专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

TW200303378A 半導體薄膜之形成方法及半導體薄膜之形成裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A SEMICONDUCTOR THIN FILM 失效
简体标题：半导体薄膜之形成方法及半导体薄膜之形成设备 METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A SEMICONDUCTOR THIN FILM
公开(公告)号：TW200303378A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091137104
申请日：2002-12-24
申请人：液晶先端技術開發中心股份有限公司 ADVANCED LCD TECHNOLOGIES DEVELOPMENT CENTER CO., LTD
发明人：松村正清 MASAKIYO MATSUMURA , 西谷幹彥 MIKIHIKO NISHITANI , 木村嘉伸 YOSHINOBU KIMURA , 十文字正之 MASAYUKI JYUMONJI , 谷口幸夫 YUKIO TANIGUCHI , 平松雅人 MASATO HIRAMATSU , 中野文樹 FUMIKI NAKANO
IPC分类号： C30B
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/06 , B23K26/066 , B23K2201/40 , C30B1/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016
摘要：一種在絕緣材所構成的基層上形成結晶性良好的半導體薄膜之半導體薄膜之形成方法及半導體薄膜之形成裝置。該半導體薄膜之形成裝置包括：作為光源之準分子雷射(excimerlaser)1；使從該準分子雷射1射出的光的光強度分佈均勻化之均勻器(homogenizer)3；以光強度分佈經均勻器3均勻化後的光的振幅在光相對於非晶質基板9的相對運動方向增加的方式進行振幅調變之振幅調變光罩5；將振幅經振幅調變遮罩5調變過的光，以可得到預定的照射能量之方式投射在形成於非晶質基板9上的非單結晶半導體層10上之投射光學系6；在光的照射面內設置溫度低的點之移相器(phaseshifter)8；以及使光與非晶質基板9相對運動而可進行X、Y方向掃描之基板台。
简体摘要：一种在绝缘材所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜之半导体薄膜之形成方法及半导体薄膜之形成设备。该半导体薄膜之形成设备包括：作为光源之准分子激光(excimerlaser)1；使从该准分子激光1射出的光的光强度分布均匀化之均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调制之振幅调制光罩5；将振幅经振幅调制遮罩5调制过的光，以可得到预定的照射能量之方式投射在形成于非晶质基板9上的非单结晶半导体层10上之投射光学系6；在光的照射面内设置温度低的点之移相器(phaseshifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描之基板台。

42. 发明专利

TW517101B 單晶提拉裝置中防止加熱器電極熔損之裝置失效
简体标题：单晶提拉设备中防止加热器电极熔损之设备
公开(公告)号：TW517101B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW086103342
申请日：1997-03-18
申请人：三菱麻鐵里亞爾硅材料股份有限公司 , 三菱麻鐵里亞爾股份有限公司
发明人：齋藤正夫 , 若林大介 , 熱海貴 , 降屋久
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B15/18 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1088
摘要：本發明係有關供給坩堝103加熱器104電流所用導電性金屬電極5，5熔損之防止。單晶提拉裝置包括包住坩堝103的加熱器104，和該對電極5，5，其分別螺栓到該加熱器104所具一對石墨中間電極6，及一電壓源9其係用以供應電力給該對電極5，5。一開關11將電力打開和關閉。一瓦小時計10a連續地測量流經加熱器104的電流。本案發明人研究顯示於中間電極6的下端部份有龜裂8的情況中，會在電極5，5熔損之前在該龜裂8中發生放電現象導致測得之電流值發生微小起伏。所以，若瓦特計10a所測電流值中的起伏超出容限範圍時，控制器12即關掉該開關11，因而中斷給電極5，5的電力，及防止電極5，5發生熔損。
简体摘要：本发明系有关供给坩埚103加热器104电流所用导电性金属电极5，5熔损之防止。单晶提拉设备包括包住坩埚103的加热器104，和该对电极5，5，其分别螺栓到该加热器104所具一对石墨中间电极6，及一电压源9其系用以供应电力给该对电极5，5。一开关11将电力打开和关闭。一瓦小时计10a连续地测量流经加热器104的电流。本案发明人研究显示于中间电极6的下端部份有龟裂8的情况中，会在电极5，5熔损之前在该龟裂8中发生放电现象导致测得之电流值发生微小起伏。所以，若瓦特计10a所测电流值中的起伏超出容限范围时，控制器12即关掉该开关11，因而中断给电极5，5的电力，及防止电极5，5发生熔损。

43. 发明专利

TWI513846B 用以輸送氣體至電漿處理設備中之射頻驅動電極的射頻扼流器有权
简体标题：用以输送气体至等离子处理设备中之射频驱动电极的射频扼流器
公开(公告)号：TWI513846B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW097126827
申请日：2008-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫德拉裘茲福 , KUDELA, JOZEF , 索倫森卡爾A , SORENSEN, CARL A. , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/455 , H05H1/46
CPC分类号： H01F17/06 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01F27/08 , H01F2017/065 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J2237/0206 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008

44. 发明专利

TWI485293B 於生長製程中用於控制矽晶錠直徑的方法與設備有权
简体标题：于生长制程中用于控制硅晶锭直径的方法与设备
公开(公告)号：TWI485293B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW098121375
申请日：2009-06-25
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 濟斯喬 , KEARNS, JOEL , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI , 泰特沃克 , TODT, VOLKER
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032

45. 发明专利

TWI424102B 從熔體中生長矽單晶的方法和裝置有权
简体标题：从熔体中生长硅单晶的方法和设备
公开(公告)号：TWI424102B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099112843
申请日：2010-04-23
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：菲勒皮歐特 , FILAR, PIOTR
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068

46. 发明专利

TW201128434A 在晶體成長期間修正實際與標稱拉昇速度之間的速度偏差的方法 METHOD FOR CORRECTING SPEED DEVIATIONS BETWEEN ACTUAL AND NOMINAL PULL SPEED DURING CRYSTAL GROWTH 审中-公开
简体标题：在晶体成长期间修正实际与标称拉升速度之间的速度偏差的方法 METHOD FOR CORRECTING SPEED DEVIATIONS BETWEEN ACTUAL AND NOMINAL PULL SPEED DURING CRYSTAL GROWTH
公开(公告)号：TW201128434A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099130677
申请日：2010-09-10
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , 勝高股份有限公司
发明人：歐夏畢諾 , 高梨啟一
IPC分类号： G06F , C30B
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/20 , G05B11/06 , Y10T117/1008
摘要：一種系統及方法修正晶體拉升機構中之晶體拉升馬達速度偏差。在第一實施例中，處理器藉由基於先前狀態及自當時起行進之標稱距離估計新濾波器狀態，且隨後基於亦為所述行進之標稱距離之函數的估計誤差及濾波器增益而更新所述濾波器狀態來實施追蹤濾波器。在第二實施例中，諧波追蹤濾波器抑制殘餘諧波調變，且允許短時間常數。因此可修正拉升速度之快速變化。
简体摘要：一种系统及方法修正晶体拉升机构中之晶体拉升马达速度偏差。在第一实施例中，处理器借由基于先前状态及自当时起行进之标称距离估计新滤波器状态，且随后基于亦为所述行进之标称距离之函数的估计误差及滤波器增益而更新所述滤波器状态来实施追踪滤波器。在第二实施例中，谐波追踪滤波器抑制残余谐波调制，且允许短时间常数。因此可修正拉升速度之快速变化。

47. 发明专利

TW201040329A 從熔體中生長矽單晶的方法和裝置 A METHOD AND AN APPARATUS FOR GROWING A SILICON SINGLE CRYSTAL FROM A MELT 审中-公开
简体标题：从熔体中生长硅单晶的方法和设备 A METHOD AND AN APPARATUS FOR GROWING A SILICON SINGLE CRYSTAL FROM A MELT
公开(公告)号：TW201040329A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099112843
申请日：2010-04-23
申请人：世創電子材料公司
发明人：菲勒皮歐特
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要：本發明係關於一種從熔體中生長矽單晶的方法和裝置。該方法包括：在一坩堝中提供該熔體；在該熔體上施加一水平磁場，該磁場在場中心C具有一磁感應B；將氣體在該矽單晶與一熱遮蔽體之間導向一熔體自由表面；以及控制該氣體流過該熔體自由表面之一區域，該區域係於一實質上垂直於該磁感應B的方向上延伸。該裝置包括：一用於承載熔體的坩堝；一用於在該熔體上施加一水平磁場之磁系統，該磁場在磁場中心C具有一磁感應B；一圍繞該矽單晶的熱遮蔽體，該熱遮蔽體具有一連接至一面對一熔體自由表面之底蓋的下端，且相對於坩堝之中心軸M具有一非軸對稱形狀，從而使得在該矽單晶和該熱遮蔽體之間導向熔體自由表面的氣體受該底蓋驅使而流過該熔體自由表面之一區域，該區域係於一實質上垂直於該磁感應B的方向上延伸。
简体摘要：本发明系关于一种从熔体中生长硅单晶的方法和设备。该方法包括：在一坩埚中提供该熔体；在该熔体上施加一水平磁场，该磁场在场中心C具有一磁感应B；将气体在该硅单晶与一热屏蔽体之间导向一熔体自由表面；以及控制该气体流过该熔体自由表面之一区域，该区域系于一实质上垂直于该磁感应B的方向上延伸。该设备包括：一用于承载熔体的坩埚；一用于在该熔体上施加一水平磁场之磁系统，该磁场在磁场中心C具有一磁感应B；一围绕该硅单晶的热屏蔽体，该热屏蔽体具有一连接至一面对一熔体自由表面之底盖的下端，且相对于坩埚之中心轴M具有一非轴对称形状，从而使得在该硅单晶和该热屏蔽体之间导向熔体自由表面的气体受该底盖驱使而流过该熔体自由表面之一区域，该区域系于一实质上垂直于该磁感应B的方向上延伸。

48. 发明专利

TWI288948B 結晶化材料之裝置與方法 APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING MATERIAL 失效
简体标题：结晶化材料之设备与方法 APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING MATERIAL
公开(公告)号：TWI288948B
公开(公告)日：2007-10-21
申请号：TW092109412
申请日：2003-04-22
申请人：液晶先端技術開發中心股份有限公司 ADVANCED LCD TECHNOLOGIES DEVELOPMENT CENTER CO., LTD.
发明人：谷口幸夫 TANIGUCHI, YUKIO , 松村正清 MASAKIYO MATSUMURA , 山口弘高 YAMAGUCHI, HIROTAKA , 西谷幹彥 MIKIHIKO NISHITANI , 川晉 TSUJIKAWA, SUSUMU , 木村嘉伸 YOSHINOBU KIMURA , 十文字正之 MASAYUKI JYUMONJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S117/90 , Y10S117/904 , Y10S117/905 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一結晶化裝置之構成，其中具備有：一照明在相位位移遮罩(1)的照明系統(2)；以及一成像光學系統(3)配置於相位位移遮罩和半導體膜(4)之間的光路中。在對應相位位移部的部分，將光強度的最小逆波峰圖案的光強度分布的光，照射在半導體膜而形成結晶化半導體膜。照明系統具有供給規定波長範圍的光源。成像光學系統配置有光學共軛的相位位移遮罩和半導體膜，在中間部具有相對應規定波長範圍的像差以便在半導體膜上形成沒有強度起伏的逆波峰圖案之光強度分布。
简体摘要：一结晶化设备之构成，其中具备有：一照明在相位位移遮罩(1)的照明系统(2)；以及一成像光学系统(3)配置于相位位移遮罩和半导体膜(4)之间的光路中。在对应相位位移部的部分，将光强度的最小逆波峰图案的光强度分布的光，照射在半导体膜而形成结晶化半导体膜。照明系统具有供给规定波长范围的光源。成像光学系统配置有光学共轭的相位位移遮罩和半导体膜，在中间部具有相对应规定波长范围的像差以便在半导体膜上形成没有强度起伏的逆波峰图案之光强度分布。

49. 发明专利

TWI240770B 在一半導體長晶過程中控制拉晶成長之方法及系統 METHOD AND SYSTEM OF CONTROLLING TAPER GROWTH IN A SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH PROCESS 失效
简体标题：在一半导体长晶过程中控制拉晶成长之方法及系统 METHOD AND SYSTEM OF CONTROLLING TAPER GROWTH IN A SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH PROCESS
公开(公告)号：TWI240770B
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW089106408
申请日：2000-04-12
申请人： MEMC電子材料公司 MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人：史帝芬 L. 金伯 , 羅勃 R. 懷安三世
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/22 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一種依據拉晶斜率來控制半導體單晶拉晶部分之成長的方法及系統。晶體驅動單元以目標拉出速率，將成長晶體從熔融液中拉出，該目標拉出速率會依照起始速率分佈，給拉晶成長用。控制器以相對於晶體長度變化的晶體直徑變化為函數，計算拉晶斜率。該控制器接著以拉晶斜率量測值與目標拉晶斜率之間差額的函數，產生錯誤信號，並以該錯誤信號為函數，提供拉出速率校正值給晶體驅動單元。再來，晶體驅動單元依據拉出速率校正值，調節拉出速率，以降低拉晶斜率量測值與目標拉晶斜率之間的差額。目標拉晶斜率是由一般具有指數分量與線性分量的函數所定義。
简体摘要：一种依据拉晶斜率来控制半导体单晶拉晶部分之成长的方法及系统。晶体驱动单元以目标拉出速率，将成长晶体从熔融液中拉出，该目标拉出速率会依照起始速率分布，给拉晶成长用。控制器以相对于晶体长度变化的晶体直径变化为函数，计算拉晶斜率。该控制器接着以拉晶斜率量测值与目标拉晶斜率之间差额的函数，产生错误信号，并以该错误信号为函数，提供拉出速率校正值给晶体驱动单元。再来，晶体驱动单元依据拉出速率校正值，调节拉出速率，以降低拉晶斜率量测值与目标拉晶斜率之间的差额。目标拉晶斜率是由一般具有指数分量与线性分量的函数所定义。

50. 发明专利

TWI239266B 鑽石生產裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DIAMOND PRODUCTION 有权
简体标题：钻石生产设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DIAMOND PRODUCTION
公开(公告)号：TWI239266B
公开(公告)日：2005-09-11
申请号：TW091132813
申请日：2002-11-07
申请人：美國華盛頓卡內基協會 CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON , UAB研究基金會 THE UAB RESEARCH FOUNDATION
发明人：魯塞爾J. 賀蒙利 RUSSELL J. HEMLEY , 毛厚廣 HO-KWANG MAO , 楊祺秀 CHIH-SHIUE YAN , 猶吉須K. 弗賀瑞 YOGESH K. VOHRA
IPC分类号： B01J
CPC分类号： C30B25/105 , C30B25/12 , C30B29/04 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/108
摘要：一種在一沈積室內用於生長鑽石的裝置，該裝置包含用以夾持一鑽石且用以造成鄰接該鑽石之一成長表面的一邊緣的該鑽石之一側表面的熱接觸之熱吸收夾持器、一種被安置以測量穿過該鑽石之成長表面的鑽石溫度之非接觸溫度量測元件以及一種用以接收一從該非接觸溫度量測元件的溫度量測且控制該成長表面的溫度使得所有穿過該成長表面的溫度梯度係低於20℃之主要程序控制器。用於生長鑽石的方法包含安置鑽石於一夾持器中使得造成鄰接該鑽石之一成長表面的一邊緣之該鑽石的一側表面之熱接觸；測量該鑽石之成長表面的溫度以生成溫度量測；基於溫度量測控制該成長表面的溫度；以及藉由在該成長表面上之微波電漿化學蒸氣沈積法生長單晶鑽石，其中該鑽石的成長速率係大於每小時1微米。
简体摘要：一种在一沉积室内用于生长钻石的设备，该设备包含用以夹持一钻石且用以造成邻接该钻石之一成长表面的一边缘的该钻石之一侧表面的热接触之热吸收夹持器、一种被安置以测量穿过该钻石之成长表面的钻石温度之非接触温度量测组件以及一种用以接收一从该非接触温度量测组件的温度量测且控制该成长表面的温度使得所有穿过该成长表面的温度梯度系低于20℃之主要进程控制器。用于生长钻石的方法包含安置钻石于一夹持器中使得造成邻接该钻石之一成长表面的一边缘之该钻石的一侧表面之热接触；测量该钻石之成长表面的温度以生成温度量测；基于温度量测控制该成长表面的温度；以及借由在该成长表面上之微波等离子化学蒸气沉积法生长单晶钻石，其中该钻石的成长速率系大于每小时1微米。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式