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31. 发明专利

TW200623438A 量子點形成方法 A METHOD FOR THE SYNTHESIS OF QUNATUM DOTS 失效
简体标题：量子点形成方法 A METHOD FOR THE SYNTHESIS OF QUNATUM DOTS
公开(公告)号：TW200623438A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW093139761
申请日：2004-12-21
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：林孟東 LIN, MONG-TUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676
摘要：本發明涉及一種量子點形成方法。該量子點形成方法其包括以下步驟：首先，於一基底上形成一金屬薄膜；採用原子力顯微探針於上述金屬薄膜上形成複數奈米孔洞結構；然後，於上述具有奈米孔洞結構之金屬薄膜上沈積一第二膜層；最終，去除上述金屬薄膜及位於金屬薄膜上的第二膜層，而於上述基底上獲得複數量子點。本發明所提供之量子點形成方法，係藉由原子力顯微探針首先形成預定尺寸之奈米孔洞結構，且由於金屬具有限的熱膨脹係數，因此對設計的量子點尺寸可以有效控制。此外，本量子點形成方法可避免大量表面能態之產生。
简体摘要：本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤：首先，于一基底上形成一金属薄膜；采用原子力显微探针于上述金属薄膜上形成复数奈米孔洞结构；然后，于上述具有奈米孔洞结构之金属薄膜上沉积一第二膜层；最终，去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层，而于上述基底上获得复数量子点。本发明所提供之量子点形成方法，系借由原子力显微探针首先形成预定尺寸之奈米孔洞结构，且由于金属具有限的热膨胀系数，因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外，本量子点形成方法可避免大量表面能态之产生。

32. 发明专利

TWI242539B ZNX(X=S,SE,TE)量子點之製備方法 ZNX (X=S,SE,TE) QUANTUM DOTS PREPARATION METHOD 有权
简体标题： ZNX(X=S,SE,TE)量子点之制备方法 ZNX (X=S,SE,TE) QUANTUM DOTS PREPARATION METHOD
公开(公告)号：TWI242539B
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW092134997
申请日：2003-12-11
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳學仕 CHEN, HSUEH SHIH , 張國揚 CHANG, GWO YANG , 陳建明 CHEN, CHIEN MING
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01B19/007 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01G9/08 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L21/02554 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/127 , H01L29/22 , Y10S977/774 , Y10S977/811 , Y10S977/896
摘要：本發明提供一種ZnX(其中X係擇自於S、Se、Te與其組合物所組成之族群中)量子點之製備方法，其步驟如下：首先將S粉、Se粉、Te粉或其組合物加入有機鹼中，以超音波震盪使S粉、Se粉、Te粉或其組合物與有機鹼形成錯合物；另外將 ZnO加入有機酸中與共溶劑中，加熱使三者形成錯合物；最後將此兩液體混和，即得ZnX(X=S,Se,Te)量子點。
简体摘要：本发明提供一种ZnX(其中X系择自于S、Se、Te与其组合物所组成之族群中)量子点之制备方法，其步骤如下：首先将S粉、Se粉、Te粉或其组合物加入有机碱中，以超音波震荡使S粉、Se粉、Te粉或其组合物与有机碱形成错合物；另外将 ZnO加入有机酸中与共溶剂中，加热使三者形成错合物；最后将此两液体混和，即得ZnX(X=S,Se,Te)量子点。

33. 发明专利

TWI619231B 製作非揮發性記憶體（ＮＶＭ）胞結構之方法有权
简体标题：制作非挥发性内存（ＮＶＭ）胞结构之方法
公开(公告)号：TWI619231B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103102811
申请日：2014-01-24
申请人：恩智浦美國公司 , NXP USA, INC.
发明人：溫斯提布萊恩A , WINSTEAD, BRIAN A. , 康松泰 , KANG, SUNG-TAEG , 羅索馬克A , ROSSOW, MARC A.
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/401 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/42332 , H01L29/4234

34. 发明专利

TWI557063B 零維電子元件及其製造方法有权
简体标题：零维电子组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI557063B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW104115364
申请日：2015-05-14
申请人：張宇辰 , CHANG, YU CHEN
发明人：張宇辰 , CHANG, YU CHEN
IPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09K11/08
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/0259 , H01L21/02631 , H01L29/0665 , H01L29/155 , H01L29/157 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L31/035218 , H01L33/0062 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01L33/32 , H01L33/325 , Y02E10/544

35. 发明专利

TW201547026A 全電控自旋場效電晶體审中-公开
简体标题：全电控自旋场效应管
公开(公告)号：TW201547026A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103120263
申请日：2014-06-12
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：陳則銘 , CHEN, TSE MING , 何昇晉 , HO, SHENG JUIN , 莊博任 , CHUANG, PO JEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66984 , H01L29/0673 , H01L29/1029 , H01L29/127 , H01L29/205 , H01L29/41 , H01L29/42356 , H01L29/42372 , H01L29/778
摘要：本發明係揭露一種全電控自旋場效電晶體，包含：注入端，係注入具有第一自旋方向之電子；偵測端，係偵測具有第一自旋方向之電子；以及閘極，係位於注入端及偵測端之間，以令電子由第一自旋方向進行進動而轉變為第二自旋方向；若第二自旋方向平行於第一自旋方向，則電子可通過偵測端；若第二自旋方向反平行於第一自旋方向，則電子無法通過偵測端。
简体摘要：本发明系揭露一种全电控自旋场效应管，包含：注入端，系注入具有第一自旋方向之电子；侦测端，系侦测具有第一自旋方向之电子；以及闸极，系位于注入端及侦测端之间，以令电子由第一自旋方向进行进动而转变为第二自旋方向；若第二自旋方向平行于第一自旋方向，则电子可通过侦测端；若第二自旋方向反平行于第一自旋方向，则电子无法通过侦测端。

36. 发明专利

TW201444029A 製作非揮發性記憶體（ＮＶＭ）胞結構之方法审中-公开
简体标题：制作非挥发性内存（ＮＶＭ）胞结构之方法
公开(公告)号：TW201444029A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103102811
申请日：2014-01-24
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：溫斯提布萊恩A , WINSTEAD, BRIAN A. , 康松泰 , KANG, SUNG-TAEG , 羅索馬克A , ROSSOW, MARC A.
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/401 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/42332 , H01L29/4234
摘要：本發明揭示一種非揮發性記憶體裝置(10、50、60、70、90、110)，其包括一基板(12)及一電荷儲存層(32)(84)。該電荷儲存層包含一底部氧化物層(16)(74)(92)(112)、在該底部氧化物層上之一離散電荷儲存元件(20-30)(76-82)(84-98)層及在該等電荷儲存元件上之一頂部氧化物層(34/38)(52)(64)(86)(118)。一控制閘極(40)(58)(68)(88)(113)係在該頂部氧化物層上。面向該控制閘極之一表面之該頂部氧化物層之一表面係實質上平坦的。
简体摘要：本发明揭示一种非挥发性内存设备(10、50、60、70、90、110)，其包括一基板(12)及一电荷存储层(32)(84)。该电荷存储层包含一底部氧化物层(16)(74)(92)(112)、在该底部氧化物层上之一离散电荷存储组件(20-30)(76-82)(84-98)层及在该等电荷存储组件上之一顶部氧化物层(34/38)(52)(64)(86)(118)。一控制闸极(40)(58)(68)(88)(113)系在该顶部氧化物层上。面向该控制闸极之一表面之该顶部氧化物层之一表面系实质上平坦的。

37. 发明专利

TWI383453B 在矽上形成緩衝層架構的方法與所形成之結構有权
简体标题：在硅上形成缓冲层架构的方法与所形成之结构
公开(公告)号：TWI383453B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW098119405
申请日：2009-06-10
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：呼達特曼圖 , HUDAIT, MANTU K. , 托欽斯基彼得 , TOLCHINSKY, PETER , 周羅倫 , CHOW, LOREN A. , 盧比契夫狄米契 , LOUBYCHEV, DMITRI , 費森撓約耳 , FASTENAU, JOEL M. , 劉艾咪 , LIU, AMY W. K.
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/02546 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L29/127 , H01L29/205 , H01L29/66462

38. 发明专利

TW201044510A 量子點記憶體 QUANTUM DOT MEMORY 审中-公开
简体标题：量子点内存 QUANTUM DOT MEMORY
公开(公告)号：TW201044510A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW098119942
申请日：2009-06-15
申请人：中央研究院
发明人：張亞中 , 郭明庭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/42324 , H01L29/66977 , H01L29/7888 , Y10S438/962
摘要：本發明提供一種製造一量子點記憶單元的方法,該量子點記憶體單元包含配置在一第一電極與一第二電極間的一量子點陣列,該方法包含:取得通過該量子點記憶體單元之一穿隧電流的値,其為對該量子點記憶體單元施加之一電壓的函數;以及選擇該量子點記憶體單元之參數,使得通過該量子點記憶體單元之該穿隧電流對於對該量子點記憶體單元施加之該電壓的至少若干値呈現出一雙穩態電流。該穿隧電流的値係根據該量子點陣列之一狀態密度而決定。
简体摘要：本发明提供一种制造一量子点记忆单元的方法,该量子点内存单元包含配置在一第一电极与一第二电极间的一量子点数组,该方法包含:取得通过该量子点内存单元之一穿隧电流的値,其为对该量子点内存单元施加之一电压的函数;以及选择该量子点内存单元之参数,使得通过该量子点内存单元之该穿隧电流对于对该量子点内存单元施加之该电压的至少若干値呈现出一双稳态电流。该穿隧电流的値系根据该量子点数组之一状态密度而决定。

39. 发明专利

TW201009939A 在矽上形成緩衝層架構的方法與所形成之結構 METHODS OF FORMING BUFFER LAYER ARCHITECTURE ON SILICON AND STRUCTURES FORMED THEREBY 审中-公开
简体标题：在硅上形成缓冲层架构的方法与所形成之结构 METHODS OF FORMING BUFFER LAYER ARCHITECTURE ON SILICON AND STRUCTURES FORMED THEREBY
公开(公告)号：TW201009939A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098119405
申请日：2009-06-10
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：呼達特曼圖 , 托欽斯基彼得 , 周羅倫 , 盧比契夫狄米契 , 費森撓約耳 , 劉艾咪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02546 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L29/127 , H01L29/205 , H01L29/66462
摘要：本案描述形成微電子裝置的方法與相關結構。這些方法可以包含在一基板上形成GaSb成核層；在該GaSb成核層上形成Ga(Al)AsSb緩衝層；在該Ga(Al)AsSb緩衝層上形成In0.52Al0.48As底阻障層；及在該In0.52Al0.48As底阻障層上形成一分層InxAl1-xAs層，如此完成低缺陷裝置級InGaAs為主之量子井結構的製造。
简体摘要：本案描述形成微电子设备的方法与相关结构。这些方法可以包含在一基板上形成GaSb成核层；在该GaSb成核层上形成Ga(Al)AsSb缓冲层；在该Ga(Al)AsSb缓冲层上形成In0.52Al0.48As底阻障层；及在该In0.52Al0.48As底阻障层上形成一分层InxAl1-xAs层，如此完成低缺陷设备级InGaAs为主之量子井结构的制造。

40. 发明专利

TWI315105B 量子點形成方法 A METHOD FOR THE SYNTHESIS OF QUNATUM DOTS 失效
简体标题：量子点形成方法 A METHOD FOR THE SYNTHESIS OF QUNATUM DOTS
公开(公告)号：TWI315105B
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW093139761
申请日：2004-12-21
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：林孟東 LIN, MONG-TUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , G01Q80/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676
摘要：本發明涉及一種量子點形成方法。該量子點形成方法其包括以下步驟:首先,於一基底上形成一金屬薄膜;採用原子力顯微探針於上述金屬薄膜上形成複數奈米孔洞結構;然後,於上述具有奈米孔洞結構之金屬薄膜上沈積一第二膜層;最終,去除上述金屬薄膜及位於金屬薄膜上的第二膜層,而於上述基底上獲得複數量子點。本發明所提供之量子點形成方法,係藉由原子力顯微探針首先形成預定尺寸之奈米孔洞結構,且由於金屬具有限的熱膨脹係數,因此對設計的量子點尺寸可以有效控制。此外,本量子點形成方法可避免大量表面能態之產生。
简体摘要：本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤:首先,于一基底上形成一金属薄膜;采用原子力显微探针于上述金属薄膜上形成复数奈米孔洞结构;然后,于上述具有奈米孔洞结构之金属薄膜上沉积一第二膜层;最终,去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层,而于上述基底上获得复数量子点。本发明所提供之量子点形成方法,系借由原子力显微探针首先形成预定尺寸之奈米孔洞结构,且由于金属具有限的热膨胀系数,因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外,本量子点形成方法可避免大量表面能态之产生。

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