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1. 发明专利

TW200746196A 陶瓷粉末及使用其之導電糊料、積層陶瓷電子零件、其製造方法 CERAMIC POWDER, ELECTROCONDUCTIVE PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
简体标题：陶瓷粉末及使用其之导电煳料、积层陶瓷电子零件、其制造方法 CERAMIC POWDER, ELECTROCONDUCTIVE PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
公开(公告)号：TW200746196A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096104224
申请日：2007-02-06
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：原治也 HARA, HARUYA , 渡邊康夫 WATANABE, YASUO , 佐藤陽 SATO, AKIRA
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C01G23/006 , B82Y30/00 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C04B35/4682 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明的目的係提供一種實現絕緣性、高溫負荷時的耐久性的改善,且可靠性高的積層陶瓷電子零件。電介質陶瓷層和內部電極層交互積層而成的積層陶瓷電子零件係使用陶瓷粉末(具有鈣鈦礦型(perovskite)晶體結構,並且正方晶相的含量Wt與立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc為2以上)作為添加至用來形成內部電極層之導電糊料的陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威爾德法的多相解析求出。陶瓷粉末例如鈦酸鋇粉末。
简体摘要：本发明的目的系提供一种实现绝缘性、高温负荷时的耐久性的改善,且可靠性高的积层陶瓷电子零件。电介质陶瓷层和内部电极层交互积层而成的积层陶瓷电子零件系使用陶瓷粉末(具有钙钛矿型(perovskite)晶体结构,并且正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为2以上)作为添加至用来形成内部电极层之导电煳料的陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威尔德法的多相解析求出。陶瓷粉末例如钛酸钡粉末。

2. 发明专利

TW200740712A 陶瓷粉末及使用其之電介質糊料、積層陶瓷電子零件、其製造方法 CERAMIC POWDER, DIELECTRIC PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
简体标题：陶瓷粉末及使用其之电介质煳料、积层陶瓷电子零件、其制造方法 CERAMIC POWDER, DIELECTRIC PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
公开(公告)号：TW200740712A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096104225
申请日：2007-02-06
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：原治也 HARA, HARUYA , 渡邊康夫 WATANABE, YASUO , 佐藤陽 SATO, AKIRA
IPC分类号： C04B , H01B , H01G
CPC分类号： C01G23/006 , B82Y30/00 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明之目的為對於積層陶瓷電子零件,實現比介電係數的提高和介電耗損的下降,並且在進行所構成電介質陶瓷層的薄層化時也能夠維持充分的電容溫度特性。本發明提供一種電介質陶瓷層和內部電極層交互積層而成之積層陶瓷電子零件,其中,作為用來形成該電介質陶瓷層的陶瓷粉末,使用具有鈣鈦礦(perovskite)型晶體結構,並且將正方晶相的含量Wt與立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc記為X時,X≧3的陶瓷粉末。此處正方晶相與立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威爾德法的多相解析來求出。陶瓷粉末例如鈦酸鋇粉末。陶瓷粉末的比表面積為4~10m^2/g。
简体摘要：本发明之目的为对于积层陶瓷电子零件,实现比介电系数的提高和介电耗损的下降,并且在进行所构成电介质陶瓷层的薄层化时也能够维持充分的电容温度特性。本发明提供一种电介质陶瓷层和内部电极层交互积层而成之积层陶瓷电子零件,其中,作为用来形成该电介质陶瓷层的陶瓷粉末,使用具有钙钛矿(perovskite)型晶体结构,并且将正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc记为X时,X≧3的陶瓷粉末。此处正方晶相与立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威尔德法的多相解析来求出。陶瓷粉末例如钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4~10m^2/g。

3. 发明专利

TW200536806A 層合型陶瓷電容器审中-公开
简体标题：层合型陶瓷电容器
公开(公告)号：TW200536806A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094105656
申请日：2005-02-24
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 ITO, KAZUSHIGE , 原治也 HARA, HARUYA , 井口俊宏 IGUCHI, TOSHIHIRO , 佐藤茂樹 SATO, SHIGEKI , 佐藤陽 SATO, AKIRA , 小島隆 KOJIMA, TAKASHI
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01B3/12 , H01G4/1227
摘要：本發明為提供容量溫度特性為滿足EIA規格之X8R特性且容量之經時變化小的層合型陶瓷電容器。具有內含有鈦酸鋇做為主成分，和至少具有由MgO、CaO、BaO、及SrO所選出之至少一種所構成的第一副成分、和含有氧化矽做為主成分的第二副成分、和由V2O5、MoO3及WO3所選出之至少一種所構成的第三副成分，和由R1之氧化物(但，R1為由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所選出之至少一種)所構成的第四副成分、和由CaZrO3或CaO＋ZrO2所構成的第五副成分、和由R2氧化物(但，R2為由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所選出之至少一種)所構成的第六副成分，且該各副成分相對於該鈦酸鋇100莫耳之比率為第一副成分：0.1～3莫耳、第二副成分：2～10莫耳、第三副成分：0.01～0.5莫耳、第四副成分：0.5～7莫耳(但，第四副成分之莫耳數為單獨R1的比率)、第五副成分：超過0且為5莫耳以下、第六副成分：超過0且為9莫耳以下之介電體磁器組成物的結晶粒子所構成之燒結體所形成的介電體層、與內部電極層為交互層合之層合體的層合型陶瓷電容器，經由令構成此介電體層之結晶粒子的平均粒徑為0.2μm以上0.55μm以下，則可解決上述課題。
简体摘要：本发明为提供容量温度特性为满足EIA规格之X8R特性且容量之经时变化小的层合型陶瓷电容器。具有内含有钛酸钡做为主成分，和至少具有由MgO、CaO、BaO、及SrO所选出之至少一种所构成的第一副成分、和含有氧化硅做为主成分的第二副成分、和由V2O5、MoO3及WO3所选出之至少一种所构成的第三副成分，和由R1之氧化物(但，R1为由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所选出之至少一种)所构成的第四副成分、和由CaZrO3或CaO＋ZrO2所构成的第五副成分、和由R2氧化物(但，R2为由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所选出之至少一种)所构成的第六副成分，且该各副成分相对于该钛酸钡100莫耳之比率为第一副成分：0.1～3莫耳、第二副成分：2～10莫耳、第三副成分：0.01～0.5莫耳、第四副成分：0.5～7莫耳(但，第四副成分之莫耳数为单独R1的比率)、第五副成分：超过0且为5莫耳以下、第六副成分：超过0且为9莫耳以下之介电体磁器组成物的结晶粒子所构成之烧结体所形成的介电体层、与内部电极层为交互层合之层合体的层合型陶瓷电容器，经由令构成此介电体层之结晶粒子的平均粒径为0.2μm以上0.55μm以下，则可解决上述课题。

4. 发明专利

TW200802442A 陶瓷粉末及使用其之導電糊料、積層陶瓷電子零件、其製造方法 CERAMIC POWDER, ELECTROCONDUCTIVE PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF. 审中-公开
简体标题：陶瓷粉末及使用其之导电煳料、积层陶瓷电子零件、其制造方法 CERAMIC POWDER, ELECTROCONDUCTIVE PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF.
公开(公告)号：TW200802442A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096104226
申请日：2007-02-06
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：原治也 HARA, HARUYA , 渡邊康夫 WATANABE, YASUO , 佐藤陽 SATO, AKIRA
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/1227 , C01G23/006 , C01P2002/72 , C01P2004/40 , C01P2006/12 , H01G4/1209 , H01G4/30
摘要：本發明之目的係提供一種抑制裂紋的發生,提高製品良率之積層陶瓷電子零件。在由電介質陶瓷層和內部電極層交互積層而成積層陶瓷電子零件中,做為添加至用來形成內部電極層之導電糊料中陶瓷粉末,係使用具有鈣鈦礦型(perovskite)晶體結構,並且正方晶相的含量Wt與立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc未滿2之陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威爾德法的多相解析求出。陶瓷粉末例如鈦酸鋇粉末。
简体摘要：本发明之目的系提供一种抑制裂纹的发生,提高制品良率之积层陶瓷电子零件。在由电介质陶瓷层和内部电极层交互积层而成积层陶瓷电子零件中,做为添加至用来形成内部电极层之导电煳料中陶瓷粉末,系使用具有钙钛矿型(perovskite)晶体结构,并且正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc未满2之陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威尔德法的多相解析求出。陶瓷粉末例如钛酸钡粉末。

5. 发明专利

TW200744978A 陶瓷粉末及使用其之電介質糊料、積層陶瓷電子零件、其製造方法 CERAMIC POWDER, DIELECTRIC PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
简体标题：陶瓷粉末及使用其之电介质煳料、积层陶瓷电子零件、其制造方法 CERAMIC POWDER, DIELECTRIC PASTE USING SAME, LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC PART, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
公开(公告)号：TW200744978A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096104223
申请日：2007-02-06
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：原治也 HARA, HARUYA , 渡邊康夫 WATANABE, YASUO , 佐藤陽 SATO, AKIRA
IPC分类号： C04B , H01B , H01G
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明的目的係提供一種實現降低絕緣性不良、改善耐電壓特性,抑制裂縫或分層的發生,提高產品良率之積層陶瓷電子零件。電介質陶瓷層和內部電極層交互積層而成的積層陶瓷電子零件中,作為用來形成該電介質陶瓷層的陶瓷粉末,使用具有鈣鈦礦(perovskite)型晶體結構,並且將正方晶相的含量Wt與立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc記為X時,X
简体摘要：本发明的目的系提供一种实现降低绝缘性不良、改善耐电压特性,抑制裂缝或分层的发生,提高产品良率之积层陶瓷电子零件。电介质陶瓷层和内部电极层交互积层而成的积层陶瓷电子零件中,作为用来形成该电介质陶瓷层的陶瓷粉末,使用具有钙钛矿(perovskite)型晶体结构,并且将正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比率Wt/Wc记为X时,X<3的陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比率Wt/Wc是由利用瑞特威尔德法的多相解析求出。陶瓷粉末例如钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4~10m^2/g。

6. 发明专利

TWI263629B 層合型陶瓷電容器 LAMINATED CERAMIC CAPACITOR 有权
简体标题：层合型陶瓷电容器 LAMINATED CERAMIC CAPACITOR
公开(公告)号：TWI263629B
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：TW094105656
申请日：2005-02-24
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 ITO, KAZUSHIGE , 原治也 HARA, HARUYA , 井口俊宏 IGUCHI, TOSHIHIRO , 佐藤茂樹 SATO, SHIGEKI , 佐藤陽 SATO, AKIRA , 小島隆 KOJIMA, TAKASHI
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01B3/12 , H01G4/1227
摘要：本發明為提供容量溫度特性為滿足EIA規格之X8R特性且容量之經時變化小的層合型陶瓷電容器。
具有內含有鈦酸鋇做為主成分，和至少具有由MgO、CaO、BaO、及SrO所選出之至少一種所構成的第一副成分、和含有氧化矽做為主成分的第二副成分、和由 V2O5、MoO3及WO3所選出之至少一種所構成的第三副成分，和由R1之氧化物(但，R1為由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所選出之至少一種)所構成的第四副成分、和由CaZrO3或 CaO+ZrO2所構成的第五副成分、和由R2氧化物(但，R2為由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所選出之至少一種)所構成的第六副成分，且該各副成分相對於該鈦酸鋇100莫耳之比率為第一副成分：0.1~3莫耳、第二副成分：2~10莫耳、第三副成分：0.01~0.5莫耳、第四副成分：0.5~7莫耳(但，第四副成分之莫耳數為單獨R1的比率)、第五副成分：超過0且為5莫耳以下、第六副成分：超過0且為9莫耳以下之介電體磁器組成物的結晶粒子所構成之燒結體所形成的介電體層、與內部電極層為交互層合之層合體的層合型陶瓷電容器，經由令構成此介電體層之結晶粒子的平均粒徑為0.2μm以上0.55μm以下，則可解決上述課題。
简体摘要：本发明为提供容量温度特性为满足EIA规格之X8R特性且容量之经时变化小的层合型陶瓷电容器。具有内含有钛酸钡做为主成分，和至少具有由MgO、CaO、BaO、及SrO所选出之至少一种所构成的第一副成分、和含有氧化硅做为主成分的第二副成分、和由 V2O5、MoO3及WO3所选出之至少一种所构成的第三副成分，和由R1之氧化物(但，R1为由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所选出之至少一种)所构成的第四副成分、和由CaZrO3或 CaO+ZrO2所构成的第五副成分、和由R2氧化物(但，R2为由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所选出之至少一种)所构成的第六副成分，且该各副成分相对于该钛酸钡100莫耳之比率为第一副成分：0.1~3莫耳、第二副成分：2~10莫耳、第三副成分：0.01~0.5莫耳、第四副成分：0.5~7莫耳(但，第四副成分之莫耳数为单独R1的比率)、第五副成分：超过0且为5莫耳以下、第六副成分：超过0且为9莫耳以下之介电体磁器组成物的结晶粒子所构成之烧结体所形成的介电体层、与内部电极层为交互层合之层合体的层合型陶瓷电容器，经由令构成此介电体层之结晶粒子的平均粒径为0.2μm以上0.55μm以下，则可解决上述课题。

7. 发明专利

TW200531955A 介電體磁器組成物、層合型陶瓷電容器及其製造方法审中-公开
简体标题：介电体磁器组成物、层合型陶瓷电容器及其制造方法
公开(公告)号：TW200531955A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW094105440
申请日：2005-02-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：井口俊宏 IGUCHI, TOSHIHIRO , 原治也 HARA, HARUYA , 伊東和重 ITO, KAZUSHIGE , 佐藤陽 SATO, AKIRA , 佐藤茂樹 SATO, SHIGEKI , 小島隆 KOJIMA, TAKASHI
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/62665 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明之課題係提供滿足X8R特性，並且平均故障壽命長及／或壽命偏差小之介電體磁器組成物以及具備此介電體磁器組成物的層合型陶瓷電容器。其解決手段係於鈦酸鋇之莫耳數視為100莫耳且相對地表示各成分之莫耳數時，含有鈦酸鋇、和由Mg氧化物、Ca氧化物、Ba氧化物及Sr氧化物所選出之至少一種的第一副成分、和1莫耳中含有Si原子1莫耳之氧化物的第二副成分、和由V氧化物、Mo氧化物及W氧化物所選出之至少一種的第三副成分、和至少含有一種R^1氧化物(R^1為由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所選出之至少一種)的第四副成分、和至少含有一種R^2氧化物(R^2為由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所選出之至少一種)的第五副成分、和由Mn氧化物及Cr氧化物所選出之至少一種的第六副成分、和由鋯酸鈣及Ca氧化物與Zr氧化物之混合物之至少一種的第七副成分做為基本成分之介電體磁器組成物中，令第二副成分之莫耳數A、與第四副成分之莫耳數加上該第五副成分之莫耳數的總莫耳數B之比(A／B)為0.7以上的介電體磁器組成物I，則可解決上述課題。又，於含有上述基本成分之介電體磁器組成物中，第二副成分中之 Si原子的莫耳數C、與除去Si原子和氧原子之第一副成分～第七副成分中之原子的總莫耳數D之比(C／D)為0.2以上，第四副成分之莫耳數與第五副成分之莫耳數之和為3莫耳以上的介電體磁器組成物II，則可解決上述課題。
简体摘要：本发明之课题系提供满足X8R特性，并且平均故障寿命长及／或寿命偏差小之介电体磁器组成物以及具备此介电体磁器组成物的层合型陶瓷电容器。其解决手段系于钛酸钡之莫耳数视为100莫耳且相对地表示各成分之莫耳数时，含有钛酸钡、和由Mg氧化物、Ca氧化物、Ba氧化物及Sr氧化物所选出之至少一种的第一副成分、和1莫耳中含有Si原子1莫耳之氧化物的第二副成分、和由V氧化物、Mo氧化物及W氧化物所选出之至少一种的第三副成分、和至少含有一种R^1氧化物(R^1为由Sc、Er、Tm、Yb及Lu所选出之至少一种)的第四副成分、和至少含有一种R^2氧化物(R^2为由Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu所选出之至少一种)的第五副成分、和由Mn氧化物及Cr氧化物所选出之至少一种的第六副成分、和由锆酸钙及Ca氧化物与Zr氧化物之混合物之至少一种的第七副成分做为基本成分之介电体磁器组成物中，令第二副成分之莫耳数A、与第四副成分之莫耳数加上该第五副成分之莫耳数的总莫耳数B之比(A／B)为0.7以上的介电体磁器组成物I，则可解决上述课题。又，于含有上述基本成分之介电体磁器组成物中，第二副成分中之 Si原子的莫耳数C、与除去Si原子和氧原子之第一副成分～第七副成分中之原子的总莫耳数D之比(C／D)为0.2以上，第四副成分之莫耳数与第五副成分之莫耳数之和为3莫耳以上的介电体磁器组成物II，则可解决上述课题。

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