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1. 发明专利

TW200723557A 具有多方向性光散射之發光二極體之結構及其製造方法审中-公开
简体标题：具有多方向性光散射之发光二极管之结构及其制造方法
公开(公告)号：TW200723557A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW094142993
申请日：2005-12-06
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃政國 , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 李允立 LI, YUN LI , 曾煥哲 TSENG, HUAN CHE , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種具有多方向性光散射之發光二極體之結構及其製造方法,其係揭示將一金屬氧化物設置於一第二半導體層之上方,且該金屬氧化物係為不規則設置,並利用蝕刻將金屬氧化物去除並將部份第二半導體層或部份發光層或部份第一半導體層與以去除,以成為一散射層,在於該第二半導體層之上方設置一透明導電層,再於該透明導電層之上設置一第二電極,且於該散射曾設置一第一電極,藉此以將發光二極體之出光效應變成多方向性的散射。
简体摘要：本发明系提供一种具有多方向性光散射之发光二极管之结构及其制造方法,其系揭示将一金属氧化物设置于一第二半导体层之上方,且该金属氧化物系为不守则设置,并利用蚀刻将金属氧化物去除并将部份第二半导体层或部份发光层或部份第一半导体层与以去除,以成为一散射层,在于该第二半导体层之上方设置一透明导电层,再于该透明导电层之上设置一第二电极,且于该散射曾设置一第一电极,借此以将发光二极管之出光效应变成多方向性的散射。

2. 发明专利

TWI266442B 雙迴路電極設計之發光二極體晶片 LIGHT EMITTING DIODE CHIP WITH DOUBLE CLOSE-LOOP ELECTRODE DESIGN 有权
简体标题：双回路电极设计之发光二极管芯片 LIGHT EMITTING DIODE CHIP WITH DOUBLE CLOSE-LOOP ELECTRODE DESIGN
公开(公告)号：TWI266442B
公开(公告)日：2006-11-11
申请号：TW094141092
申请日：2005-11-23
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：李允立 LI, YUN LI , 馮輝慶 FENG, HUI CHING
IPC分类号： H01L
摘要：一種雙迴路電極設計之發光二極體晶片，包括一基板、一第一型摻雜半導體層、一發光層、一第二型摻雜半導體層、一第一電極層及一第二電極層。第一型摻雜半導體層配置於基板上，而發光層配置於第一型摻雜半導體層上，且第二型摻雜半導體層配置於發光層上。第一電極層配置於第一型摻雜半導體層上，且第一電極層呈封閉迴圈圖案。第二電極層配置於第二型摻雜半導體層上，並位於第一電極層所圍成的區域內，且第二電極層呈封閉迴圈圖案。如此，雙迴路電極設計之發光二極體晶片可避免因電極斷裂而降低發光效率。
简体摘要：一种双回路电极设计之发光二极管芯片，包括一基板、一第一型掺杂半导体层、一发光层、一第二型掺杂半导体层、一第一电极层及一第二电极层。第一型掺杂半导体层配置于基板上，而发光层配置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层配置于发光层上。第一电极层配置于第一型掺杂半导体层上，且第一电极层呈封闭循环图案。第二电极层配置于第二型掺杂半导体层上，并位于第一电极层所围成的区域内，且第二电极层呈封闭循环图案。如此，双回路电极设计之发光二极管芯片可避免因电极断裂而降低发光效率。

3. 发明专利

TWI291250B 發光二極體結構 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE 有权
简体标题：发光二极管结构 LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI291250B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW095101412
申请日：2006-01-13
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：李允立 LI, YUN LI , 溫子稷 WEN, TZU CHI , 武良文 WU, LIANG WEN , 陳啓瑞 CHEN, CHI JUI , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體結構，其包括：一基板、一第一型摻雜半導體層、一絕緣層、多個發光層、一第二型摻雜半導體層、一第一接墊以及一第二接墊。第一型摻雜半導體層位於基板上，具有多個開孔之絕緣層位於第一型摻雜半導體層上，以曝露出部分的第一型摻雜半導體層，多個發光層分別配置於絕緣層中所對應的開孔內，第二型摻雜半導體層位於絕緣層及發光層上，第一接墊位於第一型摻雜半導體層上，且與第一型摻雜半導體層電性連接，第二接墊位於第二型摻雜半導體層上，且與第二型摻雜半導體層電性連接。此外，本發明亦可藉由空氣間隙使各發光層相互獨立。
简体摘要：一种发光二极管结构，其包括：一基板、一第一型掺杂半导体层、一绝缘层、多个发光层、一第二型掺杂半导体层、一第一接垫以及一第二接垫。第一型掺杂半导体层位于基板上，具有多个开孔之绝缘层位于第一型掺杂半导体层上，以曝露出部分的第一型掺杂半导体层，多个发光层分别配置于绝缘层中所对应的开孔内，第二型掺杂半导体层位于绝缘层及发光层上，第一接垫位于第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电性连接，第二接垫位于第二型掺杂半导体层上，且与第二型掺杂半导体层电性连接。此外，本发明亦可借由空气间隙使各发光层相互独立。

4. 发明专利

TWI291248B 具有多方向性光散射之發光二極體之結構及其製造方法有权
简体标题：具有多方向性光散射之发光二极管之结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI291248B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW094142993
申请日：2005-12-06
申请人：璨圓光電股份有限公司
发明人：黃政國 , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 李允立 LI, YUN LI , 曾煥哲 TSENG, HUAN CHE , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種具有多方向性光散射之發光二極體之結構及其製造方法，其係揭示將一金屬氧化物設置於一第二半導體層之上方，且該金屬氧化物係為不規則設置，並利用蝕刻將金屬氧化物去除並將部份第二半導體層或部份發光層或部份第一半導體層與以去除，以成為一散射層，在於該第二半導體層之上方設置一透明導電層，再於該透明導電層之上設置一第二電極，且於該散射曾設置一第一電極，藉此以將發光二極體之出光效應變成多方向性的散射。
简体摘要：本发明系提供一种具有多方向性光散射之发光二极管之结构及其制造方法，其系揭示将一金属氧化物设置于一第二半导体层之上方，且该金属氧化物系为不守则设置，并利用蚀刻将金属氧化物去除并将部份第二半导体层或部份发光层或部份第一半导体层与以去除，以成为一散射层，在于该第二半导体层之上方设置一透明导电层，再于该透明导电层之上设置一第二电极，且于该散射曾设置一第一电极，借此以将发光二极管之出光效应变成多方向性的散射。

5. 发明专利

TWI257707B 覆晶式發光二極體封裝結構與發光二極體晶片 FLIP-CHIP TYPE LED PACKAGE STRUCTURE AND LED CHIP 有权
简体标题：覆晶式发光二极管封装结构与发光二极管芯片 FLIP-CHIP TYPE LED PACKAGE STRUCTURE AND LED CHIP
公开(公告)号：TWI257707B
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094125732
申请日：2005-07-29
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：李允立 LI, YUN LI , 溫偉値 WEN, WAY JZE , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體晶片，其主要包括：一基板、一第一型摻雜半導體層、多個發光層、多個第二型摻雜半導體層、一第一電極與多個第二電極，其中，第一型摻雜半導體層位於基板上，且其包括多個向上延伸之凸出部，發光層是分別配置於對應的凸出部上，第二型摻雜半導體層是分別配置於對應的發光層上，第一電極是配置於上述凸出部以外的第一型摻雜半導體層上，且與第一型摻雜半導體層電性連接，第二電極是分別配置於對應的第二型摻雜半導體層上，且與第二型摻雜半導體層電性連接，其中第一電極與第二電極電性絕緣。
简体摘要：一种发光二极管芯片，其主要包括：一基板、一第一型掺杂半导体层、多个发光层、多个第二型掺杂半导体层、一第一电极与多个第二电极，其中，第一型掺杂半导体层位于基板上，且其包括多个向上延伸之凸出部，发光层是分别配置于对应的凸出部上，第二型掺杂半导体层是分别配置于对应的发光层上，第一电极是配置于上述凸出部以外的第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电性连接，第二电极是分别配置于对应的第二型掺杂半导体层上，且与第二型掺杂半导体层电性连接，其中第一电极与第二电极电性绝缘。

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