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31. 发明专利

TW201405565A 存取非揮發性記憶體之方法审中-公开
简体标题：存取非挥发性内存之方法
公开(公告)号：TW201405565A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101132521
申请日：2012-09-06
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：劉亦峻 , LIU, YI CHUN , 李忠勳 , LEE, CHUNG HSUN , 周銘宏 , CHOU, MING HUNG
IPC分类号： G11C16/20
CPC分类号： G11C16/10 , G06F11/1012 , G06F11/1072 , G06F11/186
摘要：揭露一種存取非揮發性記憶體之方法。一資料之原始位元以一位元層級進行複製，以產生對應於每一原始位元之複數個複製位元。至少一屏蔽位元提供於對應於不同原始位元的複製位元之間。複製位元與至少一屏蔽位元燒錄至非揮發性記憶體。原始位元則根據複製位元而予以產生或決定。
简体摘要：揭露一种存取非挥发性内存之方法。一数据之原始比特以一比特层级进行复制，以产生对应于每一原始比特之复数个复制比特。至少一屏蔽比特提供于对应于不同原始比特的复制比特之间。复制比特与至少一屏蔽比特刻录至非挥发性内存。原始比特则根据复制比特而予以产生或决定。

32. 发明专利

TW201351415A 非揮發性記憶體系統的初始化方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存系统的初始化方法
公开(公告)号：TW201351415A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101122673
申请日：2012-06-25
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：詹立翔 , CHAN, LI HSIANG , 廖國宏 , LIAO, KUO HUNG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C7/20
CPC分类号： G11C16/20 , G06F11/004 , G06F11/1666 , G06F12/0246 , G06F2212/7207
摘要：一種非揮發性記憶體系統的初始化方法。根據一公式定則，寫入複數份的系統資料至非揮發性記憶體。根據公式定則及選擇的資料存取模式，於非揮發性記憶體中搜尋系統資料。重組態選擇之資料存取模式的至少一操作參數，再檢查搜尋之系統資料是否成功讀取。當搜尋之系統資料已自非揮發性記憶體成功讀取，則使用系統資料以設定非揮發性記憶體的至少一操作參數。
简体摘要：一种非挥发性内存系统的初始化方法。根据一公式定则，写入复数份的系统数据至非挥发性内存。根据公式定则及选择的数据存取模式，于非挥发性内存中搜索系统数据。重组态选择之数据存取模式的至少一操作参数，再检查搜索之系统数据是否成功读取。当搜索之系统数据已自非挥发性内存成功读取，则使用系统数据以设置非挥发性内存的至少一操作参数。

33. 发明专利

TW201339785A 具可調適米勒補償的電壓調節器审中-公开
简体标题：具可调适米勒补偿的电压调节器
公开(公告)号：TW201339785A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101113058
申请日：2012-04-12
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：張榮富 , CHANG, JUNG FU
IPC分类号： G05F1/10
CPC分类号： G05F1/575
摘要：一種可調適米勒補償的電壓調節器，包含第一放大器及第二放大器。可調適補償電路包含串接的補償電容器及補償電晶體，耦接至第二放大器。偏壓電路產生適當的偏壓控制電壓，以動態控制可調適補償電路，使得補償電容器操作於通道弱反轉或通道強反轉的深三級管區。輸出電路產生輸出電壓，據以產生迴授電壓。補償電晶體受控於偏壓控制電壓，使其電阻隨電壓調節器的負載而改變。偏壓電路複製輸出電路之電流的至少一部分以產生鏡射電流，且根據鏡射電流以產生偏壓控制電壓。
简体摘要：一种可调适米勒补偿的电压调节器，包含第一放大器及第二放大器。可调适补偿电路包含串接的补偿电容器及补偿晶体管，耦接至第二放大器。偏压电路产生适当的偏压控制电压，以动态控制可调适补偿电路，使得补偿电容器操作于信道弱反转或信道强反转的深三级管区。输出电路产生输出电压，据以产生回授电压。补偿晶体管受控于偏压控制电压，使其电阻随电压调节器的负载而改变。偏压电路复制输出电路之电流的至少一部分以产生镜射电流，且根据镜射电流以产生偏压控制电压。

34. 发明专利

TW201324518A 位元層次記憶體控制器及控制方法审中-公开
简体标题：比特层次内存控制器及控制方法
公开(公告)号：TW201324518A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100147226
申请日：2011-12-19
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：蕭博文 , HSIAO, PO WEN , 謝宏文 , HSIEH, HUNG WEN
IPC分类号： G11C29/04 , G11C29/42 , G11C29/44
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C16/349 , G11C29/82
摘要：一種位元層次記憶體控制器及控制方法，適用以管理非揮發性記憶體的缺陷位元。壞行管理（BCM）單元取得一位元層次映射表，其分別標記缺陷位元。該BCM單元根據位元層次映射表以建構一位元層次標籤表（BLS），其包含複數項目以分別記載缺陷位元群。內部緩衝器儲存BCM單元根據位元層次標籤表所管理之資料。
简体摘要：一种比特层次内存控制器及控制方法，适用以管理非挥发性内存的缺陷比特。坏行管理（BCM）单元取得一比特层次映射表，其分别标记缺陷比特。该BCM单元根据比特层次映射表以建构一比特层次标签表（BLS），其包含复数项目以分别记载缺陷比特群。内部缓冲器存储BCM单元根据比特层次标签表所管理之数据。

35. 发明专利

TW201324077A 時脈產生器及產生時脈信號的方法审中-公开
简体标题：时脉产生器及产生时脉信号的方法
公开(公告)号：TW201324077A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101100874
申请日：2012-01-09
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：吳青正 , WU, CHING CHENG , 莊志禹 , CHUANG, CHIH YU
IPC分类号： G06F1/04
CPC分类号： G06F1/04 , H03L7/0802 , H03L7/0807 , H03L7/087 , H03L7/113 , H03L2207/50
摘要：一種時脈產生器及產生時脈信號的方法。數位控制振盪器（DCO）產生時脈信號。第一頻率校正單元萃取週期信號並決定萃取週期信號與導出時脈信號之間的頻率誤差量。當頻率誤差量的絕對值大於第一預設臨界值時，第二頻率校正單元產生粗調諧信號，且當頻率誤差量的絕對值小於第二預設臨界值時，第二頻率校正單元產生細調諧信號。
简体摘要：一种时脉产生器及产生时脉信号的方法。数码控制振荡器（DCO）产生时脉信号。第一频率校正单元萃取周期信号并决定萃取周期信号与导出时脉信号之间的频率误差量。当频率误差量的绝对值大于第一默认临界值时，第二频率校正单元产生粗调谐信号，且当频率误差量的绝对值小于第二默认临界值时，第二频率校正单元产生细调谐信号。

36. 发明专利

TW200907672A 非揮發性記憶體系統及自其讀取一資料之方法 NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR READING DATA THEREFROM 审中-公开
简体标题：非挥发性内存系统及自其读取一数据之方法 NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR READING DATA THEREFROM
公开(公告)号：TW200907672A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW096129365
申请日：2007-08-09
申请人：擎泰科技股份有限公司 SKYMEDI CORPORATION
发明人：鄭莊 CHENG, CHUANG , 須川聰 SUGAWA, SATASHI , 蔡志偉 TSAI, CHIH WEI , 張文林 CHANG, WEN LIN , 熊福嘉 SHONE, FU JA
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F13/4239 , G11C7/1042
摘要：一種非揮發性記憶體系統及自其讀取一資料之方法。此資料包含一第一子資料及一第二子資料;非揮發性記憶體系統包含一第一儲存單元及一第二儲存單元,依一順序分別儲存該等子資料。第一儲存單元讀取一第一指令,並因應第一指令暫存第一子資料,以作為一第一暫存子資料;第二儲存單元讀取一第二指令,並因應第二指令暫存第二子資料,以作為一第二暫存子資料。自第一儲存單元讀出第一暫存子資料,接著使第一儲存單元讀取一第三指令。讀取第三指令之同時,亦自第二儲存單元讀出第二暫存子資料,縮減了資料讀取時間。
简体摘要：一种非挥发性内存系统及自其读取一数据之方法。此数据报含一第一子数据及一第二子数据;非挥发性内存系统包含一第一存储单元及一第二存储单元,依一顺序分别存储该等子数据。第一存储单元读取一第一指令,并因应第一指令暂存第一子数据,以作为一第一暂存子数据;第二存储单元读取一第二指令,并因应第二指令暂存第二子数据,以作为一第二暂存子数据。自第一存储单元读出第一暂存子数据,接着使第一存储单元读取一第三指令。读取第三指令之同时,亦自第二存储单元读出第二暂存子数据,缩减了数据读取时间。

37. 发明专利

TW201543355A 快閃記憶體轉譯層的最佳化方法审中-公开
简体标题：闪存转译层的最优化方法
公开(公告)号：TW201543355A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103117075
申请日：2014-05-15
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：詹順凱 , CHAN, SHUN KAI , 蕭杏杰 , HSIAO, HSIN CHIEH
IPC分类号： G06F5/06 , G06F7/22
摘要：一種快閃記憶體轉譯層的最佳化方法，包含：(a)訓練複數資料以設定複數行為類型，因而分別得到對應的最佳化快閃記憶體轉譯層；及(b)執行記憶體存取以得到對應行為類型，並據以切換至相應的最佳化快閃記憶體轉譯層。
简体摘要：一种闪存转译层的最优化方法，包含：(a)训练复数数据以设置复数行为类型，因而分别得到对应的最优化闪存转译层；及(b)运行内存存取以得到对应行为类型，并据以切换至相应的最优化闪存转译层。

38. 发明专利

TWI497505B 多位元單元非揮發性記憶體的寫入方法有权
简体标题：多比特单元非挥发性内存的写入方法
公开(公告)号：TWI497505B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100112914
申请日：2011-04-14
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：黃漢龍 , HUANG, HAN LUNG , 周銘宏 , CHOU, MING HUNG
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/26 , G11C16/3454

39. 发明专利

TWI492164B 微安全數位轉接器有权
简体标题：微安全数码转接器
公开(公告)号：TWI492164B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW102108528
申请日：2013-03-11
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：莊鈞隆 , CHUANG, CHUN LUNG , 陳建誠 , CHEN, CHIEN CHENG , 汪政鴻 , WANG, CHENG HUNG , 王韻婷 , WANG, YUN TING , 陳明忠 , CHEN, MING CHUNG , 彭彥棋 , PENG, YEN CHI , 洪彩容 , HUNG, TSAI JUNG , 張玉芬 , CHANG, YU FEN
IPC分类号： G06K7/01 , G06F21/77 , G06F21/79
CPC分类号： H05K5/0282

40. 发明专利

TWI484414B 用於記憶體之工作排程方法及其記憶體系統有权
简体标题：用于内存之工作调度方法及其内存系统
公开(公告)号：TWI484414B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102107055
申请日：2013-02-27
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：張鈺堂 , CHANG, YU TANG , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F9/46 , G06F5/06
CPC分类号： G06F9/4881 , G06F3/061 , G06F3/0625 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/1642 , G06F2209/486 , Y02D10/154 , Y02D10/24

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