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41. 发明专利

TW201809887A 阻劑底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201809887A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106113312
申请日：2017-04-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要：提供一種在常溫的保存穩定性為優異的阻劑底層膜形成組成物。一種微影用阻劑底層膜形成組成物，其係包含：含氮化合物、聚合物、促進交聯反應的化合物及有機溶劑，前述含氮化合物係1分子中具有2至6個與氮原子鍵結的下述式(1)所表示之取代基。1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，例如為下述式(1A)所表示之甘脲衍生物。 (式中，R1係分別獨立地表示甲基或乙基，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基)。
简体摘要：提供一种在常温的保存稳定性为优异的阻剂底层膜形成组成物。一种微影用阻剂底层膜形成组成物，其系包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物及有机溶剂，前述含氮化合物系1分子中具有2至6个与氮原子键结的下述式(1)所表示之取代基。1分子中具有2至6个前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，例如为下述式(1A)所表示之甘脲衍生物。 (式中，R1系分别独立地表示甲基或乙基，R2及R3系分别独立地表示氢原子、碳原子数1至4之烷基、或苯基)。

42. 发明专利

TWI616723B 阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI616723B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102116066
申请日：2013-05-06
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G63/00 , C08G73/101 , C09D167/00 , C09D175/12 , G03F7/11 , G03F7/2037 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086

43. 发明专利

TW201732439A 含有吲哚并咔唑酚醛清漆樹脂之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有吲哚并咔唑酚醛清漆树脂之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201732439A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105139699
申请日：2016-12-01
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：徳永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 齊藤大悟 , SAITO, DAIGO , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G12/34
CPC分类号： C08G16/02 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26
摘要：本發明的課題為提供一種不引起與光阻層的互混(Intermixing)，具有高度乾式蝕刻耐性，具有高度耐熱性，且昇華物量較低之光微影用光阻下層膜。本發明的解決手段為一種光阻下層膜形成組成物，其係包含含下述式(1)表示之單位構造的聚合物， (式(1)中，A係至少具有2個胺基之2價基，係從具有稠環構造，且具有取代該稠環上之氫原子的芳香族基之化合物所衍生之基，B1、B2分別表示氫原子、烷基、苯環基、稠環基或該等之組合、或B1與B2可與鍵結該等之碳原子一起形成環)。式(1)中，A係從具有吲哚并咔唑構造之化合物所衍生之2價基。取代吲哚并咔唑構造之稠環上之氫原子的芳香族基為苯基。又，A係從式(2)所示之化合物所衍生之2價基。
简体摘要：本发明的课题为提供一种不引起与光阻层的互混(Intermixing)，具有高度干式蚀刻耐性，具有高度耐热性，且升华物量较低之光微影用光阻下层膜。本发明的解决手段为一种光阻下层膜形成组成物，其系包含含下述式(1)表示之单位构造的聚合物， (式(1)中，A系至少具有2个胺基之2价基，系从具有稠环构造，且具有取代该稠环上之氢原子的芳香族基之化合物所衍生之基，B1、B2分别表示氢原子、烷基、苯环基、稠环基或该等之组合、或B1与B2可与键结该等之碳原子一起形成环)。式(1)中，A系从具有吲哚并咔唑构造之化合物所衍生之2价基。取代吲哚并咔唑构造之稠环上之氢原子的芳香族基为苯基。又，A系从式(2)所示之化合物所衍生之2价基。

44. 发明专利

TW201730261A 阻劑下層膜形成組成物用添加劑及含該添加劑之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：阻剂下层膜形成组成物用添加剂及含该添加剂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201730261A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105137483
申请日：2016-11-16
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L25/00 , G03F7/004
CPC分类号： C08F220/24 , C08F220/26 , C08F220/36 , C08F220/38 , G03F7/11
摘要：本發明之課題在於提供新穎的阻劑下層膜形成組成物用添加劑及含該添加劑之阻劑下層膜形成組成物。本發明之解決手段為一種阻劑下層膜形成組成物用添加劑，其包含具有以下述式(1)~式(3)表示的構造單位之共聚物。一種微影術用阻劑下層膜形成組成物，其包含前述添加劑、與前述共聚物不同的樹脂、有機酸、交聯劑及溶劑，相對於前述樹脂100質量份，前述共聚物之含量為3質量份~40質量份。 (式中，R1各自獨立地表示氫原子或甲基，R2表示碳原子數1~3的伸烷基，A表示保護基，R3表示具有4員環~7員環之內酯骨架、金剛烷骨架、三環癸烷骨架或降冰片烷骨架的有機基，R4係至少1個氫原子被氟基取代，且可更具有至少1個羥基作為取代基的碳原子數1~12之直鏈狀、支鏈狀或環狀的有機基)。
简体摘要：本发明之课题在于提供新颖的阻剂下层膜形成组成物用添加剂及含该添加剂之阻剂下层膜形成组成物。本发明之解决手段为一种阻剂下层膜形成组成物用添加剂，其包含具有以下述式(1)~式(3)表示的构造单位之共聚物。一种微影术用阻剂下层膜形成组成物，其包含前述添加剂、与前述共聚物不同的树脂、有机酸、交联剂及溶剂，相对于前述树脂100质量份，前述共聚物之含量为3质量份~40质量份。 (式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数1~3的伸烷基，A表示保护基，R3表示具有4员环~7员环之内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基，R4系至少1个氢原子被氟基取代，且可更具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1~12之直链状、支链状或环状的有机基)。

45. 发明专利

TWI575324B 含矽之ＥＵＶ光阻底層膜形成組成物有权
简体标题：含硅之ＥＵＶ光阻底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI575324B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW101136675
申请日：2012-10-04
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , C07F7/18 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/311 , B05D3/0272 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/80 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2004 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/02107 , H01L21/02112 , H01L21/02123 , H01L21/02137 , H01L21/3081

46. 发明专利

TW201615758A 具有鹵化磺醯基烷基之含有矽之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：具有卤化磺酰基烷基之含有硅之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201615758A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104122957
申请日：2015-07-15
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L83/08 , C08G77/24 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/24 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/327 , G03F7/38 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明之課題為提供一種在將上層光阻膜曝光並以鹼顯影液或有機溶劑顯影時可形成優異光阻圖型形狀的光阻下層膜與該形成組成物。解決課題之手段的微影用光阻下層膜形成組成物，其係包含作為矽烷之水解性矽烷、該水解物、該水解縮合物、或此等之組合，該水解性矽烷係包含式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1係式(2)：【化2】-R4-R5-R6 式(2)(式(2)中，R4係表示可被取代的碳原子數1至10的伸烷基，R5係表示磺醯基、或磺醯胺基，R6係表示含鹵的有機基〕所表示之水解性矽烷。上述式(2)中的R6為含氟有機基。上述式(2)中的R6為三氟甲基。藉由將光阻下層膜形成組成物塗布於半導體基板上並燒成而得到光阻下層膜。進而包含酸來作為水解觸媒。進而包含水。
简体摘要：本发明之课题为提供一种在将上层光阻膜曝光并以碱显影液或有机溶剂显影时可形成优异光阻图型形状的光阻下层膜与该形成组成物。解决课题之手段的微影用光阻下层膜形成组成物，其系包含作为硅烷之水解性硅烷、该水解物、该水解缩合物、或此等之组合，该水解性硅烷系包含式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1系式(2)：【化2】-R4-R5-R6 式(2)(式(2)中，R4系表示可被取代的碳原子数1至10的伸烷基，R5系表示磺酰基、或磺酰胺基，R6系表示含卤的有机基〕所表示之水解性硅烷。上述式(2)中的R6为含氟有机基。上述式(2)中的R6为三氟甲基。借由将光阻下层膜形成组成物涂布于半导体基板上并烧成而得到光阻下层膜。进而包含酸来作为水解触媒。进而包含水。

47. 发明专利

TW201443139A 微影蝕刻用光阻上層膜形成用組成物及使用其之半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201443139A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103102778
申请日：2014-01-24
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： C08L61/06 , C08L33/06 , C08G8/10 , C08F20/22 , C08K5/06 , C08J5/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F1/22 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , C08G8/14 , C08G16/025 , C08G16/0268 , G03F7/0046 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/325 , H01L21/0274
摘要：本發明提供一種不會與光阻產生混合(Inter Mixing)，特別是可阻斷EUV曝光之際所不期待之曝光光線，例如UV或DUV，而僅選擇性地透過EUV，又可於曝光後使用顯影液進行顯影之製造半導體裝置之步驟中的微影蝕刻製程所使用之光阻上層膜形成組成物。提供一種含有，含有由碳原子數1至10的飽和烷基所形成，且其中一部份或全部氫原子被氟原子所取代的有機基之聚合物，與作為溶劑之可被取代的碳原子數8至16的醚化合物的光阻上層膜形成組成物。
简体摘要：本发明提供一种不会与光阻产生混合(Inter Mixing)，特别是可阻断EUV曝光之际所不期待之曝光光线，例如UV或DUV，而仅选择性地透过EUV，又可于曝光后使用显影液进行显影之制造半导体设备之步骤中的微影蚀刻制程所使用之光阻上层膜形成组成物。提供一种含有，含有由碳原子数1至10的饱和烷基所形成，且其中一部份或全部氢原子被氟原子所取代的有机基之聚合物，与作为溶剂之可被取代的碳原子数8至16的醚化合物的光阻上层膜形成组成物。

48. 发明专利

TW201430501A 含多環芳香族乙烯基化合物之自己組織化膜的下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含多环芳香族乙烯基化合物之自己组织化膜的下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201430501A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102146658
申请日：2013-12-17
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F212/32
CPC分类号： C08J5/18 , B05D1/005 , B05D1/322 , B05D3/0254 , C08F212/32 , C08J2325/02 , C08J2325/08 , C08J2325/14 , C08J2333/12 , C08J2339/04 , C09D139/04 , C09D145/00 , C09D153/00 , C09D201/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24802 , C08F2220/281 , C08F2220/325 , C08F220/20 , C08F212/14 , C08F226/06 , C08F220/14 , C08F212/06
摘要：本發明提供一種不會與上層之自己組織化膜引起互混(層混合)，而於自己組織化膜上形成垂直圖型之自己組織化膜的下層膜。本發明之自己組織化膜的下層膜形成組成物之特徵係包含聚合物之每一全單位構造具有0.2莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。前述聚合物係聚合物之每一全單位構造具有20莫耳%以上之芳香族乙烯基化合物之單位構造，且芳香族乙烯基化合物之每一全單位構造具有1莫耳%以上之多環芳香族乙烯基化合物之單位構造的聚合物。前述芳香族乙烯基化合物包含各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，前述多環芳香族乙烯基化合物為乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。且前述芳香族乙烯基化合物包含可經取代之苯乙烯與各可經取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，多環芳香族乙烯基化合物為乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。
简体摘要：本发明提供一种不会与上层之自己组织化膜引起互混(层混合)，而于自己组织化膜上形成垂直图型之自己组织化膜的下层膜。本发明之自己组织化膜的下层膜形成组成物之特征系包含聚合物之每一全单位构造具有0.2莫耳%以上之多环芳香族乙烯基化合物之单位构造的聚合物。前述聚合物系聚合物之每一全单位构造具有20莫耳%以上之芳香族乙烯基化合物之单位构造，且芳香族乙烯基化合物之每一全单位构造具有1莫耳%以上之多环芳香族乙烯基化合物之单位构造的聚合物。前述芳香族乙烯基化合物包含各可经取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，前述多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。且前述芳香族乙烯基化合物包含可经取代之苯乙烯与各可经取代之乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑，多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊烯或乙烯基咔唑。

49. 发明专利

TW201423278A 含有磺酸鎓鹽的含矽ＥＵＶ阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有磺酸鎓盐的含硅ＥＵＶ阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201423278A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102127258
申请日：2013-07-30
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08K5/42 , C09D183/04 , G03F7/0045 , G03F7/0752 , G03F7/0755 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C08K5/092
摘要：本發明之課題為提供一種阻劑形狀為良好的EUV阻劑下層膜形成組成物。解決課題之手段為一種EUV微影用阻劑下層膜形成組成物，其係作為矽烷為包含水解性有機矽烷、其水解物、或其水解縮合物，並進而包含含烴基之磺酸離子與鎓離子之鹽。前述本發明之阻劑下層膜形成組成物中，水解性有機矽烷為包含選自由式(1)及式(2)所成之群中之至少1種的有機矽化合物、其水解物、或其水解縮合物。式(1)：【化1】　R1aSi(R2)4-a 式(1) 式(2)：【化2】〔R3cSi(R4)3-c〕2Yb 式(2) 本發明之半導體裝置之製造方法，其係包含下述步驟:於半導體基板上形成有機下層膜之步驟；將阻劑下層膜形成組成物塗佈於前述有機下層膜上並燒成而形成阻劑下層膜之步驟；於前述阻劑下層膜上塗佈EUV阻劑用組成物而形成阻劑膜之步驟；將前述阻劑膜進行EUV曝光之步驟；曝光後將阻劑膜顯影並得到阻劑圖型之步驟。
简体摘要：本发明之课题为提供一种阻剂形状为良好的EUV阻剂下层膜形成组成物。解决课题之手段为一种EUV微影用阻剂下层膜形成组成物，其系作为硅烷为包含水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物，并进而包含含烃基之磺酸离子与鎓离子之盐。前述本发明之阻剂下层膜形成组成物中，水解性有机硅烷为包含选自由式(1)及式(2)所成之群中之至少1种的有机硅化合物、其水解物、或其水解缩合物。式(1)：【化1】　R1aSi(R2)4-a 式(1) 式(2)：【化2】〔R3cSi(R4)3-c〕2Yb 式(2) 本发明之半导体设备之制造方法，其系包含下述步骤:于半导体基板上形成有机下层膜之步骤；将阻剂下层膜形成组成物涂布于前述有机下层膜上并烧成而形成阻剂下层膜之步骤；于前述阻剂下层膜上涂布EUV阻剂用组成物而形成阻剂膜之步骤；将前述阻剂膜进行EUV曝光之步骤；曝光后将阻剂膜显影并得到阻剂图型之步骤。

50. 发明专利

TW201413394A 光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201413394A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102128636
申请日：2013-08-09
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/10 , C08G61/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
摘要：本發明之課題在於提供一種新穎之光阻下層膜形成組成物。本發明之解決手段為一種光阻下層膜形成組成物，其係包含具有下述式(1a)、式(1b)及式(1c)所表示之重複構造單位中之任意1個或2個以上之聚合物及溶劑；式中，2個R1各自獨立表示烷基、烯基、芳香族烴基、鹵素原子、硝基或胺基，2個R2各自獨立表示氫原子、烷基、烯基、縮醛基、醯基或環氧丙基，R3表示亦可具有取代基之芳香族烴基，R4表示氫原子、苯基或萘基，式(1b)中之2個R3所表示之基及2個R4所表示之原子或基亦可互為相異，2個k各自獨立表示0或1，m表示3至500之整數，n、n1及n2表示2至500之整數，p表示3至500之整數，X表示單鍵或雜原子，2個Q各自獨立表示構造單位。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种新颖之光阻下层膜形成组成物。本发明之解决手段为一种光阻下层膜形成组成物，其系包含具有下述式(1a)、式(1b)及式(1c)所表示之重复构造单位中之任意1个或2个以上之聚合物及溶剂；式中，2个R1各自独立表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤素原子、硝基或胺基，2个R2各自独立表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或环氧丙基，R3表示亦可具有取代基之芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，式(1b)中之2个R3所表示之基及2个R4所表示之原子或基亦可互为相异，2个k各自独立表示0或1，m表示3至500之整数，n、n1及n2表示2至500之整数，p表示3至500之整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立表示构造单位。

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