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41. 实用新型

TWM403745U 氣相沉積設備用的載盤結構（一）有权
简体标题：气相沉积设备用的载盘结构（一）
公开(公告)号：TWM403745U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：TW099218918
申请日：2010-09-30
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：王派天
IPC分类号： H01L
摘要：一種氣相沉積設備用的載盤結構，係在一圓形盤體的上表面設置13～14個用來承載4吋圓形基板的圓形承載凹部，每一所述承載凹部的底面形成為往上方凸起的弧面，且該凹部的內徑設有用於支撐一基板的支承部，所述弧面的最高位置低於該支承部的上表面。
简体摘要：一种气相沉积设备用的载盘结构，系在一圆形盘体的上表面设置13～14个用来承载4吋圆形基板的圆形承载凹部，每一所述承载凹部的底面形成为往上方凸起的弧面，且该凹部的内径设有用于支撑一基板的支承部，所述弧面的最高位置低于该支承部的上表面。

42. 发明专利

TW201114068A 交流式發光元件审中-公开
简体标题：交流式发光组件
公开(公告)号：TW201114068A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099128163
申请日：2010-08-24
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：丁逸聖 , 鄭惟綱 , 潘錫明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/504 , H01L2224/14 , H01L2224/48095 , H01L2224/49107 , H01L2924/0002 , H05B33/0806 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種交流式發光元件,其係揭露使用一光補償層於一交流式發光二極體之出光面,該光補償層之材料可為磷光或螢光材料,其發光機制主要為電洞電子對於三重態發光之機制,以吸收該交流式發光二極體之光線,以進行補償於該交流式發光二極體於電源之每週期下之正半週期變為負半週期時所造成之閃爍,使該交流式發光二極體可以進行全時發光。
简体摘要：本发明系提供一种交流式发光组件,其系揭露使用一光补偿层于一交流式发光二极管之出光面,该光补偿层之材料可为磷光或萤光材料,其发光机制主要为电洞电子对于三重态发光之机制,以吸收该交流式发光二极管之光线,以进行补偿于该交流式发光二极管于电源之每周期下之正半周期变为负半周期时所造成之闪烁,使该交流式发光二极管可以进行全时发光。

43. 发明专利

TW201015743A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201015743A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW097137793
申请日：2008-10-01
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：鄭惟綱 , 李佳霖 , 潘錫明 , 黃國欽
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係有關於一種發光二極體及其製造方法，該發光二極體係包含一發光二極體、至少一金屬襯墊及一螢光層。本發明之主要特徵在於，使金屬襯墊暴露，以方便日後進行打線及封裝製程。另一特徵為本發明所提供之發光二極體即為單一混光晶粒，直接進行封裝即可，不須於封裝膠上塗佈螢光粉，如此螢光層與封裝膠不為同時進行，而且為不同材料，如此有效減少被封裝之發光二極體內所產生之應力問題。
简体摘要：本发明系有关于一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管系包含一发光二极管、至少一金属衬垫及一萤光层。本发明之主要特征在于，使金属衬垫暴露，以方便日后进行打线及封装制程。另一特征为本发明所提供之发光二极管即为单一混光晶粒，直接进行封装即可，不须于封装胶上涂布萤光粉，如此萤光层与封装胶不为同时进行，而且为不同材料，如此有效减少被封装之发光二极管内所产生之应力问题。

44. 发明专利

TW201010132A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201010132A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW097132776
申请日：2008-08-27
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃國欽 , 朱胤丞 , 潘錫明 , 鄭惟綱
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種發光二極體，該發光二極體包含一第一半導體層、一發光層、一第二半導體層、一第一電極、一第二電極、一基板及一支撐層。該發光二極體利用該支撐層支撐，以減少該發光二極體所產生之應力問題。另該基板更具有複數凸狀結構，並於該基板形成複數溝渠，以便該支撐層容易形成及附著於該基板上。
简体摘要：本发明系有关于一种发光二极管，该发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极、一第二电极、一基板及一支撑层。该发光二极管利用该支撑层支撑，以减少该发光二极管所产生之应力问题。另该基板更具有复数凸状结构，并于该基板形成复数沟渠，以便该支撑层容易形成及附着于该基板上。

45. 发明专利

TWI310248B 覆晶式發光二極體封裝結構 FLIP-CHIP LED PACKAGE STRUCTURE 有权
简体标题：覆晶式发光二极管封装结构 FLIP-CHIP LED PACKAGE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI310248B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW095133983
申请日：2006-09-14
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：溫偉値 WEN, WAY-JZE , 林藝峰 LIN, YI-FONG , 潘錫明 PAN, SHYI-MING , 簡奉任 CHIEN, FEN-REN
IPC分类号： H01L
摘要：一種覆晶式發光二極體封裝結構,包括子基座、第一圖案化導電反射膜、第二圖案化導電反射膜、發光二極體晶片、以及多個凸塊。其中,子基座具有多個凹槽,且第一圖案化導電反射膜及/或第二圖案化導電反射膜是填入至少一部分的凹槽內。發光二極體晶片是配置於子基座上方,且發光二極體晶片具有二電極,以藉由這些電極而與第一圖案化導電反射膜及第二圖案化導電反射膜電性連接。另外,這些凸塊是分別配置於電極與第一圖案化導電反射膜及第二圖案化導電反射膜之間。
简体摘要：一种覆晶式发光二极管封装结构,包括子基座、第一图案化导电反射膜、第二图案化导电反射膜、发光二极管芯片、以及多个凸块。其中,子基座具有多个凹槽,且第一图案化导电反射膜及/或第二图案化导电反射膜是填入至少一部分的凹槽内。发光二极管芯片是配置于子基座上方,且发光二极管芯片具有二电极,以借由这些电极而与第一图案化导电反射膜及第二图案化导电反射膜电性连接。另外,这些凸块是分别配置于电极与第一图案化导电反射膜及第二图案化导电反射膜之间。

46. 发明专利

TW200908379A 製作供發光二極體用之基板的方法及發光二極體 METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：制作供发光二极管用之基板的方法及发光二极管 METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200908379A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW096129586
申请日：2007-08-10
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：鄭惟綱 CHENG, WEI KANG , 潘錫明 PAN, SHYI MING , 黃國欽 HUANG, KUO CHIN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種製作供發光二極體用之基板的方法及其發光二極體。製作供發光二極體用之基板的方法包含下列步驟:(a)提供一基板材料;(b)以乾蝕刻製程搭配遮罩,將基板材料之表面蝕刻成柱狀結構;(c)以濕蝕刻製程將基板材料之表面上的柱狀結構蝕刻成角錐狀結構。藉此,本發明可製作出具有角錐狀結構表面的基板。
简体摘要：本发明揭露一种制作供发光二极管用之基板的方法及其发光二极管。制作供发光二极管用之基板的方法包含下列步骤:(a)提供一基板材料;(b)以干蚀刻制程搭配遮罩,将基板材料之表面蚀刻成柱状结构;(c)以湿蚀刻制程将基板材料之表面上的柱状结构蚀刻成角锥状结构。借此,本发明可制作出具有角锥状结构表面的基板。

47. 发明专利

TW200849647A 氮化鎵系發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化镓系发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200849647A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096120865
申请日：2007-06-08
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 黃政國 , 莊基陽 , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/46
摘要：本發明係有關於一種氮化鎵系發光二極體及其製造方法,該發光二極體係包含一基板、一設於該基板上之N型半導體層、一設於該N型半導體層上之主動層、一設於該主動層上之P型半導體層、一設於該P型半導體層上之導電層、一設於該導電層上之第一電極及一設於部分暴露之該N型半導體層上之第二電極,本發明之發光二極體於該P型半導體層上並與該第一電極相對應處設置一阻抗反射層或一接觸窗,如此使電流可往該阻抗反射層或該接觸窗旁邊通過,並傳導至該主動層產生光,光傳導至該導電層輻射出去時,不會受到該第一電極吸收或遮蔽,達到電流有效分佈於導電層之功效,因此可增加該發光二極體之發光亮度及發光效率,另外又可增加該導電層與該P型半導體層的黏著性,因此可減少進行製程時所產生的金屬剝落問題。
简体摘要：本发明系有关于一种氮化镓系发光二极管及其制造方法,该发光二极管系包含一基板、一设于该基板上之N型半导体层、一设于该N型半导体层上之主动层、一设于该主动层上之P型半导体层、一设于该P型半导体层上之导电层、一设于该导电层上之第一电极及一设于部分暴露之该N型半导体层上之第二电极,本发明之发光二极管于该P型半导体层上并与该第一电极相对应处设置一阻抗反射层或一接触窗,如此使电流可往该阻抗反射层或该接触窗旁边通过,并传导至该主动层产生光,光传导至该导电层辐射出去时,不会受到该第一电极吸收或屏蔽,达到电流有效分布于导电层之功效,因此可增加该发光二极管之发光亮度及发光效率,另外又可增加该导电层与该P型半导体层的黏着性,因此可减少进行制程时所产生的金属剥落问题。

48. 发明专利

TW200814365A 覆晶式發光二極體封裝結構 FLIP-CHIP LED PACKAGE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：覆晶式发光二极管封装结构 FLIP-CHIP LED PACKAGE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200814365A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW095133983
申请日：2006-09-14
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：溫偉値 WEN, WAY JZE , 林藝峰 LIN, YI FONG , 潘錫明 PAN, SHYI MING , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：一種覆晶式發光二極體封裝結構,包括子基座、第一圖案化導電反射膜、第二圖案化導電反射膜、發光二極體晶片、以及多個凸塊。其中,子基座具有多個凹槽,且第一圖案化導電反射膜及/或第二圖案化導電反射膜是填入至少一部分的凹槽內。發光二極體晶片是配置於子基座上方,且發光二極體晶片具有二電極,以藉由這些電極而與第一圖案化導電反射膜及第二圖案化導電反射膜電性連接。另外,這些凸塊是分別配置於電極與第一圖案化導電反射膜及第二圖案化導電反射膜之間。
简体摘要：一种覆晶式发光二极管封装结构,包括子基座、第一图案化导电反射膜、第二图案化导电反射膜、发光二极管芯片、以及多个凸块。其中,子基座具有多个凹槽,且第一图案化导电反射膜及/或第二图案化导电反射膜是填入至少一部分的凹槽内。发光二极管芯片是配置于子基座上方,且发光二极管芯片具有二电极,以借由这些电极而与第一图案化导电反射膜及第二图案化导电反射膜电性连接。另外,这些凸块是分别配置于电极与第一图案化导电反射膜及第二图案化导电反射膜之间。

49. 发明专利

TWI291250B 發光二極體結構 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE 有权
简体标题：发光二极管结构 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI291250B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW095101412
申请日：2006-01-13
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：李允立 LI, YUN LI , 溫子稷 WEN, TZU CHI , 武良文 WU, LIANG WEN , 陳啓瑞 CHEN, CHI JUI , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體結構，其包括：一基板、一第一型摻雜半導體層、一絕緣層、多個發光層、一第二型摻雜半導體層、一第一接墊以及一第二接墊。第一型摻雜半導體層位於基板上，具有多個開孔之絕緣層位於第一型摻雜半導體層上，以曝露出部分的第一型摻雜半導體層，多個發光層分別配置於絕緣層中所對應的開孔內，第二型摻雜半導體層位於絕緣層及發光層上，第一接墊位於第一型摻雜半導體層上，且與第一型摻雜半導體層電性連接，第二接墊位於第二型摻雜半導體層上，且與第二型摻雜半導體層電性連接。此外，本發明亦可藉由空氣間隙使各發光層相互獨立。
简体摘要：一种发光二极管结构，其包括：一基板、一第一型掺杂半导体层、一绝缘层、多个发光层、一第二型掺杂半导体层、一第一接垫以及一第二接垫。第一型掺杂半导体层位于基板上，具有多个开孔之绝缘层位于第一型掺杂半导体层上，以曝露出部分的第一型掺杂半导体层，多个发光层分别配置于绝缘层中所对应的开孔内，第二型掺杂半导体层位于绝缘层及发光层上，第一接垫位于第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电性连接，第二接垫位于第二型掺杂半导体层上，且与第二型掺杂半导体层电性连接。此外，本发明亦可借由空气间隙使各发光层相互独立。

50. 发明专利

TWI291248B 具有多方向性光散射之發光二極體之結構及其製造方法有权
简体标题：具有多方向性光散射之发光二极管之结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI291248B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW094142993
申请日：2005-12-06
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃政國 , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 李允立 LI, YUN LI , 曾煥哲 TSENG, HUAN CHE , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種具有多方向性光散射之發光二極體之結構及其製造方法，其係揭示將一金屬氧化物設置於一第二半導體層之上方，且該金屬氧化物係為不規則設置，並利用蝕刻將金屬氧化物去除並將部份第二半導體層或部份發光層或部份第一半導體層與以去除，以成為一散射層，在於該第二半導體層之上方設置一透明導電層，再於該透明導電層之上設置一第二電極，且於該散射曾設置一第一電極，藉此以將發光二極體之出光效應變成多方向性的散射。
简体摘要：本发明系提供一种具有多方向性光散射之发光二极管之结构及其制造方法，其系揭示将一金属氧化物设置于一第二半导体层之上方，且该金属氧化物系为不守则设置，并利用蚀刻将金属氧化物去除并将部份第二半导体层或部份发光层或部份第一半导体层与以去除，以成为一散射层，在于该第二半导体层之上方设置一透明导电层，再于该透明导电层之上设置一第二电极，且于该散射曾设置一第一电极，借此以将发光二极管之出光效应变成多方向性的散射。

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