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1. 发明专利

TW200849647A 氮化鎵系發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化镓系发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200849647A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096120865
申请日：2007-06-08
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 HUANG, KUO CHIN , 潘錫明 PAN, SHRI MING , 黃政國 , 莊基陽 , 簡奉任 CHIEN, FEN REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/46
摘要：本發明係有關於一種氮化鎵系發光二極體及其製造方法,該發光二極體係包含一基板、一設於該基板上之N型半導體層、一設於該N型半導體層上之主動層、一設於該主動層上之P型半導體層、一設於該P型半導體層上之導電層、一設於該導電層上之第一電極及一設於部分暴露之該N型半導體層上之第二電極,本發明之發光二極體於該P型半導體層上並與該第一電極相對應處設置一阻抗反射層或一接觸窗,如此使電流可往該阻抗反射層或該接觸窗旁邊通過,並傳導至該主動層產生光,光傳導至該導電層輻射出去時,不會受到該第一電極吸收或遮蔽,達到電流有效分佈於導電層之功效,因此可增加該發光二極體之發光亮度及發光效率,另外又可增加該導電層與該P型半導體層的黏著性,因此可減少進行製程時所產生的金屬剝落問題。
简体摘要：本发明系有关于一种氮化镓系发光二极管及其制造方法,该发光二极管系包含一基板、一设于该基板上之N型半导体层、一设于该N型半导体层上之主动层、一设于该主动层上之P型半导体层、一设于该P型半导体层上之导电层、一设于该导电层上之第一电极及一设于部分暴露之该N型半导体层上之第二电极,本发明之发光二极管于该P型半导体层上并与该第一电极相对应处设置一阻抗反射层或一接触窗,如此使电流可往该阻抗反射层或该接触窗旁边通过,并传导至该主动层产生光,光传导至该导电层辐射出去时,不会受到该第一电极吸收或屏蔽,达到电流有效分布于导电层之功效,因此可增加该发光二极管之发光亮度及发光效率,另外又可增加该导电层与该P型半导体层的黏着性,因此可减少进行制程时所产生的金属剥落问题。

2. 发明专利

TW200937676A 導光型發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：导光型发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW200937676A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106669
申请日：2008-02-26
申请人：璨圓光電股份有限公司 FORMOSA EPITAXY INCORPORATION
发明人：黃國欽 , 黃政國 , 馮輝慶 , 施乃元 , 鄭惟綱 , 潘錫明
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關於一種導光型發光二極體及其製造方法,該導光型發光二極體包含一基板、一第一半導體層、一磊晶出光層、一透明導電層、一第一電極及一第二電極,該磊晶出光層包含一發光層及一第二半導體層,本發明主要特徵在於該磊晶出光層之該第二半導體層佈滿該發光層,如此可增加該導光型發光二極體之發光面積,降低該導光型發光二極體操作時的電壓,有效提升該導光型發光二極體之發光效率,而該磊晶出光層包含一孔洞,該孔洞之側壁之截面為一斜面,如此增加該導光型發光二極體之光取出效率。另可於基板及該第一半導體層設置一第一光子晶體結構,以增加該導光型發光二極體之光取出效率。
简体摘要：本发明系有关于一种导光型发光二极管及其制造方法,该导光型发光二极管包含一基板、一第一半导体层、一磊晶出光层、一透明导电层、一第一电极及一第二电极,该磊晶出光层包含一发光层及一第二半导体层,本发明主要特征在于该磊晶出光层之该第二半导体层布满该发光层,如此可增加该导光型发光二极管之发光面积,降低该导光型发光二极管操作时的电压,有效提升该导光型发光二极管之发光效率,而该磊晶出光层包含一孔洞,该孔洞之侧壁之截面为一斜面,如此增加该导光型发光二极管之光取出效率。另可于基板及该第一半导体层设置一第一光子晶体结构,以增加该导光型发光二极管之光取出效率。

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