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41. 发明专利

TWI498670B 光圖案曝光方法，光罩及空白光罩有权
简体标题：光图案曝光方法，光罩及空白光罩
公开(公告)号：TWI498670B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW101143255
申请日：2012-11-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 小板橋龍二 , KOITABASHI, RYUJI , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 小嶋洋介 , KOJIMA, YOSUKE , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 廣瀬智一 , HIROSE, TOMOHITO
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/32 , G03F1/60

42. 发明专利

TW201525606A 空白光罩之製造方法审中-公开
简体标题：空白光罩之制造方法
公开(公告)号：TW201525606A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103133004
申请日：2014-09-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：吉井崇 , YOSHII, TAKASHI , 河合義夫 , KAWAI, YOSHIO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 渡邉聡 , WATANABE, SATOSHI , 池田顕 , IKEDA, AKIRA , 桜田豊久 , SAKURADA, TOYOHISA , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
摘要：本發明之課題在於提供關於對含矽之無機膜施以矽烷化處理之後形成光阻膜之空白光罩，在顯影後，可以抑制抗蝕劑、阻劑殘渣等所導致的缺陷的發生之空白光罩之製造方法。本發明之解決手段係提供在透明基板上，至少具有含矽之無機膜，於該無機膜上具有光阻膜之空白光罩之製造方法，且係在形成前述無機膜後，在比200℃更高的溫度下於含氧的氛圍中熱處理之後進行矽烷化(silylation)處理，其後藉由塗布形成前述光阻膜之空白光罩之製造方法。
简体摘要：本发明之课题在于提供关于对含硅之无机膜施以硅烷化处理之后形成光阻膜之空白光罩，在显影后，可以抑制抗蚀剂、阻剂残渣等所导致的缺陷的发生之空白光罩之制造方法。本发明之解决手段系提供在透明基板上，至少具有含硅之无机膜，于该无机膜上具有光阻膜之空白光罩之制造方法，且系在形成前述无机膜后，在比200℃更高的温度下于含氧的氛围中热处理之后进行硅烷化(silylation)处理，其后借由涂布形成前述光阻膜之空白光罩之制造方法。

43. 发明专利

TWI468851B 光罩之製造方法有权
简体标题：光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI468851B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW099118930
申请日：2010-06-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：五十嵐慎一 , IGARASHI, SHINICHI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 木名瀨良紀 , KINASE, YOSHINORI
IPC分类号： G03F1/80
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80

44. 发明专利

TWI457698B 光罩基板及光罩之製造方法以及鉻系材料膜有权
简体标题：光罩基板及光罩之制造方法以及铬系材料膜
公开(公告)号：TWI457698B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW100142330
申请日：2011-11-18
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 深谷創一 , FUKAYA, SOUICHI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 山本恆雄 , YAMAMOTO, TSUNEO , 中川秀夫 , NAKAGAWA, HIDEO
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/80 , B32B15/01 , C22C27/06 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/50 , G03F1/54

45. 发明专利

TWI432887B 相位移空白遮光罩，相位移光罩，及圖案轉移方法有权
简体标题：相位移空白遮光罩，相位移光罩，及图案转移方法
公开(公告)号：TWI432887B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099110389
申请日：2004-10-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 岡崎智 , OKAZAKI, SATOSHI , 原口崇 , HARAGUCHI, TAKASHI , 福島祐一 , FUKUSHIMA, YUICHI , 伊井稔博 , II, YOSHIHIRO , 佐賀匡 , SAGA, TADASHI
IPC分类号： G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/84

46. 发明专利

TW201341943A 圖型形成膜之蝕刻條件的評估方法审中-公开
简体标题：图型形成膜之蚀刻条件的评估方法
公开(公告)号：TW201341943A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101142892
申请日：2012-11-16
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：五十嵐慎一 , IGARASHI, SHINICHI , 吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/26 , G03F1/80 , G06F19/00
CPC分类号： G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
摘要：本發明之解決手段，係以形成光罩圖型時適用於圖型形成膜之蝕刻條件測定蝕刻遮罩膜之蝕刻清除時間(C1)、與圖型形成膜之蝕刻清除時間(C2)，藉由兩者之清除時間比(C1/C2)來評估具備：透明基板、用以於透明基板上形成光罩圖型之圖型形成膜、與於圖型形成膜上作為圖型形成膜之蝕刻遮罩使用之蝕刻遮罩膜的空白光罩之圖型形成膜之蝕刻條件。本發明之效果，係可選定對圖型形成膜良好之蝕刻條件，若由使用如此之蝕刻條件的空白光罩來製造光罩，則能夠微細加工、且可得到光罩圖型對圖型形成膜之轉印性良好、圖型缺陷少之空白光罩。
简体摘要：本发明之解决手段，系以形成光罩图型时适用于图型形成膜之蚀刻条件测定蚀刻遮罩膜之蚀刻清除时间(C1)、与图型形成膜之蚀刻清除时间(C2)，借由两者之清除时间比(C1/C2)来评估具备：透明基板、用以于透明基板上形成光罩图型之图型形成膜、与于图型形成膜上作为图型形成膜之蚀刻遮罩使用之蚀刻遮罩膜的空白光罩之图型形成膜之蚀刻条件。本发明之效果，系可选定对图型形成膜良好之蚀刻条件，若由使用如此之蚀刻条件的空白光罩来制造光罩，则能够微细加工、且可得到光罩图型对图型形成膜之转印性良好、图型缺陷少之空白光罩。

47. 发明专利

TWI390338B 半透明層積膜、空白光罩、光罩、及其之製造方法有权
简体标题：半透明层积膜、空白光罩、光罩、及其之制造方法
公开(公告)号：TWI390338B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095100342
申请日：2006-01-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：吉川博樹 , YOSHIKAWA, HIROKI , 稻月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 木名瀨良紀 , KINASE, YOSHINORI , 岡崎智 , OKAZAKI, SATOSHI , 森田元彥 , MORITA, MOTOHIKO , 佐賀匡 , SAGA, TADASHI
IPC分类号： G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616

48. 发明专利

TWI646386B 光罩毛胚有权
公开(公告)号：TWI646386B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103142354
申请日：2014-12-05
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：笹本紘平 , SASAMOTO, KOUHEI , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 深谷創一 , FUKAYA, SOUICHI , 中川秀夫 , NAKAGAWA, HIDEO , 金子英雄 , KANEKO, HIDEO
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/54 , G03F1/26 , G03F1/30

49. 发明专利

TW201843522A 半色調相位移型空白光罩审中-公开
简体标题：半色调相位移型空白光罩
公开(公告)号：TW201843522A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107108026
申请日：2018-03-09
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO , 深谷創一 , FUKAYA, SOUICHI
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要： [解決手段]一種半色調相位移型空白光罩，係在透明基板上具有：半色調相位移膜即第1膜；遮光膜即第2膜；硬遮罩膜即第3膜；及第4膜，第1膜及第3膜，係由「含有矽，對於氯系乾蝕刻具有耐性且可藉由氟系乾蝕刻加以去除」的材料所構成，第2膜及第4膜，係由「含有鉻而不含有矽，對於氟系乾蝕刻具有耐性且可藉由氯系乾蝕刻加以去除」的材料所構成。　　[效果]以簡易之圖案形成工程，使含有矽的膜殘存於為了確保高遮光度而設置於外周緣部等之含有鉻的膜上，且可降低缺陷產生之可能性而精度良好地製造「未露出含有鉻之膜的膜面，並難以引起鉻之遷移」的半色調相位移型光罩。
简体摘要： [解决手段]一种半色调相位移型空白光罩，系在透明基板上具有：半色调相位移膜即第1膜；遮光膜即第2膜；硬遮罩膜即第3膜；及第4膜，第1膜及第3膜，系由“含有硅，对于氯系干蚀刻具有耐性且可借由氟系干蚀刻加以去除”的材料所构成，第2膜及第4膜，系由“含有铬而不含有硅，对于氟系干蚀刻具有耐性且可借由氯系干蚀刻加以去除”的材料所构成。　　[效果]以简易之图案形成工程，使含有硅的膜残存于为了确保高遮光度而设置于外周缘部等之含有铬的膜上，且可降低缺陷产生之可能性而精度良好地制造“未露出含有铬之膜的膜面，并难以引起铬之迁移”的半色调相位移型光罩。

50. 发明专利

TW201839497A 空白光罩及其製造方法审中-公开
简体标题：空白光罩及其制造方法
公开(公告)号：TW201839497A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106145469
申请日：2017-12-25
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：高坂卓郎 , KOSAKA, TAKURO , 稲月判臣 , INAZUKI, YUKIO
IPC分类号： G03F1/32 , C23C14/06 , C23C14/34
摘要： [解決手段]一種具有透明基板，與該透明基板上所形成的(A)膜與(B)膜各1層或2層以上，且(A)膜與(B)膜相接合而形成的空白光罩，其中，　　(A)膜為含有鉻與氮，但不含有矽之膜，　　(B)膜為含有矽與氧，但不含有過渡金屬之膜；　　使用飛行時間型二次離子質譜分析法(TOF-SIMS)，由膜的厚度方向測定二次離子強度時，於上述(A)膜與(B)膜之界面或界面附近，SiCrO5的二次離子強度成為極大值的深度位置中，Cr2O5的二次離子強度，較SiN的二次離子強度為更低。　　[效果]可提供一種於空白光罩及光罩中，含有含有鉻之膜與含有矽之膜相接合的膜結構時，抑制因時間經過而變化所致之發生缺陷的空白光罩及光罩。
简体摘要： [解决手段]一种具有透明基板，与该透明基板上所形成的(A)膜与(B)膜各1层或2层以上，且(A)膜与(B)膜相接合而形成的空白光罩，其中，　　(A)膜为含有铬与氮，但不含有硅之膜，　　(B)膜为含有硅与氧，但不含有过渡金属之膜；　　使用飞行时间型二次离子质谱分析法(TOF-SIMS)，由膜的厚度方向测定二次离子强度时，于上述(A)膜与(B)膜之界面或界面附近，SiCrO5的二次离子强度成为极大值的深度位置中，Cr2O5的二次离子强度，较SiN的二次离子强度为更低。　　[效果]可提供一种于空白光罩及光罩中，含有含有铬之膜与含有硅之膜相接合的膜结构时，抑制因时间经过而变化所致之发生缺陷的空白光罩及光罩。

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