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41. 发明专利

TWI681440B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI681440B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW106142759
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687

42. 发明专利

TW201833995A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201833995A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142759
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：安田周一 , YASUDA, SHUICHI , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：一種基板處理裝置及基板處理方法，係在可供第一供給液及第二供給液分別流動的第一供給液管路(412)及第二供給液管路(422)設置有第一濃度測定部(415)及第二濃度測定部(425)。第二供給液中的氣體之溶存濃度係比第一供給液更低。使第一分支管路(51)及第二分支管路(52)之一端分別連接於第一供給液管路及第二供給液管路中比濃度測定部更靠上游側之位置。第一分支管路及第二分支管路之另一端係連接於混合部(57)，且混合第一供給液及第二供給液來生成處理液。基於第一濃度測定部及第二濃度測定部之測定值來控制第一分支管路及第二分支管路之流量調整部(58)，以使處理液中的氣體之溶存濃度成為設定值。藉此，能一邊防止包含因濃度測定部所引起之微粒子等的供給液，包含在供給至基板的處理液中，一邊能使處理液中的氣體之溶存濃度精度佳地調整至設定值。
简体摘要：一种基板处理设备及基板处理方法，系在可供第一供给液及第二供给液分别流动的第一供给液管路(412)及第二供给液管路(422)设置有第一浓度测定部(415)及第二浓度测定部(425)。第二供给液中的气体之溶存浓度系比第一供给液更低。使第一分支管路(51)及第二分支管路(52)之一端分别连接于第一供给液管路及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧之位置。第一分支管路及第二分支管路之另一端系连接于混合部(57)，且混合第一供给液及第二供给液来生成处理液。基于第一浓度测定部及第二浓度测定部之测定值来控制第一分支管路及第二分支管路之流量调整部(58)，以使处理液中的气体之溶存浓度成为设置值。借此，能一边防止包含因浓度测定部所引起之微粒子等的供给液，包含在供给至基板的处理液中，一边能使处理液中的气体之溶存浓度精度佳地调整至设置值。

43. 发明专利

TWI610386B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI610386B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104108057
申请日：2015-03-13
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67028 , B05B1/24 , B05B15/60 , B05C11/08 , B05D1/02 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68742 , H01L21/6875

44. 发明专利

TW202030147A 生成裝置、基板處理裝置以及基板處理方法审中-公开
简体标题：生成设备、基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TW202030147A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109101618
申请日：2020-01-17
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： C01B17/98 , G03F7/42 , H01L21/306 , H05H1/24
摘要：生成裝置(30)係從硫酸生成使用於基板W的處理之卡洛酸。生成裝置(30)係具有排出部(311)以及產生部(35)。排出部(311)係排出硫酸。產生部(35)係使電漿產生。電漿的產生區域(E)係位於從排出部(311)排出的硫酸的移動路徑(R)上。較佳為排出部(311)係混合硫酸與氣體，藉此生成硫酸的液滴(α)。
简体摘要：生成设备(30)系从硫酸生成使用于基板W的处理之卡洛酸。生成设备(30)系具有排出部(311)以及产生部(35)。排出部(311)系排出硫酸。产生部(35)系使等离子产生。等离子的产生区域(E)系位于从排出部(311)排出的硫酸的移动路径(R)上。较佳为排出部(311)系混合硫酸与气体，借此生成硫酸的液滴(α)。

45. 发明专利

TW202015119A 金屬除去裝置、基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：金属除去设备、基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW202015119A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108126813
申请日：2019-07-29
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： H01L21/304 , B08B3/10
摘要：金屬除去裝置(200)係除去處理液中含有之金屬(M)，該處理液係處理基板(W)。金屬除去裝置(200)，具備磁場產生部(220)及捕集部(210)。磁場產生部(220)係使磁場作用於自處理液供給源供給之處理液。捕集部(210)受到磁場之作用而捕捉移動於處理液中之金屬(M)。
简体摘要：金属除去设备(200)系除去处理液中含有之金属(M)，该处理液系处理基板(W)。金属除去设备(200)，具备磁场产生部(220)及捕集部(210)。磁场产生部(220)系使磁场作用于自处理液供给源供给之处理液。捕集部(210)受到磁场之作用而捕捉移动于处理液中之金属(M)。

46. 发明专利

TW201838068A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201838068A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107115286
申请日：2015-02-26
申请人：日商斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要：基板處理裝置包含有：一邊支撐基板，一邊從下方對基板進行加熱的基板加熱單元；以及使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更的姿勢變更單元。在接著加熱基板的基板高溫化步驟之後所執行的有機溶劑排除步驟中，藉由使基板加熱單元姿勢變更為傾斜姿勢，使基板之上表面傾斜於水平面。
简体摘要：基板处理设备包含有：一边支撑基板，一边从下方对基板进行加热的基板加热单元；以及使基板加热单元在水平姿势与倾斜姿势之间进行姿势变更的姿势变更单元。在接着加热基板的基板高温化步骤之后所运行的有机溶剂排除步骤中，借由使基板加热单元姿势变更为倾斜姿势，使基板之上表面倾斜于水平面。

47. 发明专利

TW201838066A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201838066A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107115284
申请日：2015-02-26
申请人：日商斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要：基板處理裝置包含有：一邊支撐基板，一邊從下方對基板進行加熱的基板加熱單元；以及使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更的姿勢變更單元。在接著加熱基板的基板高溫化步驟之後所執行的有機溶劑排除步驟中，藉由使基板加熱單元姿勢變更為傾斜姿勢，使基板之上表面傾斜於水平面。
简体摘要：基板处理设备包含有：一边支撑基板，一边从下方对基板进行加热的基板加热单元；以及使基板加热单元在水平姿势与倾斜姿势之间进行姿势变更的姿势变更单元。在接着加热基板的基板高温化步骤之后所运行的有机溶剂排除步骤中，借由使基板加热单元姿势变更为倾斜姿势，使基板之上表面倾斜于水平面。

48. 发明专利

TWI612572B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI612572B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103111695
申请日：2014-03-28
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 泉本賢治 , IZUMOTO, KENJI , 岩崎晃久 , IWASAKI, AKIHISA , 三浦丈苗 , MIURA, TAKEMITSU , 西東和英 , SAITO, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/68792

49. 发明专利

TW201707806A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201707806A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105127715
申请日：2015-01-07
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： B08B3/04 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/02203 , H01L21/02334
摘要：本發明提供一種可對在表層形成有多孔膜之基板抑制損傷之發生並且充分地清洗之技術。對在表層形成有具有多孔構造之多孔膜90之基板9進行處理的基板處理方法包括以下之a)步驟及b)步驟。a)步驟係如下步驟，即，將含有水之第1處理液與氣體混合而產生第1處理液之液滴，並將第1處理液之液滴朝向多孔膜90噴射。又，b)步驟係如下步驟，即，於a)步驟之後，將作為揮發性高於第1處理液之有機溶劑之第2處理液與氣體混合而產生第2處理液之液滴，並將第2處理液之液滴朝向多孔膜90噴射。
简体摘要：本发明提供一种可对在表层形成有多孔膜之基板抑制损伤之发生并且充分地清洗之技术。对在表层形成有具有多孔构造之多孔膜90之基板9进行处理的基板处理方法包括以下之a)步骤及b)步骤。a)步骤系如下步骤，即，将含有水之第1处理液与气体混合而产生第1处理液之液滴，并将第1处理液之液滴朝向多孔膜90喷射。又，b)步骤系如下步骤，即，于a)步骤之后，将作为挥发性高于第1处理液之有机溶剂之第2处理液与气体混合而产生第2处理液之液滴，并将第2处理液之液滴朝向多孔膜90喷射。

50. 发明专利

TWI555585B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI555585B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104100430
申请日：2015-01-07
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：小林健司 , KOBAYASHI, KENJI
IPC分类号： B08B3/04 , B08B3/08 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/02203 , H01L21/02334

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