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41. 发明专利

TW201842421A 光阻下層膜材料、圖案形成方法及光阻下層膜形成方法审中-公开
简体标题：光阻下层膜材料、图案形成方法及光阻下层膜形成方法
公开(公告)号：TW201842421A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107110584
申请日：2018-03-28
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：佐藤裕典 , SATOH, HIRONORI , 長井洋子 , NAGAI, HIROKO , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/34 , G03F7/20
摘要：本發明提供有優良的鹼性過氧化氫水耐性、良好的填埋/平坦化特性、及乾蝕刻特性之光阻下層膜材料、使用其之圖案形成方法、及光阻下層膜形成方法。一種光阻下層膜材料，係多層光阻法中使用的光阻下層膜材料，含有(A1)下列通式(X)表示之化合物中之一種或二種以上、及(B)有機溶劑。 [化1]式中，n01表示1~10之整數，n01為2時，W表示亞磺醯基、磺醯基、醚基、或碳數2~50之2價有機基，n01為2以外之整數時，W表示碳數2~50之n01價有機基。又，Y為單鍵或碳數1~10之亦可含有氧原子之2價連結基。
简体摘要：本发明提供有优良的碱性过氧化氢水耐性、良好的填埋/平坦化特性、及干蚀刻特性之光阻下层膜材料、使用其之图案形成方法、及光阻下层膜形成方法。一种光阻下层膜材料，系多层光阻法中使用的光阻下层膜材料，含有(A1)下列通式(X)表示之化合物中之一种或二种以上、及(B)有机溶剂。 [化1]式中，n01表示1~10之整数，n01为2时，W表示亚磺酰基、磺酰基、醚基、或碳数2~50之2价有机基，n01为2以外之整数时，W表示碳数2~50之n01价有机基。又，Y为单键或碳数1~10之亦可含有氧原子之2价链接基。

42. 发明专利

TWI641914B 光阻下層膜材料、圖案形成方法、光阻下層膜形成方法及光阻下層膜材料用化合物有权
简体标题：光阻下层膜材料、图案形成方法、光阻下层膜形成方法及光阻下层膜材料用化合物
公开(公告)号：TWI641914B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106122461
申请日：2017-07-05
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 菊地里枝 , KIKUCHI, RIE , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 美谷島祐介 , BIYAJIMA, YUSUKE , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027

43. 发明专利

TWI624732B 半導體裝置用基板之製造方法有权
简体标题：半导体设备用基板之制造方法
公开(公告)号：TWI624732B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106112708
申请日：2017-04-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 菊地里枝 , KIKUCHI, RIE
IPC分类号： G03F7/11

44. 发明专利

TW201809889A 光阻下層膜材料、圖案形成方法、光阻下層膜形成方法及光阻下層膜材料用化合物审中-公开
简体标题：光阻下层膜材料、图案形成方法、光阻下层膜形成方法及光阻下层膜材料用化合物
公开(公告)号：TW201809889A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106122461
申请日：2017-07-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 菊地里枝 , KIKUCHI, RIE , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 美谷島祐介 , BIYAJIMA, YUSUKE , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/025 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/202 , H01L21/0332 , H01L21/311 , H01L21/31144
摘要：本發明提供一種光阻下層膜材料，可利用高能射線照射進行硬化，於半導體裝置製造步驟之利用多層光阻法所為之微細圖案化處理中，可形成有優良的填埋/平坦化特性且有適當的蝕刻耐性、光學特性之光阻下層膜，並提供使用了該光阻下層膜材料之圖案形成方法、光阻下層膜形成方法、及適合使用在該光阻下層膜材料的新穎化合物。係一種多層光阻法中使用的光阻下層膜材料，包括：(A)下列通式(1)表示之化合物中之一種或二種以上、及(B)有機溶劑。式中，W為碳數2~50之n價有機基。X為下列通式(1X)表示之1價有機基。N為1~10之整數。式中，破折線表示原子鍵結。R01為丙烯醯基或甲基丙烯醯基。Y為單鍵或羰基。Z為碳數1~30之1價有機基。
简体摘要：本发明提供一种光阻下层膜材料，可利用高能射线照射进行硬化，于半导体设备制造步骤之利用多层光阻法所为之微细图案化处理中，可形成有优良的填埋/平坦化特性且有适当的蚀刻耐性、光学特性之光阻下层膜，并提供使用了该光阻下层膜材料之图案形成方法、光阻下层膜形成方法、及适合使用在该光阻下层膜材料的新颖化合物。系一种多层光阻法中使用的光阻下层膜材料，包括：(A)下列通式(1)表示之化合物中之一种或二种以上、及(B)有机溶剂。式中，W为碳数2~50之n价有机基。X为下列通式(1X)表示之1价有机基。N为1~10之整数。式中，破折线表示原子键结。R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基。Y为单键或羰基。Z为碳数1~30之1价有机基。

45. 发明专利

TW201708966A 光阻下層膜材料、圖案形成方法及化合物审中-公开
简体标题：光阻下层膜材料、图案形成方法及化合物
公开(公告)号：TW201708966A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105121867
申请日：2016-07-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 郡大佑 , KORI, DAISUKE , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/11 , C07C13/62 , G03F1/76 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： C07D493/10 , C07C39/17 , C07C2603/52 , C08G8/02 , C08G8/20 , C08G8/36 , C08L61/06 , C08L61/12 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , C08L63/00
摘要：本發明提供填埋特性優異、散逸氣體之發生少且耐熱性高之光阻下層膜材料。係於微影使用之光阻下層膜材料，其特徵為含有具茚并茀結構之化合物。
简体摘要：本发明提供填埋特性优异、散逸气体之发生少且耐热性高之光阻下层膜材料。系于微影使用之光阻下层膜材料，其特征为含有具茚并茀结构之化合物。

46. 发明专利

TW201641166A 微影用塗布膜之形成方法审中-公开
简体标题：微影用涂布膜之形成方法
公开(公告)号：TW201641166A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105110683
申请日：2016-04-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： B05C11/10 , B05D1/40 , B01D11/04
CPC分类号： B01D65/02 , G03F7/162 , H01L21/0271
摘要：本發明之課題為提供一種使用微影用塗布膜形成用組成物而形成塗布缺陷大幅減少之微影用塗布膜的方法。本發明提供一種微影用塗布膜之形成方法，係使用具備框體與過濾膜成為一體之一體型過濾器的旋轉塗布裝置，於半導體裝置製造用基板上旋轉塗布微影用塗布膜形成用組成物，並將該塗布有微影用塗布膜形成用組成物之半導體裝置製造用基板加熱，藉此於該半導體裝置製造用基板上形成微影用塗布膜；其特徵為：作為該一體型過濾器，係使用將有機溶劑以每分鐘10ml之速度循環24小時時所萃取之每一個過濾器之溶出物之重量為3mg以下者。
简体摘要：本发明之课题为提供一种使用微影用涂布膜形成用组成物而形成涂布缺陷大幅减少之微影用涂布膜的方法。本发明提供一种微影用涂布膜之形成方法，系使用具备框体与过滤膜成为一体之一体型过滤器的旋转涂布设备，于半导体设备制造用基板上旋转涂布微影用涂布膜形成用组成物，并将该涂布有微影用涂布膜形成用组成物之半导体设备制造用基板加热，借此于该半导体设备制造用基板上形成微影用涂布膜；其特征为：作为该一体型过滤器，系使用将有机溶剂以每分钟10ml之速度循环24小时时所萃取之每一个过滤器之溶出物之重量为3mg以下者。

47. 发明专利

TW201632535A 含氟的矽化合物與其製造方法、及含氟的矽樹脂之製造方法审中-公开
简体标题：含氟的硅化合物与其制造方法、及含氟的硅树脂之制造方法
公开(公告)号：TW201632535A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW105103210
申请日：2016-02-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 種田義則 , TANEDA, YOSHINORI , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 橘誠一郎 , TACHIBANA, SEIICHIRO
IPC分类号： C07F7/18 , C08G77/06 , C08G77/24
CPC分类号： C08G77/24 , C07F7/1836 , C07F7/184 , C07F7/188 , C08G77/80 , C08G79/08
摘要：本發明提供作為半導體元件製造步驟之微細加工使用之含矽中間膜形成用組成物、及含矽之光阻組成物之原料等為有用且保存安定性良好之含氟的矽化合物。下列通式(1)表示之含氟的矽化合物，【化1】式中，R1 各自獨立地為碳數1~6之烴基，R2 各自獨立地為氫原子或碳數1~6之烴基。n為符合0≦n≦2之整數。
简体摘要：本发明提供作为半导体组件制造步骤之微细加工使用之含硅中间膜形成用组成物、及含硅之光阻组成物之原料等为有用且保存安定性良好之含氟的硅化合物。下列通式(1)表示之含氟的硅化合物，【化1】式中，R1 各自独立地为碳数1~6之烃基，R2 各自独立地为氢原子或碳数1~6之烃基。n为符合0≦n≦2之整数。

48. 发明专利

TWI524146B 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法有权
简体标题：含硅之光阻下层膜形成用组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TWI524146B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103133972
申请日：2014-09-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 美谷島祐介 , BIYAJIMA, YUSUKE
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： H01L21/3086 , C08G77/045 , C08G77/18 , C08L83/04 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32139

49. 发明专利

TW201605770A 4級銨鹽化合物、光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法审中-公开
简体标题： 4级铵盐化合物、光阻下层膜形成用组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TW201605770A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104117711
申请日：2015-06-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C07C211/63 , C07C229/10 , C07C219/06 , C08L83/04 , C08K5/19 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/32135 , C07C211/63 , C07C219/14 , C07C219/28 , C07C229/12 , C07C229/38 , C07C2603/24 , C08K5/19 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/094 , H01L21/0276 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：本發明提供一種4級銨鹽化合物，藉由添加於光阻下層膜形成用組成物，尤其於KrF曝光處理，比起使用習知之含矽光阻下層膜時更能抑制反射，改善圖案形狀。一種下列通式(A-1)表示之4級銨鹽化合物；【化1】 (式中，R1 、R2 、R3 表示烷基、烯基、芳基、或芳烷基，且一部分或全部的氫原子也可以取代為羥基、烷氧基、或鹵素原子，且也可以有羰基、酯鍵中之1種以上。R4 表示單鍵、伸烷基、伸烯基、伸芳基、或伸芳烷基，且一部分或全部的氫原子也可以取代為烷氧基或鹵素原子，也可以有醚鍵、羰基、酯鍵、醯胺鍵中之1種以上。A- 為非親核性相對離子)。
简体摘要：本发明提供一种4级铵盐化合物，借由添加于光阻下层膜形成用组成物，尤其于KrF曝光处理，比起使用习知之含硅光阻下层膜时更能抑制反射，改善图案形状。一种下列通式(A-1)表示之4级铵盐化合物；【化1】 (式中，R1 、R2 、R3 表示烷基、烯基、芳基、或芳烷基，且一部分或全部的氢原子也可以取代为羟基、烷氧基、或卤素原子，且也可以有羰基、酯键中之1种以上。R4 表示单键、伸烷基、伸烯基、伸芳基、或伸芳烷基，且一部分或全部的氢原子也可以取代为烷氧基或卤素原子，也可以有醚键、羰基、酯键、酰胺键中之1种以上。A- 为非亲核性相对离子)。

50. 发明专利

TW201602172A 光阻組成物之製造方法及圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物之制造方法及图案形成方法
公开(公告)号：TW201602172A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104110586
申请日：2015-04-01
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 岩淵元亮 , IWABUCHI, MOTOAKI
IPC分类号： C08G77/34 , C08G8/10 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/32139 , B01D61/14 , C08G77/04 , C09D183/04 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/2041 , G03F7/325 , H01L21/0271 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本發明之目的在於提供能夠製造塗佈缺陷減少之光阻組成物之光阻組成物之製造方法。一種光阻組成物之製造方法，係於半導體裝置製造步驟使用，將前述光阻組成物之製造裝置以洗滌液洗滌，並將該洗滌液從前述製造裝置取出和分析，洗滌直到該洗滌液中所含之金屬成分之濃度成為5ppb以下後，以前述製造裝置製造前述光阻組成物。
简体摘要：本发明之目的在于提供能够制造涂布缺陷减少之光阻组成物之光阻组成物之制造方法。一种光阻组成物之制造方法，系于半导体设备制造步骤使用，将前述光阻组成物之制造设备以洗涤液洗涤，并将该洗涤液从前述制造设备取出和分析，洗涤直到该洗涤液中所含之金属成分之浓度成为5ppb以下后，以前述制造设备制造前述光阻组成物。

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