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1. 发明专利

TW200837990A 具抗突波與靜電之發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：具抗突波与静电之发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200837990A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096108617
申请日：2007-03-13
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明為一種具抗突波與靜電之發光二極體及其製造方法,其結構包含一基板、一N型半導體層、一P型半導體層、一主動層、一第一透明導電層、一氧化層、一絕緣層、一第二透明導電層、一正電極與一負電極。其中正電極經第一透明導電層、P型半導體層、主動層與N型半導體層至負電極係形成一第一路徑供一電壓通過,以及負電極經氧化層與第二透明導電層至正電極形成一第二路徑供一電流通過,當偏壓電壓超過發光二極體之操作電壓時,將使突波電流從負電極經第二路徑傳導至正電極或從正電極經第二路徑傳導至負電極,以提供二極體具有更好之抗突波與靜電之效能。
简体摘要：本发明为一种具抗突波与静电之发光二极管及其制造方法,其结构包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一主动层、一第一透明导电层、一氧化层、一绝缘层、一第二透明导电层、一正电极与一负电极。其中正电极经第一透明导电层、P型半导体层、主动层与N型半导体层至负电极系形成一第一路径供一电压通过,以及负电极经氧化层与第二透明导电层至正电极形成一第二路径供一电流通过,当偏压电压超过发光二极管之操作电压时,将使突波电流从负电极经第二路径传导至正电极或从正电极经第二路径传导至负电极,以提供二极管具有更好之抗突波与静电之性能。

2. 发明专利

TW200849648A 發光二極體之製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管之制造方法
公开(公告)号：TW200849648A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096120866
申请日：2007-06-08
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：朱胤呈 , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種發光二極體之製造方法,係取一基板,依序形成一光子晶體結構及一磊晶結構於該基板上,然後於該磊晶結構之表面進行表面粗化,由於增加由該基板、該光子晶體結構及該磊晶結構堆積之厚度,因此可增加該發光二極體之側向光輸出,亦可減少進行黏晶製程時所產生的應力問題。
简体摘要：本发明系有关于一种发光二极管之制造方法,系取一基板,依序形成一光子晶体结构及一磊晶结构于该基板上,然后于该磊晶结构之表面进行表面粗化,由于增加由该基板、该光子晶体结构及该磊晶结构堆积之厚度,因此可增加该发光二极管之侧向光输出,亦可减少进行黏晶制程时所产生的应力问题。

3. 发明专利

TW200731555A 具有抗突波與靜電之二極體結構及製程方法审中-公开
简体标题：具有抗突波与静电之二极管结构及制程方法
公开(公告)号：TW200731555A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095104620
申请日：2006-02-10
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 藍文厚 LAN, WEN HOW , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 楊志偉 , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/14
摘要：本發明係有關於一種具有抗突波與靜電之二極體結構及製程方法,其係一二極體結構包含有一基板、一N型半導體層、一P型半導體層,一發光層、一透明導電層、一正電極、一負電極與一靜電保護層。其中正電極經透明導電層、P型半導體層、發光層與N型半導體層至負電極係形成一第一路徑供一電壓通過,且利用靜電保護層之電性,以促使負電極經靜電保護層至正電極形成一第二路徑供一電流通過,若偏壓電壓超過二極體之操作電壓,將使突波電流經靜電保護層從負電極傳導至正電極或從正電極經由靜電保護層傳導至負電極,使二極體結構不受突波與靜電影響,以提供二極體具有更好之抗突波與靜電效能。
简体摘要：本发明系有关于一种具有抗突波与静电之二极管结构及制程方法,其系一二极管结构包含有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层,一发光层、一透明导电层、一正电极、一负电极与一静电保护层。其中正电极经透明导电层、P型半导体层、发光层与N型半导体层至负电极系形成一第一路径供一电压通过,且利用静电保护层之电性,以促使负电极经静电保护层至正电极形成一第二路径供一电流通过,若偏压电压超过二极管之操作电压,将使突波电流经静电保护层从负电极传导至正电极或从正电极经由静电保护层传导至负电极,使二极管结构不受突波与静电影响,以提供二极管具有更好之抗突波与静电性能。

4. 发明专利

TWI245416B 半導體光檢測器有权
简体标题：半导体光检测器
公开(公告)号：TWI245416B
公开(公告)日：2005-12-11
申请号：TW093128888
申请日：2004-09-23
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：潘錫明 PAN, SHRI MING , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種半導體光檢測器之結構，其包括：一基板，係一具有電氣線路之結構，並在表面處至少形成一第一金屬層以及一第二金屬層，且第一金屬層以及第二金屬層係電氣連接至該基板電氣線路之對應電氣訊號輸出入節點；以及一光檢測元件，係一半導體光檢測元件，其底端接著於該基板上，且該光檢測元件係透過頂端接收入射光源。
简体摘要：本发明系关于一种半导体光检测器之结构，其包括：一基板，系一具有电气线路之结构，并在表面处至少形成一第一金属层以及一第二金属层，且第一金属层以及第二金属层系电气连接至该基板电气线路之对应电气信号输出入节点；以及一光检测组件，系一半导体光检测组件，其底端接着于该基板上，且该光检测组件系透过顶端接收入射光源。

5. 发明专利

TW200849647A 氮化鎵系發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化镓系发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200849647A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096120865
申请日：2007-06-08
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 黃政國 , 莊基陽 , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/46
摘要：本發明係有關於一種氮化鎵系發光二極體及其製造方法,該發光二極體係包含一基板、一設於該基板上之N型半導體層、一設於該N型半導體層上之主動層、一設於該主動層上之P型半導體層、一設於該P型半導體層上之導電層、一設於該導電層上之第一電極及一設於部分暴露之該N型半導體層上之第二電極,本發明之發光二極體於該P型半導體層上並與該第一電極相對應處設置一阻抗反射層或一接觸窗,如此使電流可往該阻抗反射層或該接觸窗旁邊通過,並傳導至該主動層產生光,光傳導至該導電層輻射出去時,不會受到該第一電極吸收或遮蔽,達到電流有效分佈於導電層之功效,因此可增加該發光二極體之發光亮度及發光效率,另外又可增加該導電層與該P型半導體層的黏著性,因此可減少進行製程時所產生的金屬剝落問題。
简体摘要：本发明系有关于一种氮化镓系发光二极管及其制造方法,该发光二极管系包含一基板、一设于该基板上之N型半导体层、一设于该N型半导体层上之主动层、一设于该主动层上之P型半导体层、一设于该P型半导体层上之导电层、一设于该导电层上之第一电极及一设于部分暴露之该N型半导体层上之第二电极,本发明之发光二极管于该P型半导体层上并与该第一电极相对应处设置一阻抗反射层或一接触窗,如此使电流可往该阻抗反射层或该接触窗旁边通过,并传导至该主动层产生光,光传导至该导电层辐射出去时,不会受到该第一电极吸收或屏蔽,达到电流有效分布于导电层之功效,因此可增加该发光二极管之发光亮度及发光效率,另外又可增加该导电层与该P型半导体层的黏着性,因此可减少进行制程时所产生的金属剥落问题。

6. 发明专利

TWI290379B 具有抗突波與靜電之二極體結構及製程方法有权
简体标题：具有抗突波与静电之二极管结构及制程方法
公开(公告)号：TWI290379B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW095104620
申请日：2006-02-10
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 藍文厚 LAN, WEN HOW , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 楊志偉 , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/14
摘要：本發明係有關於一種具有抗突波與靜電之二極體結構及製程方法，其係一二極體結構包含有一基板、一N型半導體層、一P型半導體層、一發光層、一透明導電層、一正電極、一負電極與一靜電保護層。其中正電極經透明導電層、P型半導體層、發光層與N型半導體層至負電極係形成一第一路徑供一電壓通過，且利用靜電保護層之電性，以促使負電極經靜電保護層至正電極形成一第二路徑供一電流通過，若偏壓電壓超過二極體之操作電壓，將使突波電流經靜電保護層從負電極傳導至正電極或從正電極經由靜電保護層傳導至負電極，使二極體結構不受突波與靜電影響，以提供二極體具有更好之抗突波與靜電效能。
简体摘要：本发明系有关于一种具有抗突波与静电之二极管结构及制程方法，其系一二极管结构包含有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一发光层、一透明导电层、一正电极、一负电极与一静电保护层。其中正电极经透明导电层、P型半导体层、发光层与N型半导体层至负电极系形成一第一路径供一电压通过，且利用静电保护层之电性，以促使负电极经静电保护层至正电极形成一第二路径供一电流通过，若偏压电压超过二极管之操作电压，将使突波电流经静电保护层从负电极传导至正电极或从正电极经由静电保护层传导至负电极，使二极管结构不受突波与静电影响，以提供二极管具有更好之抗突波与静电性能。

7. 发明专利

TW200611402A 半導體光檢測器审中-公开
简体标题：半导体光检测器
公开(公告)号：TW200611402A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW093128888
申请日：2004-09-23
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：潘錫明 PAN, SHRI MING , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種半導體光檢測器之結構，其包括：一基板，係一具有電氣線路之結構，並在表面處至少形成一第一金屬層以及一第二金屬層，且第一金屬層以及第二金屬層係電氣連接至該基板電氣線路之對應電氣訊號輸出入節點；以及一光檢測元件，係一半導體光檢測元件，其底端接著於該基板上，且該光檢測元件係透過頂端接收入射光源。
简体摘要：本发明系关于一种半导体光检测器之结构，其包括：一基板，系一具有电气线路之结构，并在表面处至少形成一第一金属层以及一第二金属层，且第一金属层以及第二金属层系电气连接至该基板电气线路之对应电气信号输出入节点；以及一光检测组件，系一半导体光检测组件，其底端接着于该基板上，且该光检测组件系透过顶端接收入射光源。

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