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热词
    • 3. 实用新型
    • 電連接器 ELECTRICAL CONNECTOR
    • 电连接器 ELECTRICAL CONNECTOR
    • TWM365563U
    • 2009-09-21
    • TW098203561
    • 2009-03-09
    • 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
    • 鄭志丕 CHENG, CHIH PI劉家豪 LIU, JIA HAU
    • H01R
    • H01R13/2435H01R12/714H05K7/1069
    • 一種電連接器,用於連接一晶片模組至電路板,其包括:定義有複數端子收容孔之絕緣本體及組裝於端子收容孔中之複數導電端子,複數導電端子包括上導電端子及下導電端子,上導電端子設有基部、由基部一側延伸之連接部、自連接部彎折之對接部、自對接部連接之彈性部、由彈性部延伸之懸臂及位於懸臂末端之接觸部,所述下導電端子包括焊接部及自焊接部向上延伸的板體,下導電端子之板體夾持上導電端子之基部底緣,並且位於同一排的下導電端子分別夾持對應的上導電端子之基部的不同位置,以使焊接部均勻排布且上導電端子之接觸部之間的間距小於下導電端子之焊接部之間的間距。本創作之電連接器之導電端子可同時連接導電片間距不同的晶片模組與電路板。
    • 一种电连接器,用于连接一芯片模块至电路板,其包括:定义有复数端子收容孔之绝缘本体及组装于端子收容孔中之复数导电端子,复数导电端子包括上导电端子及下导电端子,上导电端子设有基部、由基部一侧延伸之连接部、自连接部弯折之对接部、自对接部连接之弹性部、由弹性部延伸之悬臂及位于悬臂末端之接触部,所述下导电端子包括焊接部及自焊接部向上延伸的板体,下导电端子之板体夹持上导电端子之基部底缘,并且位于同一排的下导电端子分别夹持对应的上导电端子之基部的不同位置,以使焊接部均匀排布且上导电端子之接触部之间的间距小于下导电端子之焊接部之间的间距。本创作之电连接器之导电端子可同时连接导电片间距不同的芯片模块与电路板。
    • 9. 发明专利
    • 量子點形成方法 A METHOD FOR THE SYNTHESIS OF QUNATUM DOTS
    • 量子点形成方法 A METHOD FOR THE SYNTHESIS OF QUNATUM DOTS
    • TWI315105B
    • 2009-09-21
    • TW093139761
    • 2004-12-21
    • 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
    • 林孟東 LIN, MONG-TUNG
    • H01L
    • H01L29/127B82Y10/00G01Q80/00H01L29/0665H01L29/0673H01L29/0676
    • 本發明涉及一種量子點形成方法。該量子點形成方法其包括以下步驟:首先,於一基底上形成一金屬薄膜;採用原子力顯微探針於上述金屬薄膜上形成複數奈米孔洞結構;然後,於上述具有奈米孔洞結構之金屬薄膜上沈積一第二膜層;最終,去除上述金屬薄膜及位於金屬薄膜上的第二膜層,而於上述基底上獲得複數量子點。本發明所提供之量子點形成方法,係藉由原子力顯微探針首先形成預定尺寸之奈米孔洞結構,且由於金屬具有限的熱膨脹係數,因此對設計的量子點尺寸可以有效控制。此外,本量子點形成方法可避免大量表面能態之產生。
    • 本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤:首先,于一基底上形成一金属薄膜;采用原子力显微探针于上述金属薄膜上形成复数奈米孔洞结构;然后,于上述具有奈米孔洞结构之金属薄膜上沉积一第二膜层;最终,去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层,而于上述基底上获得复数量子点。本发明所提供之量子点形成方法,系借由原子力显微探针首先形成预定尺寸之奈米孔洞结构,且由于金属具有限的热膨胀系数,因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外,本量子点形成方法可避免大量表面能态之产生。