憶體的製造方法审中-公开
简体标题：钌除去组成物、及磁阻式内存的制造方法
公开(公告)号：TW201634755A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104135517
申请日：2015-10-29
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：朴起永 , PARK, KEE YOUNG , 水谷篤史 , MIZUTANI, ATSUSHI
IPC分类号： C23F1/40 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , C23F1/30 , C23F1/40 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要：本發明提供一種可抑制CoFeB的溶解並且溶解Ru的釕除去組成物、及使用其的磁阻式記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）的製造方法。本發明的釕除去組成物的特徵在於：含有正過碘酸及水，且pH值為11以上。所述釕除去組成物較佳為相對於組成物的總質量，正過碘酸的含量為0.01質量%～5質量%。
简体摘要：本发明提供一种可抑制CoFeB的溶解并且溶解Ru的钌除去组成物、及使用其的磁阻式内存（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）的制造方法。本发明的钌除去组成物的特征在于：含有正过碘酸及水，且pH值为11以上。所述钌除去组成物较佳为相对于组成物的总质量，正过碘酸的含量为0.01质量%～5质量%。

45. 发明专利

TW201634667A 蝕刻劑組成物及使用其形成透明電極的方法审中-公开
简体标题：蚀刻剂组成物及使用其形成透明电极的方法
公开(公告)号：TW201634667A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105102699
申请日：2016-01-28
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：權玟廷 , KWON, MIN JEONG , 金寶衡 , KIM, BO HYEONG , 劉仁浩 , YU, IN HO
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/3213
摘要：公開了用於蝕刻氧化銦層的蝕刻劑組成物以及使用其形成透明電極的方法，所述蝕刻劑組成物包括5-10wt%的硝酸，0.5-5wt%的磺醯氯類化合物，0.1-5wt%的環胺化合物，和剩餘部分的水。當蝕刻厚的氧化銦層(1000Å或更多)以形成具有低電阻的透明電極層時，蝕刻劑組成物能夠充分增大蝕刻速率而不產生殘渣，因此提高加工效率。
简体摘要：公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组成物以及使用其形成透明电极的方法，所述蚀刻剂组成物包括5-10wt%的硝酸，0.5-5wt%的磺酰氯类化合物，0.1-5wt%的环胺化合物，和剩余部分的水。当蚀刻厚的氧化铟层(1000Å或更多)以形成具有低电阻的透明电极层时，蚀刻剂组成物能够充分增大蚀刻速率而不产生残渣，因此提高加工效率。

46. 发明专利

TW201629623A 使用嵌段共聚物的定向自組裝之自對準圖案化审中-公开
简体标题：使用嵌段共聚物的定向自组装之自对准图案化
公开(公告)号：TW201629623A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104133434
申请日：2015-10-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅茲安祖 W , METZ, ANDREW W. , 德維利耶安東 J , DEVILLIERS, ANTON J.
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , C08L53/00 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3086 , H01L21/0271 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/76897
摘要：在此提供之技術係用於自對準蝕刻之方法，使用現有的特徵部以供圖案化或標示圖案而無損傷現有特徵部。使用現有的基板結構來製作不帶有分離的微影圖案化層的表面，以使嵌段共聚物 (BCP)能進行定向自組裝 (DSA)。在此之方法包括在基板上至少使一現有材料或結構做出凹部，並加上一膜，此膜只留在該凹下的材料上。膜可選擇有理想的表面能量以能夠進行受控制之嵌段共聚物自組裝。然後可使用現有結構與一聚合物材料兩者作為蝕刻遮罩而蝕刻該基板。舉一優點而言，為可使已自組裝之聚合物材料配置成保護現有特徵部之露出的隅角，如此可減少選擇性蝕刻化學劑的負擔，增加後續蝕刻之精確性，並減少濺射率(sputter yield)。
简体摘要：在此提供之技术系用于自对准蚀刻之方法，使用现有的特征部以供图案化或标示图案而无损伤现有特征部。使用现有的基板结构来制作不带有分离的微影图案化层的表面，以使嵌段共聚物 (BCP)能进行定向自组装 (DSA)。在此之方法包括在基板上至少使一现有材料或结构做出凹部，并加上一膜，此膜只留在该凹下的材料上。膜可选择有理想的表面能量以能够进行受控制之嵌段共聚物自组装。然后可使用现有结构与一聚合物材料两者作为蚀刻遮罩而蚀刻该基板。举一优点而言，为可使已自组装之聚合物材料配置成保护现有特征部之露出的隅角，如此可减少选择性蚀刻化学剂的负担，增加后续蚀刻之精确性，并减少溅射率(sputter yield)。

47. 发明专利

TWI545648B 擬硬遮罩用之擺動控制有权
简体标题：拟硬遮罩用之摆动控制
公开(公告)号：TWI545648B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101104560
申请日：2012-02-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：許班立 , SHEU, BEN LI , 漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 波瑞芬內 , POHRAY, VINAY , 哈得森艾瑞克 , HUDSON, ERIC , 貝利三世安祖D , BAILEY III, ANDREW D.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144

48. 发明专利

TW201627460A 形成黏著層的組成物，製造固化產物圖案的方法，製造光學組件的方法，製造電路板的方法，製造銘印模的方法，以及裝置組件审中-公开
简体标题：形成黏着层的组成物，制造固化产物图案的方法，制造光学组件的方法，制造电路板的方法，制造铭印模的方法，以及设备组件
公开(公告)号：TW201627460A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104144259
申请日：2015-12-29
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：本間猛 , HONMA, TAKESHI , 伊藤俊樹 , ITO, TOSHIKI , 大谷智教 , OTANI, TOMONORI
IPC分类号： C09J181/02 , C09J11/06 , G03F7/11 , B29C59/02 , B29C59/16 , H01L21/027 , G02B1/10 , H01L21/312 , H01L21/308
摘要：一種形成黏著層的組成物含有化合物(A)及化合物(B)，該化合物(A)含有烷氧基烷基及羥烷基(alkylol)之一或二者，每個分子中該烷氧基烷基及羥烷基之一的數目或每個分子中該烷氧基烷基和羥烷基之數目總計至少為5，該化合物(B)每個分子中含有至少兩個硫醇基。
简体摘要：一种形成黏着层的组成物含有化合物(A)及化合物(B)，该化合物(A)含有烷氧基烷基及羟烷基(alkylol)之一或二者，每个分子中该烷氧基烷基及羟烷基之一的数目或每个分子中该烷氧基烷基和羟烷基之数目总计至少为5，该化合物(B)每个分子中含有至少两个硫醇基。

49. 发明专利

TW201624128A 壓印用可光固化組成物、固化膜的製造方法、光學組件的製造方法、電路板的製造方法、及電子組件的製造方法审中-公开
简体标题：压印用可光固化组成物、固化膜的制造方法、光学组件的制造方法、电路板的制造方法、及电子组件的制造方法
公开(公告)号：TW201624128A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104141738
申请日：2015-12-11
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：坂本和美 , SAKAMOTO, KAZUMI , 伊藤俊樹 , ITO, TOSHIKI , 飯村晶子 , IIMURA, AKIKO , 加藤順 , KATO, JUN , 山下敬司 , YAMASHITA, KEIJI
IPC分类号： G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/26 , B29C59/16 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/308 , H01L21/265 , H05K3/10
CPC分类号： G03F7/0002 , C08F2/48 , C08F220/18 , C08F222/1006 , C08F2220/1841 , C08F2220/1875 , C08F2222/102 , G03F7/0005 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/031 , H01J37/30 , H01L21/0271 , H01L21/311 , H05K3/0011 , C08F2222/145 , C08F226/06
摘要：本發明關於在可凝結氣體的氛圍中壓印用之可光固化組成物。該組成物至少包括可聚合化合物組分(A)及光聚合引發劑組分(B)且滿足條件(1)：ECG值大於或等於2.30GPa，其中ECG表示藉由使該壓印用可光固化組成物在含有濃度為90體積%或更高之可凝結氣體的氛圍中曝露於200mJ/cm2之曝露劑量的光所製備之光固化膜的降低模數(GPa)。
简体摘要：本发明关于在可凝结气体的氛围中压印用之可光固化组成物。该组成物至少包括可聚合化合物组分(A)及光聚合引发剂组分(B)且满足条件(1)：ECG值大于或等于2.30GPa，其中ECG表示借由使该压印用可光固化组成物在含有浓度为90体积%或更高之可凝结气体的氛围中曝露于200mJ/cm2之曝露剂量的光所制备之光固化膜的降低模数(GPa)。

50. 发明专利

TW201621088A 微影蝕刻用洗淨液、及基板之洗淨方法审中-公开
简体标题：微影蚀刻用洗净液、及基板之洗净方法
公开(公告)号：TW201621088A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104135440
申请日：2015-10-28
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊谷智 , KUMAGAI, TOMOYA , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 菅原每 , SUGAWARA, MAI
IPC分类号： C23G1/20 , C23F1/02 , H01L21/308
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23F11/10 , C23G1/16
摘要：本發明課題在於提供一種不僅蝕刻處理後所殘留之殘渣物的去除性能優異，對選自由鈷及其合金所成之群中的至少1種金屬的腐蝕抑制機能亦優良的微影蝕刻用洗淨液、及使用該洗淨液的基板之洗淨方法。解決手段為，本發明之微影蝕刻用洗淨液係含有羥胺、由羥胺以外之胺化合物及四級銨氫氧化物所成之群中選出的至少1種鹼性化合物、及水，且pH為8以上。上述洗淨液較佳使用於包含選自由鈷及其合金所成之群中的至少1種金屬的基板之洗淨。又，上述洗淨液中，較佳的是羥胺的含量為6質量%以上、及/或、pH為11以上。或者，上述洗淨液較佳進一步含有有機酸。
简体摘要：本发明课题在于提供一种不仅蚀刻处理后所残留之残渣物的去除性能优异，对选自由钴及其合金所成之群中的至少1种金属的腐蚀抑制机能亦优良的微影蚀刻用洗净液、及使用该洗净液的基板之洗净方法。解决手段为，本发明之微影蚀刻用洗净液系含有羟胺、由羟胺以外之胺化合物及四级铵氢氧化物所成之群中选出的至少1种碱性化合物、及水，且pH为8以上。上述洗净液较佳使用于包含选自由钴及其合金所成之群中的至少1种金属的基板之洗净。又，上述洗净液中，较佳的是羟胺的含量为6质量%以上、及/或、pH为11以上。或者，上述洗净液较佳进一步含有有机酸。

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