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41. 发明专利

TWI290544B 電子元件、介電體陶瓷組合物、以及其製造方法有权
简体标题：电子组件、介电体陶瓷组合物、以及其制造方法
公开(公告)号：TWI290544B
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW095110044
申请日：2006-03-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 KAZUSHIGE ITO , 佐藤陽 AKIRA SATO
IPC分类号： C04B , H01B , H01G
CPC分类号： H01G4/1227 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/30
摘要：一種介電體陶瓷組成物，至少包括：主成分，包含鈦酸鋇；第1副成分，包含選擇自MgO、CaO、BaO及SrO所組成之群組中至少1種；第2副成分，包含選擇自Al2O3、 Li2O及B2O3所組成之群組中至少1種；第3副成分，包含選擇自V2O5、MoO3及WO3所組成之群組中至少1種；第4副成分，包含R1之氧化物(但是，R1係選擇自Sc、Er、Tm、 Yb及Lu所組成之群組中至少1種)；以及第5副成分，包含CaZrO3或CaO+ZrO2。
简体摘要：一种介电体陶瓷组成物，至少包括：主成分，包含钛酸钡；第1副成分，包含选择自MgO、CaO、BaO及SrO所组成之群组中至少1种；第2副成分，包含选择自Al2O3、 Li2O及B2O3所组成之群组中至少1种；第3副成分，包含选择自V2O5、MoO3及WO3所组成之群组中至少1种；第4副成分，包含R1之氧化物(但是，R1系选择自Sc、Er、Tm、 Yb及Lu所组成之群组中至少1种)；以及第5副成分，包含CaZrO3或CaO+ZrO2。

42. 发明专利

TWI276126B 電子元件、介電體陶瓷器組合物、以及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE, DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME 失效
简体标题：电子组件、介电体陶瓷器组合物、以及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE, DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TWI276126B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW094144058
申请日：2005-12-13
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：柳田美幸 MIYUKI YAMAGIDA , 原治也 HARUYA HARA , 渡邊康夫 YASUO WATANABE , 佐藤陽 AKIRA SATO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/638 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/62645 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/441 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種介電體陶瓷器組成物製造方法，其特徵在於使用已反應的原料使含有鈦酸鋇的主成分原料以及含有R氧化物(R為Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、 Tb、Dy、Ho、Er、Tm中選擇出至少一者)的第四副成分原料的至少一者反應。根據本發明，提供一種不會使其他的電子特性(例如：靜電電容的溫度特性、絕緣電阻、絕緣電阻的加速壽命、靜電損失)惡化，且可提升相對介電率的介電體陶瓷器組成物以及其製造方法。
简体摘要：本发明提供一种介电体陶瓷器组成物制造方法，其特征在于使用已反应的原料使含有钛酸钡的主成分原料以及含有R氧化物(R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、 Tb、Dy、Ho、Er、Tm中选择出至少一者)的第四副成分原料的至少一者反应。根据本发明，提供一种不会使其他的电子特性(例如：静电电容的温度特性、绝缘电阻、绝缘电阻的加速寿命、静电损失)恶化，且可提升相对介电率的介电体陶瓷器组成物以及其制造方法。

43. 发明专利

TWI270902B 介電質瓷器組合物及電子元件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE 有权
简体标题：介电质瓷器组合物及电子组件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TWI270902B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW094135473
申请日：2005-10-12
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 KAZUSHIGE ITO , 佐藤陽 AKIRA SATO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B2311/22 , C04B35/628 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B35/6281 , C04B35/62815 , C04B35/62818 , C04B35/62823 , C04B35/62886 , C04B35/62889 , C04B35/62894 , C04B35/62897 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01B3/12 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , Y10T428/252 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995 , Y10T428/2996
摘要：提供確保高介電率與良好之溫度特性，且TC偏壓特性改善之積層陶瓷電容器。
根據本發明，可提供一種由介電質瓷器組合物所構成之積層陶瓷電容器1，係具有由介電質瓷器組合物所構成之介電質層2與內部電極層3交互積層之電容器元件本體10之積層陶瓷電容器1，前述介電質瓷器組合物，係具有在實質上由主成分所構成之核心22a之周圍，擁有副成分擴散至主成分之殼24a之複數介電質粒子之介電質瓷器組合物，其特徵在於：以表示平均粒徑值之介電質粒子為對象之情況時，前述殼24a之最大厚度t1與最小厚度t2之差(t1-t2)，係控制於前述介電體粒子之半徑R之6~60%。
简体摘要：提供确保高介电率与良好之温度特性，且TC偏压特性改善之积层陶瓷电容器。根据本发明，可提供一种由介电质瓷器组合物所构成之积层陶瓷电容器1，系具有由介电质瓷器组合物所构成之介电质层2与内部电极层3交互积层之电容器组件本体10之积层陶瓷电容器1，前述介电质瓷器组合物，系具有在实质上由主成分所构成之内核22a之周围，拥有副成分扩散至主成分之壳24a之复数介电质粒子之介电质瓷器组合物，其特征在于：以表示平均粒径值之介电质粒子为对象之情况时，前述壳24a之最大厚度t1与最小厚度t2之差(t1-t2)，系控制于前述介电体粒子之半径R之6~60%。

44. 发明专利

TWI263629B 層合型陶瓷電容器 LAMINATED CERAMIC CAPACITOR 有权
简体标题：层合型陶瓷电容器 LAMINATED CERAMIC CAPACITOR
公开(公告)号：TWI263629B
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：TW094105656
申请日：2005-02-24
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 ITO, KAZUSHIGE , 原治也 HARA, HARUYA , 井口俊宏 IGUCHI, TOSHIHIRO , 佐藤茂樹 SATO, SHIGEKI , 佐藤陽 SATO, AKIRA , 小島隆 KOJIMA, TAKASHI
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01B3/12 , H01G4/1227
摘要：本發明為提供容量溫度特性為滿足EIA規格之X8R特性且容量之經時變化小的層合型陶瓷電容器。
具有內含有鈦酸鋇做為主成分，和至少具有由MgO、CaO、BaO、及SrO所選出之至少一種所構成的第一副成分、和含有氧化矽做為主成分的第二副成分、和由 V2O5、MoO3及WO3所選出之至少一種所構成的第三副成分，和由R1之氧化物(但，R1為由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所選出之至少一種)所構成的第四副成分、和由CaZrO3或 CaO+ZrO2所構成的第五副成分、和由R2氧化物(但，R2為由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所選出之至少一種)所構成的第六副成分，且該各副成分相對於該鈦酸鋇100莫耳之比率為第一副成分：0.1~3莫耳、第二副成分：2~10莫耳、第三副成分：0.01~0.5莫耳、第四副成分：0.5~7莫耳(但，第四副成分之莫耳數為單獨R1的比率)、第五副成分：超過0且為5莫耳以下、第六副成分：超過0且為9莫耳以下之介電體磁器組成物的結晶粒子所構成之燒結體所形成的介電體層、與內部電極層為交互層合之層合體的層合型陶瓷電容器，經由令構成此介電體層之結晶粒子的平均粒徑為0.2μm以上0.55μm以下，則可解決上述課題。
简体摘要：本发明为提供容量温度特性为满足EIA规格之X8R特性且容量之经时变化小的层合型陶瓷电容器。具有内含有钛酸钡做为主成分，和至少具有由MgO、CaO、BaO、及SrO所选出之至少一种所构成的第一副成分、和含有氧化硅做为主成分的第二副成分、和由 V2O5、MoO3及WO3所选出之至少一种所构成的第三副成分，和由R1之氧化物(但，R1为由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所选出之至少一种)所构成的第四副成分、和由CaZrO3或 CaO+ZrO2所构成的第五副成分、和由R2氧化物(但，R2为由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所选出之至少一种)所构成的第六副成分，且该各副成分相对于该钛酸钡100莫耳之比率为第一副成分：0.1~3莫耳、第二副成分：2~10莫耳、第三副成分：0.01~0.5莫耳、第四副成分：0.5~7莫耳(但，第四副成分之莫耳数为单独R1的比率)、第五副成分：超过0且为5莫耳以下、第六副成分：超过0且为9莫耳以下之介电体磁器组成物的结晶粒子所构成之烧结体所形成的介电体层、与内部电极层为交互层合之层合体的层合型陶瓷电容器，经由令构成此介电体层之结晶粒子的平均粒径为0.2μm以上0.55μm以下，则可解决上述课题。

45. 发明专利

TW200631921A 電子元件、介電體陶瓷組合物、以及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE, DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND THE PRODUCTION METHOD 审中-公开
简体标题：电子组件、介电体陶瓷组合物、以及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE, DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND THE PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TW200631921A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095101709
申请日：2006-01-17
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 KAZUSHIGE ITO , 佐藤陽 AKIRA SATO
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： H01G4/1227 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種介電體陶瓷組合物包括：主成分，包含：含有Ba、Ca與Ti，且具有以一般式ABO3所表示的鈣鈦礦(perovskite)型結晶構造之化合物之主成分；以及含有Zr的化合物的第四副成分，其中，上述第四副成分相對於上述主成分100摩爾(moles)以Zr來換算係大於0摩爾且小於5摩爾。較佳地，上述介電體陶瓷組成物具有偏析相，上述偏析相含有Zr的化合物。
简体摘要：本发明提供一种介电体陶瓷组合物包括：主成分，包含：含有Ba、Ca与Ti，且具有以一般式ABO3所表示的钙钛矿(perovskite)型结晶构造之化合物之主成分；以及含有Zr的化合物的第四副成分，其中，上述第四副成分相对于上述主成分100摩尔(moles)以Zr来换算系大于0摩尔且小于5摩尔。较佳地，上述介电体陶瓷组成物具有偏析相，上述偏析相含有Zr的化合物。

46. 发明专利

TW200615989A 剝離層用糊料及積層型電子零件之製造方法失效
简体标题：剥离层用煳料及积层型电子零件之制造方法
公开(公告)号：TW200615989A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094126949
申请日：2005-08-09
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：石山保 TAMOTSU ISHIYAMA , 佐藤茂樹 SHIGEKI SATO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/63424 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6264 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/96 , H01G4/308 , H05K1/0306 , H05K3/207 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09881 , H05K2203/0156 , Y10T428/252
摘要：一種剝離層用糊料係製造用於製造積層型電子零件，其特徵在於：與含有品醇、二氫化品醇、品醇乙酸酯或二氫化品醇乙酸酯之電極層用糊料組合使用，包含陶瓷粉末、有機載劑、可塑劑與分散劑，前述有機載劑中之黏結劑，係以丙烯酸樹脂為主成分，前述丙烯酸樹脂，係以丙烯酸酯單體單位與甲基丙烯酯酸單體單位為主成分，由具有1～10mgKOH／g之酸價之共聚物所構成，前述陶瓷粉末與前述黏結劑以及可塑劑之比(P／B)，控制於0.67～5.56(其中，除了0.67與5.56)。
简体摘要：一种剥离层用煳料系制造用于制造积层型电子零件，其特征在于：与含有品醇、二氢化品醇、品醇乙酸酯或二氢化品醇乙酸酯之电极层用煳料组合使用，包含陶瓷粉末、有机载剂、可塑剂与分散剂，前述有机载剂中之黏结剂，系以丙烯酸树脂为主成分，前述丙烯酸树脂，系以丙烯酸酯单体单位与甲基丙烯酯酸单体单位为主成分，由具有1～10mgKOH／g之酸价之共聚物所构成，前述陶瓷粉末与前述黏结剂以及可塑剂之比(P／B)，控制于0.67～5.56(其中，除了0.67与5.56)。

47. 发明专利

TW200605113A 積層型陶瓷電容器失效
简体标题：积层型陶瓷电容器
公开(公告)号：TW200605113A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094121032
申请日：2005-06-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 ITO, KAZUSHIGE , 佐藤陽 SATO, AKIRA
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/62665 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706
摘要：本發明之積層型陶瓷電容器具有：含有鈦酸鋇之主成分；由MgO、CaO、BaO、與SrO之群所選擇之至少一種構成之第1副成分；以氧化矽為主成分含有之第2副成分；由V2O5、MoO3、與WO3之群所選擇之至少一種構成之第3副成分；由Sc、Er、Tm、Yb與Lu之群所選擇之至少一種之第1稀土類元素(R1)之氧化物構成之第4副成分；及由CaZrO3、或CaO與ZrO2之混合體(CaO＋ZrO2)構成之第5副成分；於構成介電體層之結晶粒子之中Zr被擴散，於平均粒徑之結晶粒子中，Zr之擴散層深度相對於結晶粒子之直徑成為10～35％之深度，因此容量之隨時間變化之容量溫度特性可以滿足EIA規格之X8R特性(－55～150℃、△C／C＝±15％以內)，加速試驗之電阻變化率小(平均壽命變長)，具有極高信賴性。
简体摘要：本发明之积层型陶瓷电容器具有：含有钛酸钡之主成分；由MgO、CaO、BaO、与SrO之群所选择之至少一种构成之第1副成分；以氧化硅为主成分含有之第2副成分；由V2O5、MoO3、与WO3之群所选择之至少一种构成之第3副成分；由Sc、Er、Tm、Yb与Lu之群所选择之至少一种之第1稀土类元素(R1)之氧化物构成之第4副成分；及由CaZrO3、或CaO与ZrO2之混合体(CaO＋ZrO2)构成之第5副成分；于构成介电体层之结晶粒子之中Zr被扩散，于平均粒径之结晶粒子中，Zr之扩散层深度相对于结晶粒子之直径成为10～35％之深度，因此容量之随时间变化之容量温度特性可以满足EIA规格之X8R特性(－55～150℃、△C／C＝±15％以内)，加速试验之电阻变化率小(平均寿命变长)，具有极高信赖性。

48. 发明专利

TW200540137A 介電陶瓷粉末之製造方法及複合介電材料之製造方法 METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC POWDER AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE DIELECTRIC MATERIAL 审中-公开
简体标题：介电陶瓷粉末之制造方法及复合介电材料之制造方法 METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC POWDER AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE DIELECTRIC MATERIAL
公开(公告)号：TW200540137A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094112580
申请日：2005-04-20
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：金田功 KANADA, ISAO , 本典正 SAKAMOTO, NORIMASA
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： H05K1/0373 , C01B13/145 , C01G23/006 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62625 , C04B35/64 , C04B35/803 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , H05K3/1291 , H05K2201/0209 , H05K2203/1126
摘要：本發明係提供一種介電陶瓷粉末的製造方法，其係即使在使用以粉碎法所得到之粉末時，亦可確保與樹脂之混合物的流動性。本發明係藉由介電陶瓷粉末之製造方法，確保與樹脂之混合物的流動性當然係可得到優異之介電特性的複合介電材料。前述介電陶瓷粉末的製造方法，其係具備如下步驟：第1燒成步驟，係藉由將原料組成物保持於第1溫度，以得到第1燒成物；第1粉碎步驟，係粉碎第1燒成物而得到第1粉碎物；第2燒成步驟，係藉由將第1粉碎物保持於低於第1溫度之第2溫度，以得到第2燒成物；第2粉碎步驟，係粉碎第2燒成物而得到第2粉碎物。
简体摘要：本发明系提供一种介电陶瓷粉末的制造方法，其系即使在使用以粉碎法所得到之粉末时，亦可确保与树脂之混合物的流动性。本发明系借由介电陶瓷粉末之制造方法，确保与树脂之混合物的流动性当然系可得到优异之介电特性的复合介电材料。前述介电陶瓷粉末的制造方法，其系具备如下步骤：第1烧成步骤，系借由将原料组成物保持于第1温度，以得到第1烧成物；第1粉碎步骤，系粉碎第1烧成物而得到第1粉碎物；第2烧成步骤，系借由将第1粉碎物保持于低于第1温度之第2温度，以得到第2烧成物；第2粉碎步骤，系粉碎第2烧成物而得到第2粉碎物。

49. 发明专利

TWI243389B 綠薄板用塗料、綠薄板、綠薄板製造方法以及電子元件製造方法(一) 失效
简体标题：绿薄板用涂料、绿薄板、绿薄板制造方法以及电子组件制造方法(一)
公开(公告)号：TWI243389B
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：TW093107434
申请日：2004-03-19
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：小林央始 HISASHI KOBAYASHI , 阿部曉太朗 KYOTARO ABE , 佐藤茂樹 SHIGEKI SATO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/6342 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/6264 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明係包括：陶瓷粉體、以丁縮醛系樹脂作為主成分之黏合劑樹脂和溶劑的綠薄板用塗料。溶劑係包括：良好地溶解黏合劑樹脂之比較低沸點之第1溶媒和高於第1溶媒之高沸點之第2溶媒。第2溶媒之沸點係在130～230℃之範圍。第2溶媒係相對於溶劑整體100質量％而包含5～70質量％、更加理想是8～52質量％。
简体摘要：本发明系包括：陶瓷粉体、以丁缩醛系树脂作为主成分之黏合剂树脂和溶剂的绿薄板用涂料。溶剂系包括：良好地溶解黏合剂树脂之比较低沸点之第1溶媒和高于第1溶媒之高沸点之第2溶媒。第2溶媒之沸点系在130～230℃之范围。第2溶媒系相对于溶剂整体100质量％而包含5～70质量％、更加理想是8～52质量％。

50. 发明专利

TW200531955A 介電體磁器組成物、層合型陶瓷電容器及其製造方法审中-公开
简体标题：介电体磁器组成物、层合型陶瓷电容器及其制造方法
公开(公告)号：TW200531955A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW094105440
申请日：2005-02-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：井口俊宏 IGUCHI, TOSHIHIRO , 原治也 HARA, HARUYA , 伊東和重 ITO, KAZUSHIGE , 佐藤陽 SATO, AKIRA , 佐藤茂樹 SATO, SHIGEKI , 小島隆 KOJIMA, TAKASHI
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/62665 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明之課題係提供滿足X8R特性，並且平均故障壽命長及／或壽命偏差小之介電體磁器組成物以及具備此介電體磁器組成物的層合型陶瓷電容器。其解決手段係於鈦酸鋇之莫耳數視為100莫耳且相對地表示各成分之莫耳數時，含有鈦酸鋇、和由Mg氧化物、Ca氧化物、Ba氧化物及Sr氧化物所選出之至少一種的第一副成分、和1莫耳中含有Si原子1莫耳之氧化物的第二副成分、和由V氧化物、Mo氧化物及W氧化物所選出之至少一種的第三副成分、和至少含有一種R^1氧化物(R^1為由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所選出之至少一種)的第四副成分、和至少含有一種R^2氧化物(R^2為由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所選出之至少一種)的第五副成分、和由Mn氧化物及Cr氧化物所選出之至少一種的第六副成分、和由鋯酸鈣及Ca氧化物與Zr氧化物之混合物之至少一種的第七副成分做為基本成分之介電體磁器組成物中，令第二副成分之莫耳數A、與第四副成分之莫耳數加上該第五副成分之莫耳數的總莫耳數B之比(A／B)為0.7以上的介電體磁器組成物I，則可解決上述課題。又，於含有上述基本成分之介電體磁器組成物中，第二副成分中之 Si原子的莫耳數C、與除去Si原子和氧原子之第一副成分～第七副成分中之原子的總莫耳數D之比(C／D)為0.2以上，第四副成分之莫耳數與第五副成分之莫耳數之和為3莫耳以上的介電體磁器組成物II，則可解決上述課題。
简体摘要：本发明之课题系提供满足X8R特性，并且平均故障寿命长及／或寿命偏差小之介电体磁器组成物以及具备此介电体磁器组成物的层合型陶瓷电容器。其解决手段系于钛酸钡之莫耳数视为100莫耳且相对地表示各成分之莫耳数时，含有钛酸钡、和由Mg氧化物、Ca氧化物、Ba氧化物及Sr氧化物所选出之至少一种的第一副成分、和1莫耳中含有Si原子1莫耳之氧化物的第二副成分、和由V氧化物、Mo氧化物及W氧化物所选出之至少一种的第三副成分、和至少含有一种R^1氧化物(R^1为由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所选出之至少一种)的第四副成分、和至少含有一种R^2氧化物(R^2为由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所选出之至少一种)的第五副成分、和由Mn氧化物及Cr氧化物所选出之至少一种的第六副成分、和由锆酸钙及Ca氧化物与Zr氧化物之混合物之至少一种的第七副成分做为基本成分之介电体磁器组成物中，令第二副成分之莫耳数A、与第四副成分之莫耳数加上该第五副成分之莫耳数的总莫耳数B之比(A／B)为0.7以上的介电体磁器组成物I，则可解决上述课题。又，于含有上述基本成分之介电体磁器组成物中，第二副成分中之 Si原子的莫耳数C、与除去Si原子和氧原子之第一副成分～第七副成分中之原子的总莫耳数D之比(C／D)为0.2以上，第四副成分之莫耳数与第五副成分之莫耳数之和为3莫耳以上的介电体磁器组成物II，则可解决上述课题。

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