基本信息:
- 专利标题： 氧化物半導體以及半導體裝置
- 专利标题（英）：酸化物半導体及び半導体装置
- 专利标题（中）：氧化物半导体以及半导体设备
- 申请号：TW107106205 申请日：2018-02-23
- 公开(公告)号：TW201831406A 公开(公告)日：2018-09-01
- 发明人： 菊地直人 , KIKUCHI, NAOTO , 相浦義弘 , AIURA, YOSHIHIRO , 三溝朱音 , SAMIZO, AKANE , 池田紳太郎 , IKEDA, SHINTAROU
- 申请人： 日商國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 专利权人： 日商國立研究開發法人產業技術總合研究所,NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 当前专利权人： 日商國立研究開發法人產業技術總合研究所,NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 代理人： 侯德銘
- 优先权： 2017-032112 20170223
- 主分类号： C01G19/00
- IPC分类号： C01G19/00 ; C01G33/00 ; C01G35/00 ; H01L21/20 ; H01L21/329 ; H01L29/24 ; H01L29/73 ; H01L29/861 ; H01L31/042
摘要：
本發明提供一種在氧化物半導體中可以實現p型半導體，且具備透明性、遷移率、耐候性等的優異的氧化物半導體以及一種具備該氧化物半導體的半導體裝置。解決手段是提供一種氧化物半導體，具有包括燒綠石結構的結晶結構，並且由包括自Nb以及Ta中選出的至少一種以上的元素以及Sn元素的複合氧化物構成，藉由前述複合氧化物中Sn4+相對於Sn總含量的比例Sn4+/（Sn2++Sn4+）為0.124≤Sn4+/（Sn2++Sn4+）≤0.148，實現電洞成為電荷載體的氧化物半導體。
摘要（中）：
本发明提供一种在氧化物半导体中可以实现p型半导体，且具备透明性、迁移率、耐候性等的优异的氧化物半导体以及一种具备该氧化物半导体的半导体设备。解决手段是提供一种氧化物半导体，具有包括烧绿石结构的结晶结构，并且由包括自Nb以及Ta中选出的至少一种以上的元素以及Sn元素的复合氧化物构成，借由前述复合氧化物中Sn4+相对于Sn总含量的比例Sn4+/（Sn2++Sn4+）为0.124≤Sn4+/（Sn2++Sn4+）≤0.148，实现电洞成为电荷载体的氧化物半导体。
公开/授权文献:
- TWI675005B 氧化物半導體以及半導體裝置 公开/授权日：2019-10-21