专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TW201304404A 研磨方法、壓電振動片之製造方法、壓電振動子、振盪器、電子機器及電波時鐘审中-公开
简体标题：研磨方法、压电振动片之制造方法、压电振动子、振荡器、电子机器及电波时钟
公开(公告)号：TW201304404A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101108644
申请日：2012-03-14
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：藤平洋一 , FUJIHIRA, YOUICHI
IPC分类号： H03H3/04 , B24B37/013 , B24B37/04 , H03H9/21
CPC分类号： G04R20/10 , B24B37/042 , B24B37/08 , H03H9/1021 , H03H9/215 , H03H2003/0492
摘要：〔課題〕提升研磨時之晶圓之厚度精度。〔解決手段〕一種被保持於上定盤(151)和下定盤(152)之間之載體(157)的水晶晶圓(音叉基板)(155)之研磨方法，在載體(157)配置厚度測量用之AT切割晶圓(156)，與水晶晶圓(音叉基板)(155)同時研磨該AT切割晶圓(156)，並檢測出該AT切割晶圓(156)之諧振頻率，而根據該檢測結果，控制水晶晶圓(音叉基板)(155)之厚度。
简体摘要：〔课题〕提升研磨时之晶圆之厚度精度。〔解决手段〕一种被保持于上定盘(151)和下定盘(152)之间之载体(157)的水晶晶圆(音叉基板)(155)之研磨方法，在载体(157)配置厚度测量用之AT切割晶圆(156)，与水晶晶圆(音叉基板)(155)同时研磨该AT切割晶圆(156)，并检测出该AT切割晶圆(156)之谐振频率，而根据该检测结果，控制水晶晶圆(音叉基板)(155)之厚度。

42. 发明专利

TW202026105A 研磨裝置、研磨方法及機器學習裝置审中-公开
简体标题：研磨设备、研磨方法及机器学习设备
公开(公告)号：TW202026105A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108134237
申请日：2019-09-23
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：鈴木佑多 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： B24B49/10 , B24B37/013 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種改善了膜厚的測定精度的研磨裝置、研磨方法以及機器學習裝置。研磨單元(3A)具有狀態取得部(846)和學習部(848)。狀態取得部(846)能夠取得狀態變數，該狀態變數包括與構成研磨單元(3A)的頂環(31A)等的狀態有關的資料、及與半導體晶圓(16)的狀態有關的資料中的至少一個。學習部(848)藉由類神經網路學習完畢狀態變數與半導體晶圓(16)的膜厚的變化的關係，並且該學習部能夠從狀態取得部(846)輸入狀態變數來預測變化、及/或能夠從狀態取得部(846)輸入狀態變數來判斷變化為異常。
简体摘要：本发明提供一种改善了膜厚的测定精度的研磨设备、研磨方法以及机器学习设备。研磨单元(3A)具有状态取得部(846)和学习部(848)。状态取得部(846)能够取得状态变量，该状态变量包括与构成研磨单元(3A)的顶环(31A)等的状态有关的数据、及与半导体晶圆(16)的状态有关的数据中的至少一个。学习部(848)借由类神经网络学习完毕状态变量与半导体晶圆(16)的膜厚的变化的关系，并且该学习部能够从状态取得部(846)输入状态变量来预测变化、及/或能够从状态取得部(846)输入状态变量来判断变化为异常。

43. 发明专利

TWI674170B 研磨方法及研磨裝置有权
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TWI674170B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106143718
申请日：2012-10-24
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12

44. 发明专利

TW201910054A 研磨墊及其製造方法以及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨垫及其制造方法以及研磨方法
公开(公告)号：TW201910054A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106126585
申请日：2017-08-07
申请人：智勝科技股份有限公司 , IV TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：吳宗儒 , WU, CHUNG-RU , 白昆哲 , PAI, KUN-CHE
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/013
摘要：一種研磨墊，包括研磨層、至少一偵測窗、黏著層、離型層及偵測窗保護層。研磨層具有彼此相對的研磨面及背面。至少一偵測窗位於研磨層中。黏著層配置於研磨層的背面下方，且黏著層具有至少一第一開口暴露出至少一偵測窗。離型層配置於黏著層的下方，且離型層具有至少一第二開口暴露出至少一偵測窗。偵測窗保護層連接於離型層且橫跨至少一第二開口。
简体摘要：一种研磨垫，包括研磨层、至少一侦测窗、黏着层、离型层及侦测窗保护层。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。至少一侦测窗位于研磨层中。黏着层配置于研磨层的背面下方，且黏着层具有至少一第一开口暴露出至少一侦测窗。离型层配置于黏着层的下方，且离型层具有至少一第二开口暴露出至少一侦测窗。侦测窗保护层连接于离型层且横跨至少一第二开口。

45. 发明专利

TWI635929B 研磨裝置及研磨狀態監視方法有权
简体标题：研磨设备及研磨状态监视方法
公开(公告)号：TWI635929B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103123123
申请日：2014-07-04
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：小林洋一 , KOBAYASHI, YOICHI , 渡辺和英 , WATANABE, KATSUHIDE , 塩川陽一 , SHIOKAWA, YOICHI , 八木圭太 , YAGI, KEITA , 木下将毅 , KINOSHITA, MASAKI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12

46. 发明专利

TWI611867B 半導體晶圓之兩面研磨方法及其兩面研磨裝置有权
简体标题：半导体晶圆之两面研磨方法及其两面研磨设备
公开(公告)号：TWI611867B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105132516
申请日：2016-10-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：佐藤真美 , SATO, MAMI
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/08 , B24B49/10 , B24B49/16 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/08 , B24B49/10 , B24B49/16 , H01L21/304

47. 发明专利

TWI598186B 研磨方法及研磨裝置有权
简体标题：研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TWI598186B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW103114641
申请日：2014-04-23
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：金馬利文 , KIMBA, TOSHIFUMI
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/013
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625

48. 发明专利

TWI589395B 用於控制拋光的Ｘ射線量測有权
简体标题：用于控制抛光的Ｘ射线量测
公开(公告)号：TWI589395B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW103109700
申请日：2014-03-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 涂文強 , TU, WEN-CHIANG
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/00
CPC分类号： B24B49/12 , B24B37/013

49. 发明专利

TWI589394B 化學機械研磨基板的方法及研磨系統有权
简体标题：化学机械研磨基板的方法及研磨系统
公开(公告)号：TWI589394B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102138706
申请日：2013-10-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：許昆 , XU, KUN , 沈世豪 , SHEN, SHIH HAUR , 劉子宇 , LIU, TZU YU , 卡爾森伊格馬 , CARLSSON, INGEMAR , 依拉維尼寒森G , IRAVANI, HASSAN G. , 史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A. , 涂文強 , TU, WEN-CHIANG , 班尼特杜里E , BENNETT, DOYLE E.
IPC分类号： B24B37/013
CPC分类号： B24B37/013 , B24B7/228 , B24B37/048

50. 发明专利

TW201622884A 監控硏磨製程的方法及其硏磨系統审中-公开
简体标题：监控研磨制程的方法及其研磨系统
公开(公告)号：TW201622884A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103146420
申请日：2014-12-31
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION , 智勝科技股份有限公司 , IV TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：蘇振玄 , SU, CHENG HSUAN , 陳義元 , CHEN, YI YUAN , 陳志銘 , CHEN, CHIH MING
IPC分类号： B24B37/013
摘要：一種監控研磨製程的方法及其研磨系統。監控研磨製程的方法包括下列步驟。利用研磨頭以及一研磨墊對複數個研磨物件依序進行一研磨製程。收集已研磨之研磨物件在研磨製程中的個別壓力訊號值。利用壓力訊號值計算出移動基準。設定監控範圍，利用移動基準及監控範圍，作為接續之研磨物件的監控標準，以監控研磨製程。此外，適用於上述監控研磨製程的方法的研磨系統亦被提出。
简体摘要：一种监控研磨制程的方法及其研磨系统。监控研磨制程的方法包括下列步骤。利用研磨头以及一研磨垫对复数个研磨对象依序进行一研磨制程。收集已研磨之研磨对象在研磨制程中的个别压力信号值。利用压力信号值计算出移动基准。设置监控范围，利用移动基准及监控范围，作为接续之研磨对象的监控标准，以监控研磨制程。此外，适用于上述监控研磨制程的方法的研磨系统亦被提出。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式