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31. 发明专利

TW201631397A 含有聚矽氧骨架之高分子化合物、化學增幅型負型光阻材料、光硬化性乾性膜及其製造方法、圖案形成方法、疊層體、基板及半導體裝置审中-公开
简体标题：含有聚硅氧骨架之高分子化合物、化学增幅型负型光阻材料、光硬化性干性膜及其制造方法、图案形成方法、叠层体、基板及半导体设备
公开(公告)号：TW201631397A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105100009
申请日：2016-01-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/038 , C08G77/50 , G03F7/38 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/312
CPC分类号： C08G77/14 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B2255/26 , B32B2307/206 , B32B2457/14 , C08G77/48 , C08G77/52 , C08L83/14 , C09D183/14 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0757 , G03F7/20 , H01L21/0274 , H01L21/0277
摘要：本發明提供一種含有聚矽氧骨架之高分子化合物，適合作為能改善在如銅、鋁之金屬配線、電極、基板上，尤其如氮化矽之基板上發生之剝離的問題，可於圖案底部、基板上不發生浮渣(scum)、拖尾而形成微細圖案之化學增幅型負型光阻材料之基礎樹脂。一種含有聚矽氧骨架之高分子化合物，其特徵為具有下列通式(1)表示之重複單元。【化1】
简体摘要：本发明提供一种含有聚硅氧骨架之高分子化合物，适合作为能改善在如铜、铝之金属配线、电极、基板上，尤其如氮化硅之基板上发生之剥离的问题，可于图案底部、基板上不发生浮渣(scum)、拖尾而形成微细图案之化学增幅型负型光阻材料之基础树脂。一种含有聚硅氧骨架之高分子化合物，其特征为具有下列通式(1)表示之重复单元。【化1】

32. 发明专利

TW201604653A 正型感光性樹脂組成物、光硬化性乾性膜及其製造方法、疊層體、圖案形成方法及基板审中-公开
简体标题：正型感光性树脂组成物、光硬化性干性膜及其制造方法、叠层体、图案形成方法及基板
公开(公告)号：TW201604653A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104119486
申请日：2015-06-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/075 , C08L61/04 , C08J5/18 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0236 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種正型感光性樹脂組成物，能改善在如銅、鋁之金屬配線、電極、基板上，尤其在如氮化矽之基板上發生之剝離之問題，能使用泛用的2.38%TMAH水溶液作為顯影液，於圖案底部、基板上不發生渣滓、拖尾地以順推拔形狀形成微細圖案。一種正型感光性樹脂組成物，含有:(A)將式(1)表示之矽氧烷化合物、式(2)及/或式(3)表示之苯酚類、與式(4)表示之醛・酮類於酸觸媒下縮合而得之高分子化合物;(B)因光產生酸並且對於鹼水溶液之溶解速度增大之感光材;(C)交聯劑;及(D)溶劑。【化1】【化2】【化3】【化4】
简体摘要：本发明提供一种正型感光性树脂组成物，能改善在如铜、铝之金属配线、电极、基板上，尤其在如氮化硅之基板上发生之剥离之问题，能使用泛用的2.38%TMAH水溶液作为显影液，于图案底部、基板上不发生渣滓、拖尾地以顺推拔形状形成微细图案。一种正型感光性树脂组成物，含有:(A)将式(1)表示之硅氧烷化合物、式(2)及/或式(3)表示之苯酚类、与式(4)表示之醛・酮类于酸触媒下缩合而得之高分子化合物;(B)因光产生酸并且对于碱水溶液之溶解速度增大之感光材;(C)交联剂;及(D)溶剂。【化1】【化2】【化3】【化4】

33. 发明专利

TW201522430A 高分子化合物、化學增幅型負型光阻材料、光硬化性乾性膜及其製造方法、疊層體、圖案形成方法及基板审中-公开
简体标题：高分子化合物、化学增幅型负型光阻材料、光硬化性干性膜及其制造方法、叠层体、图案形成方法及基板
公开(公告)号：TW201522430A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103128998
申请日：2014-08-22
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：浦野宏之 , URANO, HIROYUKI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 宮崎隆 , MIYAZAKI, TAKASHI
IPC分类号： C08G77/14 , G03F7/038 , G03F7/075 , B32B27/00 , B32B37/00 , B32B38/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/16 , C08G77/38 , C08G77/42 , C08G77/448 , C08L83/04 , C08L83/10 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , G03G5/05 , G03G7/00
摘要：本發明提供一種高分子化合物，能改善如銅或鋁之金屬配線、電極在基板上，尤其在如氮化矽之基板上發生剝落的問題，能作為使用泛用的2.38%TMAH水溶液作為顯影液在圖案底部、基板上不發生渣滓或拖尾地形成微細圖案的化學增幅型負型光阻材料的基礎樹脂。一種高分子化合物，係含有羧基及矽氧烷鏈，至少將(I)、(II)、及(III)於酸觸媒存在下縮合而得； (I) 下列通式(1)表示之在兩末端有苯酚基之矽氧烷化合物【化1】 (II) 下列通式(2)表示之苯酚類及下列通式(3)表示之苯酚類中之任一者或兩者；【化2】【化3】 (III) 下列通式(4)表示之1種類以上之醛‧酮類【化4】。
简体摘要：本发明提供一种高分子化合物，能改善如铜或铝之金属配线、电极在基板上，尤其在如氮化硅之基板上发生剥落的问题，能作为使用泛用的2.38%TMAH水溶液作为显影液在图案底部、基板上不发生渣滓或拖尾地形成微细图案的化学增幅型负型光阻材料的基础树脂。一种高分子化合物，系含有羧基及硅氧烷链，至少将(I)、(II)、及(III)于酸触媒存在下缩合而得； (I) 下列通式(1)表示之在两末端有苯酚基之硅氧烷化合物【化1】 (II) 下列通式(2)表示之苯酚类及下列通式(3)表示之苯酚类中之任一者或两者；【化2】【化3】 (III) 下列通式(4)表示之1种类以上之醛‧酮类【化4】。

34. 发明专利

TW201502721A 微構造體用樹脂構造體之製造方法及微構造體之製造方法审中-公开
简体标题：微构造体用树脂构造体之制造方法及微构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201502721A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103103216
申请日：2014-01-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：平野禎典 , HIRANO, YOSHINORI , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/2024 , G03F7/00 , G03F7/039 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種微構造體用樹脂構造體之製造方法，其係包含下列(A)步驟~(F)步驟：(A)使用光圖型形成性膜形成用組成物，塗佈於基板上作為光圖型形成性犧牲膜之步驟，該光圖型形成性膜形成用組成物含有：(1)酚性羥基之一部分經可藉酸而脫離之保護基保護之高分子化合物、(2)光酸產生劑、(3)環氧化合物、(4)有機溶劑、(B)加熱上述基板之步驟、(C)使用第1高能量線，沿著圖型佈線影像對上述犧牲膜進行照射之步驟、(D)以藉由鹼性顯像液進行之顯像而形成犧牲膜圖型之步驟、(E)對所得犧牲膜圖型進行作為第2高能量線之紫外線的照射之步驟、(F)在80~250℃加熱基板之步驟，其中，(C)之第1高能量線之照射量為250mJ/cm2以下，(F)步驟後之基板與犧牲膜之側壁角度保持為80°以上且90°以下。藉由本發明之製造方法，可製備耐熱性高之犧牲層圖型。
简体摘要：本发明提供一种微构造体用树脂构造体之制造方法，其系包含下列(A)步骤~(F)步骤：(A)使用光图型形成性膜形成用组成物，涂布于基板上作为光图型形成性牺牲膜之步骤，该光图型形成性膜形成用组成物含有：(1)酚性羟基之一部分经可藉酸而脱离之保护基保护之高分子化合物、(2)光酸产生剂、(3)环氧化合物、(4)有机溶剂、(B)加热上述基板之步骤、(C)使用第1高能量线，沿着图型布线影像对上述牺牲膜进行照射之步骤、(D)以借由碱性显像液进行之显像而形成牺牲膜图型之步骤、(E)对所得牺牲膜图型进行作为第2高能量线之紫外线的照射之步骤、(F)在80~250℃加热基板之步骤，其中，(C)之第1高能量线之照射量为250mJ/cm2以下，(F)步骤后之基板与牺牲膜之侧壁角度保持为80°以上且90°以下。借由本发明之制造方法，可制备耐热性高之牺牲层图型。

35. 发明专利

TW201421162A 化學增幅正型阻劑材料及圖型形成方法审中-公开
简体标题：化学增幅正型阻剂材料及图型形成方法
公开(公告)号：TW201421162A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102134527
申请日：2013-09-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：飯尾匡史 , IIO, MASASHI , 竹村勝也 , TAKEMURA, KATSUYA , 宮崎 , MIYAZAKI, TAKASHI , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/20
摘要：〔解決手段〕含有(A)基質樹脂、(B)光酸產生劑、(C)熱交聯劑、(D)有機溶劑，(A)為式(1) (R3為3級烷基，p、q、r為0或正數且0.8≦p+q+r≦1)所表示的高分子化合物，(C)為式(2) (R11為含環氧基之交聯基，R15為與R11、R12、或R13同樣。s、u及x為0或者正數，但任一一定為正數)所表示的矽氧烷化合物之化學增幅正型阻劑材料。〔效果〕本發明為容易以鹼水溶液顯影且顯影後的熱處理可賦予良好的硬化阻劑圖型膜。
简体摘要：〔解决手段〕含有(A)基质树脂、(B)光酸产生剂、(C)热交联剂、(D)有机溶剂，(A)为式(1) (R3为3级烷基，p、q、r为0或正数且0.8≦p+q+r≦1)所表示的高分子化合物，(C)为式(2) (R11为含环氧基之交联基，R15为与R11、R12、或R13同样。s、u及x为0或者正数，但任一一定为正数)所表示的硅氧烷化合物之化学增幅正型阻剂材料。〔效果〕本发明为容易以碱水溶液显影且显影后的热处理可赋予良好的硬化阻剂图型膜。

36. 发明专利

TWI432903B 圖案形成方法有权
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI432903B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101103795
申请日：2012-02-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 飯尾匡史 , IIO, MASASHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/26 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/095 , G03F7/2041

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