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41. 发明专利

TW200515592A 串聯閘極薄膜電晶體及影像偵測器 TANDEM-GATE TFT AND IMAGE DETECTOR 审中-公开
简体标题：串联闸极薄膜晶体管及影像侦测器 TANDEM-GATE TFT AND IMAGE DETECTOR
公开(公告)号：TW200515592A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW093131305
申请日：2004-10-15
申请人：瀚宇彩晶股份有限公司 HANNSTAR DISPLAY CORPORATION.
发明人：林威全 LIN, WEI CHUAN , 楊界雄 YANG, KEI HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14658 , H01L29/78645
摘要：一種影像偵測器，包括一接地線及一儲存電容。儲存電容包括連接接地線之下導電層，及藉由絕緣層和下導電層絕緣之上導電層。一薄膜電晶體係控制儲存在儲存電容之電荷，其中薄膜電晶體包括至少兩個電性連接之通道。
简体摘要：一种影像侦测器，包括一接地线及一存储电容。存储电容包括连接接地线之下导电层，及借由绝缘层和下导电层绝缘之上导电层。一薄膜晶体管系控制存储在存储电容之电荷，其中薄膜晶体管包括至少两个电性连接之信道。

42. 发明专利

TW200415946A 圖像顯示裝置审中-公开
简体标题：图像显示设备
公开(公告)号：TW200415946A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW093100688
申请日：2004-01-12
申请人：奇美電子股份有限公司 CHI MEI OPTOELECTRONICS CORP.
发明人： 村隆俊 , 三和宏一 , 大元嗣
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L27/14658
摘要：本發明之課題在於提供一種圖像顯示裝置，其係可以長時間顯示圖像者。本發明之解決方法為於具有透光性基板1上，具有：薄膜電晶體2及薄膜電晶體3，其係構成驅動電路者；導電層4，其係連接後述信號線或掃描線之用者；導電層5，其係連接薄膜電晶體2與薄膜電晶體3者；及陽極配線層6，其係與薄膜電晶體3連接者。又於薄膜電晶體2及薄膜電晶體3上配置平坦化層7。而在陽極配線層6及平坦化層7上具有：發光元件12；及元件分離層11，其係每一顯示像素分離發光元件12之用者。由於該構造可低電流發光，故可抑制驅動元件之薄膜電晶體3之電氣變動，實現長時間穩定之圖像顯示。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种图像显示设备，其系可以长时间显示图像者。本发明之解决方法为于具有透光性基板1上，具有：薄膜晶体管2及薄膜晶体管3，其系构成驱动电路者；导电层4，其系连接后述信号线或扫描线之用者；导电层5，其系连接薄膜晶体管2与薄膜晶体管3者；及阳极配线层6，其系与薄膜晶体管3连接者。又于薄膜晶体管2及薄膜晶体管3上配置平坦化层7。而在阳极配线层6及平坦化层7上具有：发光组件12；及组件分离层11，其系每一显示像素分离发光组件12之用者。由于该构造可低电流发光，故可抑制驱动组件之薄膜晶体管3之电气变动，实现长时间稳定之图像显示。

43. 发明专利

TW540128B X光檢測儀陣列單元的製作方法有权
简体标题： X光检测仪数组单元的制作方法
公开(公告)号：TW540128B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091115597
申请日：2002-07-12
申请人：瀚宇彩晶股份有限公司
发明人：施博盛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14658 , H01L27/14687 , H01L27/14692
摘要：一種X光檢測儀陣列單元的製程。形成閘極於基底上。形成閘極絕緣層於閘極及基底上。形成矽島於位在電晶體區的閘極絕緣層上。形成共同線於閘極絕緣層上且形成源/汲極於矽島上而構成薄膜電晶體(TFT)。形成下電極於位在電容區的閘極氧化層上且覆蓋共同線。形成順應的鈍化層於閘極氧化層、下電極與TFT上。形成第一介層洞穿透鈍化層，露出源極表面。形成平坦化層於鈍化層上且填入第一介層洞。形成第二介層洞及第三介層洞穿透平坦化層，其中第二介層洞係露出源極表面，第三介層洞係露出位在電容區的鈍化層表面。形成上電極於部分平坦化層上，並與源極電性連接。
简体摘要：一种X光检测仪数组单元的制程。形成闸极于基底上。形成闸极绝缘层于闸极及基底上。形成硅岛于位在晶体管区的闸极绝缘层上。形成共同线于闸极绝缘层上且形成源/汲极于硅岛上而构成薄膜晶体管(TFT)。形成下电极于位在电容区的闸极氧化层上且覆盖共同线。形成顺应的钝化层于闸极氧化层、下电极与TFT上。形成第一介层洞穿透钝化层，露出源极表面。形成平坦化层于钝化层上且填入第一介层洞。形成第二介层洞及第三介层洞穿透平坦化层，其中第二介层洞系露出源极表面，第三介层洞系露出位在电容区的钝化层表面。形成上电极于部分平坦化层上，并与源极电性连接。

44. 发明专利

TWI615956B 輻射感測器及其製法有权
简体标题：辐射传感器及其制法
公开(公告)号：TWI615956B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW104135939
申请日：2010-06-17
申请人：美國密西根州立大學 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：安東尼克賴瑞E , ANTONUK, LARRY E.
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/208 , G01T1/2018 , G01T1/241 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/105

45. 发明专利

TWI601278B 光檢測裝置有权
简体标题：光检测设备
公开(公告)号：TWI601278B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105139293
申请日：2012-08-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L31/107

46. 发明专利

TW201534954A 光檢測器审中-公开
简体标题：光检测器
公开(公告)号：TW201534954A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103144638
申请日：2014-12-19
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 里健一 , SATO, KENICHI , 土屋龍太郎 , TSUCHIYA, RYUTARO
IPC分类号： G01T1/161 , G01T1/24 , H01L27/146 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/14663 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L31/1075 , H01L31/115
摘要：於本發明之光檢測器中，限定半導體區域14之外緣之邊界線BY係由信號讀出配線E3覆蓋，於半導體區域14與信號讀出配線E3之間構成電容器。載子之高頻成分(峰值成分)係經由電容器，快速提取至外部，藉由信號讀出配線E3覆蓋邊界線BY，使半導體之邊界線附近之電位穩定，輸出信號穩定。
简体摘要：于本发明之光检测器中，限定半导体区域14之外缘之边界线BY系由信号读出配线E3覆盖，于半导体区域14与信号读出配线E3之间构成电容器。载子之高频成分(峰值成分)系经由电容器，快速提取至外部，借由信号读出配线E3覆盖边界线BY，使半导体之边界线附近之电位稳定，输出信号稳定。

47. 发明专利

TW201505166A 放射線攝像裝置及放射線攝像顯示系統审中-公开
简体标题：放射线摄像设备及放射线摄像显示系统
公开(公告)号：TW201505166A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103120375
申请日：2014-06-12
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：山田泰弘 , YAMADA, YASUHIRO
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/24
CPC分类号： H01L27/14658 , H01L27/14616 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L29/42364 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78663 , H01L29/78672 , H01L29/7869 , H01L31/117 , H01L31/119 , H04N5/32 , H04N5/374
摘要：本發明之放射線攝像裝置包含：複數個像素，其等產生基於放射線之信號電荷；及場效型之電晶體，其用以自複數個像素讀出信號電荷；且電晶體包含：自基板側依序積層之第1矽氧化物膜、包含活性層之半導體層及第2矽氧化物膜；及第1閘極電極，其係隔著第1或第2氧化矽膜而與半導體層對向配置。第2矽氧化物膜之厚度大於等於第1矽氧化物膜之厚度。
简体摘要：本发明之放射线摄像设备包含：复数个像素，其等产生基于放射线之信号电荷；及场效型之晶体管，其用以自复数个像素读出信号电荷；且晶体管包含：自基板侧依序积层之第1硅氧化物膜、包含活性层之半导体层及第2硅氧化物膜；及第1闸极电极，其系隔着第1或第2氧化硅膜而与半导体层对向配置。第2硅氧化物膜之厚度大于等于第1硅氧化物膜之厚度。

48. 发明专利

TW201501281A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201501281A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103119948
申请日：2014-06-09
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：藤田一樹 , FUJITA, KAZUKI , 久島龍次 , KYUSHIMA, RYUJI , 森治通 , MORI, HARUMICHI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/3698 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L27/14661 , H01L27/14663 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H04N5/32 , H04N5/367 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明之固體攝像裝置1A包含感測器面板部10及讀取電路部40。感測器面板部10設置於玻璃基板12上，具有包含排列成M列N行之像素P1，1~PM，N之受光部20、列選擇用配線Q1~QM、及讀取用配線R1~RN。讀取電路部40設置於基板41上，具有N個積分電路42。於N個面板側連接點13與積分電路42之間的節點N1~NN與恒電位線71之間，連接有整流電路72。於節點N1~NN與讀取用配線R1~RN之間，連接有具有電阻成分之電路構成物73。藉此，即使於某行中產生列選擇用配線與讀取用配線之短路之情形時，亦可防止來自其他行之積分電路之輸出電壓值之異常。
简体摘要：本发明之固体摄像设备1A包含传感器皮肤部10及读取电路部40。传感器皮肤部10设置于玻璃基板12上，具有包含排列成M列N行之像素P1，1~PM，N之受光部20、列选择用配线Q1~QM、及读取用配线R1~RN。读取电路部40设置于基板41上，具有N个积分电路42。于N个皮肤侧连接点13与积分电路42之间的节点N1~NN与恒电位线71之间，连接有整流电路72。于节点N1~NN与读取用配线R1~RN之间，连接有具有电阻成分之电路构成物73。借此，即使于某行中产生列选择用配线与读取用配线之短路之情形时，亦可防止来自其他行之积分电路之输出电压值之异常。

49. 发明专利

TWI452699B 固體攝像裝置及包含其之Ｘ射線ＣＴ裝置有权
简体标题：固体摄像设备及包含其之Ｘ射线ＣＴ设备
公开(公告)号：TWI452699B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098103056
申请日：2009-01-23
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：藤田一樹 , FUJITA, KAZUKI , 森治通 , MORI, HARUMICHI , 久島龍次 , KYUSHIMA, RYUJI , 本田真彥 , HONDA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L31/00 , A61B6/03
CPC分类号： G01T1/247 , G01T1/249 , H01L27/14656 , H01L27/14658 , H04N5/32 , H04N5/3592 , H04N5/374

50. 发明专利

TW201143051A 共平面高填充係數像素架構 COPLANAR HIGH FILL FACTOR PIXEL ARCHITECTURE 审中-公开
简体标题：共平面高填充系数像素架构 COPLANAR HIGH FILL FACTOR PIXEL ARCHITECTURE
公开(公告)号：TW201143051A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099139602
申请日：2010-11-17
申请人：保健潮流健康公司
发明人：章傑夫辛 , 崔德沃提摩西J , 海勒葛列高里N
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14658 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L31/022408
摘要：一種像素,其包括接近於一基板之一第一表面之一掃描線及介於該基板之該第一表面與一光敏元件之一第一終端之間的一偏壓線,其中該偏壓線之一部分實質上平行於該掃描線。該像素亦可包括接近於該基板之該第一表面且對準該掃描線之至少一部分之一切換元件。該像素可包含接近於該基板之該第一表面且對準該偏壓線之至少一部分之該光敏元件。
简体摘要：一种像素,其包括接近于一基板之一第一表面之一扫描线及介于该基板之该第一表面与一光敏组件之一第一终端之间的一偏压线,其中该偏压线之一部分实质上平行于该扫描线。该像素亦可包括接近于该基板之该第一表面且对准该扫描线之至少一部分之一切换组件。该像素可包含接近于该基板之该第一表面且对准该偏压线之至少一部分之该光敏组件。

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