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31. 发明专利

TW201305731A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201305731A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101114232
申请日：2012-04-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 關明寬 , SEKI, AKIHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：本發明提供一種負型圖案形成方法，包含以下步驟：將包含開環置換聚合體氫化物作為基礎樹脂的光阻組成物塗佈於基板上，該開環置換聚合體氫化物，由具有利用酸不穩定基保護羧基之次結構的重複單元與具有內酯結構的重複單元構成；將進行塗佈後加熱處理而製作的光阻膜以高能量射線曝光；以及在實施曝光後加熱處理後，利用含有有機溶劑的顯影液選擇性地溶解光阻膜的未曝光部分。本發明之包含開環置換聚合體氫化物的光阻組成物，在有機溶劑顯影中的溶解對比高，且於利用曝光、加熱處理之酸不穩定基經去保護的狀態中，亦展現高耐乾式蝕刻性。藉由使用該光阻組成物，並進行利用有機溶劑顯影的負型圖案形成，可提升細微溝槽圖案或孔圖案之解析性能，同時可發揮高耐乾式蝕刻性。
简体摘要：本发明提供一种负型图案形成方法，包含以下步骤：将包含开环置换聚合体氢化物作为基础树脂的光阻组成物涂布于基板上，该开环置换聚合体氢化物，由具有利用酸不稳定基保护羧基之次结构的重复单元与具有内酯结构的重复单元构成；将进行涂布后加热处理而制作的光阻膜以高能量射线曝光；以及在实施曝光后加热处理后，利用含有有机溶剂的显影液选择性地溶解光阻膜的未曝光部分。本发明之包含开环置换聚合体氢化物的光阻组成物，在有机溶剂显影中的溶解对比高，且于利用曝光、加热处理之酸不稳定基经去保护的状态中，亦展现高耐干式蚀刻性。借由使用该光阻组成物，并进行利用有机溶剂显影的负型图案形成，可提升细微沟槽图案或孔图案之解析性能，同时可发挥高耐干式蚀刻性。

32. 发明专利

TWI531859B 圖案形成方法及光阻組成物有权
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TWI531859B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103107070
申请日：2014-03-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 林傳文 , LIN, CHUANWEN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 福島將大 , FUKUSHIMA, MASAHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/26 , C08F20/18 , C08K5/42 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40

33. 发明专利

TWI531560B 圖案形成方法、光阻組成物、高分子化合物及單體有权
简体标题：图案形成方法、光阻组成物、高分子化合物及单体
公开(公告)号：TWI531560B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103101197
申请日：2014-01-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： C07C69/12 , C07C69/22 , C08F220/10 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/311 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/26 , C08F2220/282 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/085 , G03F7/11 , G03F7/325

34. 发明专利

TWI522747B 圖案形成方法及光阻組成物有权
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TWI522747B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101132356
申请日：2012-09-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 飯尾匡史 , LIO, MASASHI , 須賀祐輝 , SUKA, YUKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 原田裕次 , HARADA, YUJI
IPC分类号： G03F7/038 , C08L33/14 , C08L33/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325

35. 发明专利

TWI467327B 酸產生劑、化學增幅型光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：酸产生剂、化学增幅型光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI467327B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW102106598
申请日：2013-02-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041

36. 发明专利

TWI467326B 高分子化合物之製造方法、依該製造方法所製造之高分子化合物、及包含該高分子化合物之光阻材料與圖案形成方法有权
简体标题：高分子化合物之制造方法、依该制造方法所制造之高分子化合物、及包含该高分子化合物之光阻材料与图案形成方法
公开(公告)号：TWI467326B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW102106593
申请日：2013-02-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , H01L21/027
CPC分类号： C08F14/185 , C08F8/00 , C08F220/18 , C08F220/20 , C08F220/28 , C08F2800/10 , C08F2810/50 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , C08F2220/283 , C08F2220/382 , C08F222/20

37. 发明专利

TW201446749A 圖案形成方法、光阻組成物、高分子化合物及單體审中-公开
简体标题：图案形成方法、光阻组成物、高分子化合物及单体
公开(公告)号：TW201446749A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103113065
申请日：2014-04-09
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO
IPC分类号： C07D319/12 , C08F20/26 , C08L33/14 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/24 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/40
摘要：一種圖案形成方法，係將包含藉由酸之作用形成內酯環而對有機溶劑之溶解性下降的含有式(1)表示之重複單元a1的高分子化合物的光阻組成物塗佈在基板上，加熱處理後以高能射線將光阻膜曝光，加熱處理後使用有機溶劑顯影液使未曝光部溶解，獲得曝光部不溶解之負型圖案。 (式中，R1表示H或CH3；R2、R3表示H、F、或1價烴基；R4表示H、或1價烴基；R5、R6表示1價烴基；X1表示2價烴基；k1表示0或1。)本發明之光阻組成物，於曝光、PEB後之有機溶劑顯影能獲得高溶解對比度，能將微細的孔洞圖案或溝渠圖案以良好尺寸控制及高感度形成。
简体摘要：一种图案形成方法，系将包含借由酸之作用形成内酯环而对有机溶剂之溶解性下降的含有式(1)表示之重复单元a1的高分子化合物的光阻组成物涂布在基板上，加热处理后以高能射线将光阻膜曝光，加热处理后使用有机溶剂显影液使未曝光部溶解，获得曝光部不溶解之负型图案。 (式中，R1表示H或CH3；R2、R3表示H、F、或1价烃基；R4表示H、或1价烃基；R5、R6表示1价烃基；X1表示2价烃基；k1表示0或1。)本发明之光阻组成物，于曝光、PEB后之有机溶剂显影能获得高溶解对比度，能将微细的孔洞图案或沟渠图案以良好尺寸控制及高感度形成。

38. 发明专利

TWI440975B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI440975B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW101114232
申请日：2012-04-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 關明寬 , SEKI, AKIHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/325

39. 发明专利

TW201343682A 高分子化合物及包含此高分子化合物之光阻材料及圖案形成方法、該高分子化合物之製造方法审中-公开
简体标题：高分子化合物及包含此高分子化合物之光阻材料及图案形成方法、该高分子化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201343682A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102106603
申请日：2013-02-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： C08F20/38 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/38 , C08F2220/283
摘要：本發明提供含磺酸陰離子的高分子化合物，其具有未與高分子化合物共價鍵結之烷基鋶陽離子。使用本發明之高分子化合物之光阻材料，由於鋶鹽被納入高分子主鏈且固定，故能抑制酸擴散。又，於氟化氬曝光，比起三芳基鋶鹽型光酸產生劑在該曝光波長的吸收小，結果能有良好的解像性及遮罩忠實性、改善LWR等，作為光阻材料在精密微細加工極有效。又，本發明之製造方法，係於非常溫和的條件下實施，所以能輕易地製備具有一般為不穩定的烷基鋶陽離子的含磺酸陰離子的高分子化合物。
简体摘要：本发明提供含磺酸阴离子的高分子化合物，其具有未与高分子化合物共价键结之烷基锍阳离子。使用本发明之高分子化合物之光阻材料，由于锍盐被纳入高分子主链且固定，故能抑制酸扩散。又，于氟化氩曝光，比起三芳基锍盐型光酸产生剂在该曝光波长的吸收小，结果能有良好的解像性及遮罩忠实性、改善LWR等，作为光阻材料在精密微细加工极有效。又，本发明之制造方法，系于非常温和的条件下实施，所以能轻易地制备具有一般为不稳定的烷基锍阳离子的含磺酸阴离子的高分子化合物。

40. 发明专利

TW201333630A 負型圖案形成方法及負型光阻組成物审中-公开
简体标题：负型图案形成方法及负型光阻组成物
公开(公告)号：TW201333630A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101142661
申请日：2012-11-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 須賀祐輝 , SUKA, YUKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/26 , C08F220/34 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：本發明提供一種負型圖案形成方法，其係將同時包含含有以酸不穩定基保護羥基之結構之重複單元(a1)及含選自於胺基、醯胺鍵、胺甲酸酯鍵、含氮雜環中之1種以上之結構之重複單元(a2)之高分子化合物[A]、與光酸產生劑[B]、與有機溶劑[C]之光阻組成物塗佈於基板，於塗佈後進行加熱處理並將製作之光阻膜以高能射線曝光，曝光後施以加熱處理後，以含有有機溶劑之顯影液使光阻膜之未曝光部分選擇性地溶解。本發明之包含特定結構之高分子化合物與光酸產生劑與有機溶劑之光阻組成物，藉由與有機溶劑負顯影組合而顯示高解像性，且例如可提高微細溝渠圖案或孔洞圖案之側壁垂直性、提高圖案崩塌耐性。
简体摘要：本发明提供一种负型图案形成方法，其系将同时包含含有以酸不稳定基保护羟基之结构之重复单元(a1)及含选自于胺基、酰胺键、胺甲酸酯键、含氮杂环中之1种以上之结构之重复单元(a2)之高分子化合物[A]、与光酸产生剂[B]、与有机溶剂[C]之光阻组成物涂布于基板，于涂布后进行加热处理并将制作之光阻膜以高能射线曝光，曝光后施以加热处理后，以含有有机溶剂之显影液使光阻膜之未曝光部分选择性地溶解。本发明之包含特定结构之高分子化合物与光酸产生剂与有机溶剂之光阻组成物，借由与有机溶剂负显影组合而显示高解像性，且例如可提高微细沟渠图案或孔洞图案之侧壁垂直性、提高图案崩塌耐性。

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