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41. 发明专利

TW201837989A 磊晶晶圓之製造方法與製造設備审中-公开
简体标题：磊晶晶圆之制造方法与制造设备
公开(公告)号：TW201837989A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106145378
申请日：2017-12-22
申请人：南韓商愛思開矽得榮股份有限公司 , SK SILTRON CO., LTD.
发明人：金人天 , KIM, IN CHEON
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
摘要：依照實施例，一種透過在基座上裝載的晶圓上形成磊晶層的磊晶晶圓之製造方法包含針對晶圓的各個厚度圖案，預先確定磊晶層的磊晶製程條件，磊晶層具有能夠補償晶圓的總厚度變化的配置相匹配的厚度剖面，使用基座上裝載的晶圓之中央區域內的第一厚度變動與邊緣區域內的第二厚度變動，確定晶圓的厚度圖案，以及在預先確定的這些磊晶製程條件中，在確定的厚度圖案所對應的磊晶製程條件下在晶圓上形成磊晶層。這些磊晶製程條件包含載體氣體的供應量、來源氣體的供應量、供氣閥的開/關度、基座的旋轉速度或者基座的高度至少其一。
简体摘要：依照实施例，一种透过在基座上装载的晶圆上形成磊晶层的磊晶晶圆之制造方法包含针对晶圆的各个厚度图案，预先确定磊晶层的磊晶制程条件，磊晶层具有能够补偿晶圆的总厚度变化的配置相匹配的厚度剖面，使用基座上装载的晶圆之中央区域内的第一厚度变动与边缘区域内的第二厚度变动，确定晶圆的厚度图案，以及在预先确定的这些磊晶制程条件中，在确定的厚度图案所对应的磊晶制程条件下在晶圆上形成磊晶层。这些磊晶制程条件包含载体气体的供应量、来源气体的供应量、供气阀的开/关度、基座的旋转速度或者基座的高度至少其一。

42. 发明专利

TW201835978A 半導體裝置的形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备的形成方法
公开(公告)号：TW201835978A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107108084
申请日：2018-03-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳志宏 , CHEN, CHIH HUNG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/302
摘要：在一實施例中，方法包括進行自限式製程，以修飾晶圓的上表面；在完成自限式製程之後，自晶圓移除修飾的上表面；以及重複進行自限式製程與自晶圓移除修飾的上表面的製程，直到晶圓厚度減少至預定厚度。
简体摘要：在一实施例中，方法包括进行自限式制程，以修饰晶圆的上表面；在完成自限式制程之后，自晶圆移除修饰的上表面；以及重复进行自限式制程与自晶圆移除修饰的上表面的制程，直到晶圆厚度减少至预定厚度。

43. 发明专利

TW201834025A 電容式微加工超音波換能器及相關設備和方法审中-公开
简体标题：电容式微加工超音波换能器及相关设备和方法
公开(公告)号：TW201834025A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107106726
申请日：2018-02-26
申请人：美商蝴蝶網路公司 , BUTTERFLY NETWORK, INC.
发明人：羅斯貝格強納森M , ROTHBERG, JONATHAN M. , 法菲凱斯G , FIFE, KEITH G. , 阿里蘇珊A , ALIE, SUSAN A. , 盧茨基喬瑟夫 , LUTSKY, JOSEPH , 格羅斯讓大衛 , GROSJEAN, DAVID
IPC分类号： H01L21/20 , B06B1/02
摘要：用於製造電容式微加工超音波換能器(CMUT)的製程以及具有各種的摻雜配置的CMUT係被描述。一分開CMUT的導電層的絕緣層可以藉由在一輕摻雜的磊晶半導體層上形成該層來加以形成。摻雜物可以從一半導體基板被擴散到該磊晶半導體層中，而不擴散到該絕緣層中。具有不同的N型及P型摻雜的配置之CMUT亦加以敘述。
简体摘要：用于制造电容式微加工超音波换能器(CMUT)的制程以及具有各种的掺杂配置的CMUT系被描述。一分开CMUT的导电层的绝缘层可以借由在一轻掺杂的磊晶半导体层上形成该层来加以形成。掺杂物可以从一半导体基板被扩散到该磊晶半导体层中，而不扩散到该绝缘层中。具有不同的N型及P型掺杂的配置之CMUT亦加以叙述。

44. 发明专利

TW201834024A 雷射照射裝置、薄膜電晶體及薄膜電晶體之製造方法审中-公开
简体标题：激光照射设备、薄膜晶体管及薄膜晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW201834024A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139790
申请日：2017-11-16
申请人：日商V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD. , 日商堺顯示器製品股份有限公司 , SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION
发明人：水村通伸 , MIZUMURA, MICHINOBU , 野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 松島吉明 , MATSUSHIMA, YOSHIAKI , 田中優數 , TANAKA, MASAKAZU , 松本隆夫 , MATSUMOTO, TAKAO
IPC分类号： H01L21/20
摘要：因雷射光能量密度參差不齊，使玻璃基板所包含的薄膜電晶體的特性產生參差不齊，在使用於液晶顯示裝置時會發生顯示不均。本發明的雷射照射裝置包括：光源，其產生雷射光；投射透鏡，其對被玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個所包覆的非晶矽薄膜的指定區域照射雷射光；以及投射光罩圖案，其設在投射透鏡上，並設有複數個開口部，以使雷射光被照射到複數個薄膜電晶體的各個之上，其中投射透鏡對於移動至指定方向的玻璃基板上的複數個薄膜電晶體，藉由投射光罩圖案照射雷射光，投射光罩圖案設在正交於移動方向的一列上並且開口部不連續。
简体摘要：因激光光能量密度参差不齐，使玻璃基板所包含的薄膜晶体管的特性产生参差不齐，在使用于液晶显示设备时会发生显示不均。本发明的激光照射设备包括：光源，其产生激光光；投射透镜，其对被玻璃基板上的复数个薄膜晶体管的各个所包覆的非晶硅薄膜的指定区域照射激光光；以及投射光罩图案，其设在投射透镜上，并设有复数个开口部，以使激光光被照射到复数个薄膜晶体管的各个之上，其中投射透镜对于移动至指定方向的玻璃基板上的复数个薄膜晶体管，借由投射光罩图案照射激光光，投射光罩图案设在正交于移动方向的一列上并且开口部不连续。

45. 发明专利

TWI635275B 清淨度評價方法、洗淨條件決定方法以及矽晶圓之製造方法有权
简体标题：清净度评价方法、洗净条件决定方法以及硅晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI635275B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106106372
申请日：2017-02-24
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：村松崇志 , MURAMATSU, TAKASHI , 加藤宏和 , KATO, HIROKAZU
IPC分类号： G01N27/62 , G01N1/28 , H01L21/205 , C30B15/00 , C30B35/00 , C30B29/06 , C23C16/44 , H01L21/20

46. 发明专利

TW201831406A 氧化物半導體以及半導體裝置审中-公开
简体标题：氧化物半导体以及半导体设备
公开(公告)号：TW201831406A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107106205
申请日：2018-02-23
申请人：日商國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：菊地直人 , KIKUCHI, NAOTO , 相浦義弘 , AIURA, YOSHIHIRO , 三溝朱音 , SAMIZO, AKANE , 池田紳太郎 , IKEDA, SHINTAROU
IPC分类号： C01G19/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , H01L21/20 , H01L21/329 , H01L29/24 , H01L29/73 , H01L29/861 , H01L31/042
摘要：本發明提供一種在氧化物半導體中可以實現p型半導體，且具備透明性、遷移率、耐候性等的優異的氧化物半導體以及一種具備該氧化物半導體的半導體裝置。解決手段是提供一種氧化物半導體，具有包括燒綠石結構的結晶結構，並且由包括自Nb以及Ta中選出的至少一種以上的元素以及Sn元素的複合氧化物構成，藉由前述複合氧化物中Sn4+相對於Sn總含量的比例Sn4+/（Sn2++Sn4+）為0.124≤Sn4+/（Sn2++Sn4+）≤0.148，實現電洞成為電荷載體的氧化物半導體。
简体摘要：本发明提供一种在氧化物半导体中可以实现p型半导体，且具备透明性、迁移率、耐候性等的优异的氧化物半导体以及一种具备该氧化物半导体的半导体设备。解决手段是提供一种氧化物半导体，具有包括烧绿石结构的结晶结构，并且由包括自Nb以及Ta中选出的至少一种以上的元素以及Sn元素的复合氧化物构成，借由前述复合氧化物中Sn4+相对于Sn总含量的比例Sn4+/（Sn2++Sn4+）为0.124≤Sn4+/（Sn2++Sn4+）≤0.148，实现电洞成为电荷载体的氧化物半导体。

47. 发明专利

TW201826396A 磊晶矽晶圓的製造方法、磊晶矽晶圓及固體攝像元件的製造方法审中-公开
简体标题：磊晶硅晶圆的制造方法、磊晶硅晶圆及固体摄像组件的制造方法
公开(公告)号：TW201826396A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106124965
申请日：2017-07-25
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：柾田亜由美 , MASADA, AYUMI
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/26 , H01L27/146
摘要：本發明提供一種藉由發揮更高的吸除能力而可抑制金屬污染的磊晶矽晶圓及其製造方法。包括矽晶圓10、矽晶圓10上的第1矽磊晶層12、對第1矽磊晶層12的表層部注入碳而成的第1改質層14、以及第1改質層14上的第2矽磊晶層16的磊晶矽晶圓100的製造方法的特徵在於：將第2矽磊晶層16形成後的第1改質層14中的氧濃度分佈的峰值濃度設為2×1017atoms/cm3以下，且將第2矽磊晶層16的氧濃度設為SIMS檢測下限值以下。
简体摘要：本发明提供一种借由发挥更高的吸除能力而可抑制金属污染的磊晶硅晶圆及其制造方法。包括硅晶圆10、硅晶圆10上的第1硅磊晶层12、对第1硅磊晶层12的表层部注入碳而成的第1改质层14、以及第1改质层14上的第2硅磊晶层16的磊晶硅晶圆100的制造方法的特征在于：将第2硅磊晶层16形成后的第1改质层14中的氧浓度分布的峰值浓度设为2×1017atoms/cm3以下，且将第2硅磊晶层16的氧浓度设为SIMS检测下限值以下。

48. 发明专利

TWI629381B 半導體製造方法與半導體層有权
简体标题：半导体制造方法与半导体层
公开(公告)号：TWI629381B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105112669
申请日：2016-04-22
申请人：宸鴻光電科技股份有限公司 , TPK TOUCH SOLUTIONS INC.
发明人：林建宏 , LIN, JIAN HONG , 劉振宇 , LIU, CHEN YU
IPC分类号： C30B1/02 , C30B29/06 , H01L21/20

49. 发明专利

TW201824359A 鈷填充金屬化的裝置及方法审中-公开
简体标题：钴填充金属化的设备及方法
公开(公告)号：TW201824359A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106129747
申请日：2017-08-31
申请人：格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：卡米納尼威瑪 , KAMINENI, VIMAL , 凱利詹姆士 , KELLY, JAMES , 艾杜蘇米利普哈尼特 , ADUSUMILLI, PRANEET , 史崔坦奧斯卡凡德 , STRATEN, OSCAR VAN DER , 布哈納薩希哈南巴拉蘇布哈瑪尼安 , PRANATHARTHIHARAN, BALASUBRAMANIAN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
摘要：本發明提供透過鈷填充金屬化製造積體電路裝置的裝置及方法。一種方法包含：提供具有至少一溝槽的一中間半導體裝置；在該裝置上形成至少一半導體材料層；在該第二層上沉積一第一鈷(Co)層；及在該裝置上進行一退火迴焊製程。也提供中間半導體裝置。一種中間半導體裝置，包括：至少一溝槽，其形成在該裝置內，該溝槽具有一底部及側壁；至少一半導體材料層，其設置在該裝置上；一第一Co層，其設置在該至少一半導體材料層上，其中該至少一半導體材料層包括至少一第一半導體材料及一第二半導體材料。
简体摘要：本发明提供透过钴填充金属化制造集成电路设备的设备及方法。一种方法包含：提供具有至少一沟槽的一中间半导体设备；在该设备上形成至少一半导体材料层；在该第二层上沉积一第一钴(Co)层；及在该设备上进行一退火回焊制程。也提供中间半导体设备。一种中间半导体设备，包括：至少一沟槽，其形成在该设备内，该沟槽具有一底部及侧壁；至少一半导体材料层，其设置在该设备上；一第一Co层，其设置在该至少一半导体材料层上，其中该至少一半导体材料层包括至少一第一半导体材料及一第二半导体材料。

50. 发明专利

TW201822255A 形成經摻雜鍺的方法审中-公开
简体标题：形成经掺杂锗的方法
公开(公告)号：TW201822255A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106131374
申请日：2017-09-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：黃奕樵 , HUANG, YI-CHIAU , 仲華 , CHUNG, HUA , 龔聖欽 , KUNG, SHENG-CHIN , 李學斌 , LI, XUEBIN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/22 , H01L21/324
摘要：本文所述的實施方式大致上關於用於在基板上沉積層的方法及系統，且更具體而言，關於用於在含矽表面上形成摻雜硼或摻雜鎵的鍺的方法。在一個實施方式中，提供處理基板之方法。該方法包括以下步驟：將具有曝露的矽－鍺表面及曝露的介電質表面的基板曝露於預處理製程，在該曝露的矽－鍺表面上選擇性地沉積摻雜硼或摻雜鎵的層，及將該基板曝露於後處理製程。
简体摘要：本文所述的实施方式大致上关于用于在基板上沉积层的方法及系统，且更具体而言，关于用于在含硅表面上形成掺杂硼或掺杂镓的锗的方法。在一个实施方式中，提供处理基板之方法。该方法包括以下步骤：将具有曝露的硅－锗表面及曝露的介电质表面的基板曝露于预处理制程，在该曝露的硅－锗表面上选择性地沉积掺杂硼或掺杂镓的层，及将该基板曝露于后处理制程。

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