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1. 发明专利

TW200523987A 增加經由利用經修正罩幕圖案之連續橫向結晶所製成之多晶粒寬度的系統及方法 SYSTEM AND METHOD OF ENHANCING THE WIDTH OF POLYCRYSTALLINE GRAINS PRODUCED VIA SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION USING A MODIFIED MASK PATTERN 失效
简体标题：增加经由利用经修正罩幕图案之连续横向结晶所制成之多晶粒宽度的系统及方法 SYSTEM AND METHOD OF ENHANCING THE WIDTH OF POLYCRYSTALLINE GRAINS PRODUCED VIA SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION USING A MODIFIED MASK PATTERN
公开(公告)号：TW200523987A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093128077
申请日：2004-09-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , Y10S117/904
摘要：本案提供一種系統、方法與遮罩配置，用以加強以修改之遮罩圖案藉由順序側向固化所產生之多結晶晶粒的寬度。一例示的遮罩圖案係使用多列之鑽石型或圓型區，用以控制垂直於主要結晶方向之晶粒的寬度。
简体摘要：本案提供一种系统、方法与遮罩配置，用以加强以修改之遮罩图案借由顺序侧向固化所产生之多结晶晶粒的宽度。一例示的遮罩图案系使用多列之钻石型或圆型区，用以控制垂直于主要结晶方向之晶粒的宽度。

2. 发明专利

TW460981B 半導體薄膜的雷射退火方法及薄膜半導體裝置失效
简体标题：半导体薄膜的激光退火方法及薄膜半导体设备
公开(公告)号：TW460981B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW084102368
申请日：1995-03-13
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：前川茂樹 , 川村哲也 , 古田守 , 宮田豐
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , Y10S117/904 , Y10S148/09 , Y10S148/093 , Y10S148/122
摘要：提供半導體薄膜的雷射退火方法，以輪廓包含直線部之剖面的雷射束照射半導體薄膜，以改變半導體薄膜的晶性，其中當雷射束在異於沿著直線部的方向移動時，以雷射束重疊照射半導體薄膜。也提供使用雷射退火方法所製的薄膜半導體裝置。
简体摘要：提供半导体薄膜的激光退火方法，以轮廓包含直线部之剖面的激光束照射半导体薄膜，以改变半导体薄膜的晶性，其中当激光束在异于沿着直线部的方向移动时，以激光束重叠照射半导体薄膜。也提供使用激光退火方法所制的薄膜半导体设备。

3. 发明专利

TW321690B 製造多結晶半導體薄膜之方法失效
简体标题：制造多结晶半导体薄膜之方法
公开(公告)号：TW321690B
公开(公告)日：1997-12-01
申请号：TW083105160
申请日：1994-06-07
申请人：富士電機股份有限公司
发明人：淺野明彥
IPC分类号： C30B
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02686 , Y10S117/904 , Y10S117/905 , Y10S148/048 , Y10S148/071
摘要：在將一基質上所沈積之一非結晶半導體施以部分結晶化以後，再施以紅外線之照射，以便藉熱分解生成該結晶化區及該非結晶區上之一多結晶半導體層，同時將該結晶化區之溫度保持高於該非結晶區之溫度。由於該多結晶層係由以該結晶化區之核心所生成之多結晶顆粒構成，故其晶粒頗大。
简体摘要：在将一基质上所沉积之一非结晶半导体施以部分结晶化以后，再施以红外线之照射，以便藉热分解生成该结晶化区及该非结晶区上之一多结晶半导体层，同时将该结晶化区之温度保持高于该非结晶区之温度。由于该多结晶层系由以该结晶化区之内核所生成之多结晶颗粒构成，故其晶粒颇大。

4. 发明专利

TW201030810A 具吸附槽之固態攝影元件用磊晶基板、半導體裝置、背照式固態攝影元件及其製造方法 EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING GETTERING SINKS FOR SOLID-STATE IMAGE SENSOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, BACK-ILLUMINATED TYPE SOLID-STATE IMAGE SENSOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具吸附槽之固态摄影组件用磊晶基板、半导体设备、背照式固态摄影组件及其制造方法 EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING GETTERING SINKS FOR SOLID-STATE IMAGE SENSOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, BACK-ILLUMINATED TYPE SOLID-STATE IMAGE SENSOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201030810A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098135130
申请日：2009-10-16
申请人：勝高股份有限公司
发明人：栗田一成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/268 , C30B29/06 , H01L21/322 , H01L27/14603 , H01L27/14698 , Y10S117/904
摘要：將半導體晶圓設置於雷射照射裝置中,一方面使半導體晶圓移動一方面照射雷射束。此時,自雷射發生裝置出射的雷射束藉由聚光用透鏡而以聚光點(焦點)達到自半導體晶圓的一面算起為數十微米左右深的位置的方式而聚光。藉此,該深度位置上的半導體晶圓的結晶構造得到重組,從而形成吸附槽。
简体摘要：将半导体晶圆设置于激光照射设备中,一方面使半导体晶圆移动一方面照射激光束。此时,自激光发生设备出射的激光束借由聚光用透镜而以聚光点(焦点)达到自半导体晶圆的一面算起为数十微米左右深的位置的方式而聚光。借此,该深度位置上的半导体晶圆的结晶构造得到重组,从而形成吸附槽。

5. 发明专利

TWI256185B 雷射照射方法、雷射照射裝置以及半導體裝置之製造方法 LASER IRRADIATION METHOD AND LASER IRRADIATION APPARATUS, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：激光照射方法、激光照射设备以及半导体设备之制造方法 LASER IRRADIATION METHOD AND LASER IRRADIATION APPARATUS, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI256185B
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW091132085
申请日：2002-10-29
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI , 田中幸一郎 TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01L21/02691 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L21/268 , Y10S117/904
摘要：當在適當的條件下，雷射光束照射到半導體膜上時，與雷射光束的掃描方向相關半導體膜可被晶化為類似單晶的晶粒(雷射退火)。本發明研究了最有效的雷射退火條件。當其上形成半導體膜的矩形基底的一側的長度為b時，掃描速度為V，獲得相對於基底的雷射光束的掃描速度V所需的加速度為g，且當滿足V=(gb/5.477)1/2時，雷射退火所需的時間最短。使加速度g為常數，但是，當它為時間的函數時，其時間平均值可用於替代該常數。
简体摘要：当在适当的条件下，激光光束照射到半导体膜上时，与激光光束的扫描方向相关半导体膜可被晶化为类似单晶的晶粒(激光退火)。本发明研究了最有效的激光退火条件。当其上形成半导体膜的矩形基底的一侧的长度为b时，扫描速度为V，获得相对于基底的激光光束的扫描速度V所需的加速度为g，且当满足V=(gb/5.477)1/2时，激光退火所需的时间最短。使加速度g为常数，但是，当它为时间的函数时，其时间平均值可用于替代该常数。

6. 发明专利

TW200607008A 光照射裝置、結晶化裝置、結晶化方法及產品 LIGHT IRRADIATION APPARATUS, CRYSTALLIZATION APPARATUS, CRYSTALLIZATION METHOD AND DEVICE 审中-公开
简体标题：光照射设备、结晶化设备、结晶化方法及产品 LIGHT IRRADIATION APPARATUS, CRYSTALLIZATION APPARATUS, CRYSTALLIZATION METHOD AND DEVICE
公开(公告)号：TW200607008A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094124998
申请日：2005-07-22
申请人：液晶先端技術開發中心股份有限公司 ADVANCED LCD TECHNOLOGIES DEVELOPMENT CENTER CO., LTD.
发明人：谷口幸夫 YUKIO TANIGUCHI , 松村正清 MASAKIYO MATSUMURA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/066 , G03F1/34 , G03F7/70283 , H01L21/2026 , Y10S117/904
摘要：一種光照射裝置包含：一光調變元件(1)，其具有一相位段差(phase step)，該相位段差具備實質異於180°之相倍差；一照明光學系統(10)，其照明該光調變元件；及一影像形成光學系統(4)，其以一經該光調變元件調變相位之光束為基礎，在一照射表面上形成一光強度分佈。該照明光學系統用一照明光束照明該光調變元件，該照明光束以一正交於該相位段差之一段差線(step line)的方向傾斜。
简体摘要：一种光照射设备包含：一光调制组件(1)，其具有一相位段差(phase step)，该相位段差具备实质异于180°之相倍差；一照明光学系统(10)，其照明该光调制组件；及一影像形成光学系统(4)，其以一经该光调制组件调制相位之光束为基础，在一照射表面上形成一光强度分布。该照明光学系统用一照明光束照明该光调制组件，该照明光束以一正交于该相位段差之一段差线(step line)的方向倾斜。

7. 发明专利

TW200401333A 結晶化材料之裝置與方法 APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING MATERIAL 失效
简体标题：结晶化材料之设备与方法 APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING MATERIAL
公开(公告)号：TW200401333A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：TW092109412
申请日：2003-04-22
申请人：液晶先端技術開發中心股份有限公司 ADVANCED LCD TECHNOLOGIES DEVELOPMENT CENTER CO., LTD
发明人：谷口幸夫 TANIGUCHI, YUKIO , 松村正清 MASAKIYO MATSUMURA , 山口弘高 YAMAGUCHI, HIROTAKA , 西谷幹彥 MIKIHIKO NISHITANI , 川晉 TSUJIKAWA, SUSUMU , 木村嘉伸 YOSHINOBU KIMURA , 十文字正之 MASAYUKI JYUMONJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S117/90 , Y10S117/904 , Y10S117/905 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一結晶化裝置之構成，其中具備有：一照明在相位位移遮罩（1）的照明系統（2）；以及一成像光學系統（3）配置於相位位移遮罩和半導體膜（4）之間的光路中。在對應相位位移部的部分，將光強度的最小逆波峰圖案的光強度分布的光，照射在半導體膜而形成結晶化半導體膜。照明系統具有供給規定波長範圍的光源。成像光學系統配置有光學共軛的相位位移遮罩和半導體膜，在中間部具有相對應規定波長範圍的像差以便在半導體膜上形成沒有強度起伏的逆波峰圖案之光強度分布。
简体摘要：一结晶化设备之构成，其中具备有：一照明在相位位移遮罩（1）的照明系统（2）；以及一成像光学系统（3）配置于相位位移遮罩和半导体膜（4）之间的光路中。在对应相位位移部的部分，将光强度的最小逆波峰图案的光强度分布的光，照射在半导体膜而形成结晶化半导体膜。照明系统具有供给规定波长范围的光源。成像光学系统配置有光学共轭的相位位移遮罩和半导体膜，在中间部具有相对应规定波长范围的像差以便在半导体膜上形成没有强度起伏的逆波峰图案之光强度分布。

8. 发明专利

TWI366859B 增加經由利用經修正罩幕圖案之連續橫向結晶所製成之多晶粒寬度的系統及方法 SYSTEM AND METHOD OF ENHANCING THE WIDTH OF POLYCRYSTALLINE GRAINS PRODUCED VIA SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION USING A MODIFIED MASK PATTERN 失效
简体标题：增加经由利用经修正罩幕图案之连续横向结晶所制成之多晶粒宽度的系统及方法 SYSTEM AND METHOD OF ENHANCING THE WIDTH OF POLYCRYSTALLINE GRAINS PRODUCED VIA SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION USING A MODIFIED MASK PATTERN
公开(公告)号：TWI366859B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW093128077
申请日：2004-09-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會
发明人：埃恩詹姆士S
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , Y10S117/904
摘要：本案提供一種系統、方法與遮罩配置，用以加強以修改之遮罩圖案藉由順序側向固化所產生之多結晶晶粒的寬度。一例示的遮罩圖案係使用多列之鑽石型或圓型區，用以控制垂直於主要結晶方向之晶粒的寬度。
简体摘要：本案提供一种系统、方法与遮罩配置，用以加强以修改之遮罩图案借由顺序侧向固化所产生之多结晶晶粒的宽度。一例示的遮罩图案系使用多列之钻石型或圆型区，用以控制垂直于主要结晶方向之晶粒的宽度。

9. 发明专利

TWI360847B 半導體裝置之製造方法及顯示裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及显示设备
公开(公告)号：TWI360847B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：TW097109677
申请日：2008-03-19
申请人：新力股份有限公司
发明人：荒井俊明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1285 , H01L27/3211 , H01L51/5281 , Y10S117/904
摘要：本發明在使用複數照射光學系統之情形，也可抑制在各照射光學系統之雷射射束強度誤差之影響。在利用複數照射光學系統照射能量射束之退火步驟中，將前述能量射束之照射區域區分成由各照射光學系統單獨照射射束之單一射束照射區域11A、11B與由相鄰之二個照射光學系統雙方照射射束之境界區域12AB，將前述境界區域12AB區分為由一方照射光學系統照射射束部分之第一照射部PA與由他方照射光學系統照射射束部分之第二照射部PB，使被前述第一照射部PA照射射束之薄膜電晶體形成區域與被前述第二照射部PB照射射束之薄膜電晶體形成區域在前述境界區域12AB上之二維方向分別混在一起。
简体摘要：本发明在使用复数照射光学系统之情形，也可抑制在各照射光学系统之激光射束强度误差之影响。在利用复数照射光学系统照射能量射束之退火步骤中，将前述能量射束之照射区域区分成由各照射光学系统单独照射射束之单一射束照射区域11A、11B与由相邻之二个照射光学系统双方照射射束之境界区域12AB，将前述境界区域12AB区分为由一方照射光学系统照射射束部分之第一照射部PA与由他方照射光学系统照射射束部分之第二照射部PB，使被前述第一照射部PA照射射束之薄膜晶体管形成区域与被前述第二照射部PB照射射束之薄膜晶体管形成区域在前述境界区域12AB上之二维方向分别混在一起。

10. 发明专利

TW200425282A 用於處理以連續橫向固化技術結晶之複數個半導體薄膜的系統及製程 SYSTEM AND PROCESS FOR PROCESSING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR THIN FILMS WHICH ARE CRYSTALLIZED USING SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION TECHNIQUES 审中-公开
简体标题：用于处理以连续横向固化技术结晶之复数个半导体薄膜的系统及制程 SYSTEM AND PROCESS FOR PROCESSING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR THIN FILMS WHICH ARE CRYSTALLIZED USING SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION TECHNIQUES
公开(公告)号：TW200425282A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093104151
申请日：2004-02-19
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/0673 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/067 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/128 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , Y10S117/904 , Y10T428/24802
摘要：一種製程與系統被提供用以處理多數半導體膜層樣品之每一半導體膜層樣品之至少一部份。於這些製程與系統中，輻射束源被控制以發射呈預定重複率之連續輻射束脈衝。使用如此發射的輻射束脈衝，半導體膜層樣品之一的至少一部份係以一第一順序橫向固化(SLS)技術及／或一第一均勻小晶粒材料(UGS)技術加以照射，以處理第一樣品的此等部份。於完成第一樣品之此部份處理時，再度導引該輻射束脈衝以碰撞該等半導體膜層樣品之一第二樣品的至少一部份。然後，使用該再被導引的輻射束脈衝，以一第二SLS技術及／或一第二UGS技術照射該第二樣品的此等部份，以處理該第二樣品的至少一部份。該第一及第二技術可以彼此不同或者實質上相同。
简体摘要：一种制程与系统被提供用以处理多数半导体膜层样品之每一半导体膜层样品之至少一部份。于这些制程与系统中，辐射束源被控制以发射呈预定重复率之连续辐射束脉冲。使用如此发射的辐射束脉冲，半导体膜层样品之一的至少一部份系以一第一顺序横向固化(SLS)技术及／或一第一均匀小晶粒材料(UGS)技术加以照射，以处理第一样品的此等部份。于完成第一样品之此部份处理时，再度导引该辐射束脉冲以碰撞该等半导体膜层样品之一第二样品的至少一部份。然后，使用该再被导引的辐射束脉冲，以一第二SLS技术及／或一第二UGS技术照射该第二样品的此等部份，以处理该第二样品的至少一部份。该第一及第二技术可以彼此不同或者实质上相同。

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