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31. 发明专利

TW201834387A 功率放大模組审中-公开
简体标题：功率放大模块
公开(公告)号：TW201834387A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142168
申请日：2017-12-01
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：石原翔太 , ISHIHARA, SHOTA , 山本靖久 , YAMAMOTO, YASUHISA
IPC分类号： H03F3/189
摘要：本發明提供一種功率放大模組，能實現功率放大模組的動作電壓的低電壓化。功率放大模組具備功率放大電路和控制IC。功率放大電路具備將RF信號進行功率放大並輸出放大信號的雙極性電晶體。控制IC具備作為對雙極性電晶體供給偏壓信號的偏壓電路而發揮功能的場效電晶體。場效電晶體能夠以低於雙極性電晶體的閾值電壓進行動作，因此能夠實現功率放大模組的動作電壓的低電壓化。
简体摘要：本发明提供一种功率放大模块，能实现功率放大模块的动作电压的低电压化。功率放大模块具备功率放大电路和控制IC。功率放大电路具备将RF信号进行功率放大并输出放大信号的双极性晶体管。控制IC具备作为对双极性晶体管供给偏压信号的偏压电路而发挥功能的场效应管。场效应管能够以低于双极性晶体管的阈值电压进行动作，因此能够实现功率放大模块的动作电压的低电压化。

32. 发明专利

TWI635670B 連接器組及連接器有权
简体标题：连接器组及连接器
公开(公告)号：TWI635670B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104116413
申请日：2015-05-22
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：浦谷力 , URATANI, CHIKARA , 星場寬之 , HOSHIBA, HIROYUKI , 池田光謙 , IKEDA, MINORU
IPC分类号： H01R13/639 , H01R12/70

33. 发明专利

TW201832301A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201832301A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106132352
申请日：2017-09-21
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：中島靜城 , NAKAJIMA, SHIZUKI
IPC分类号： H01L21/60
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，實現半導體裝置的製造成本的降低。半導體裝置的製造方法具備：(i)準備具有電極墊24的半導體晶片20和具有尺寸比電極墊24大的電極墊34且比半導體晶片20厚的半導體晶片30的步驟；(ii)將半導體晶片20、30搭載在具有均一厚度的經平坦化的封裝基板40的同一表面的步驟；(iii)將藉由對接合導線進行加熱熔融而形成的球與電極墊34進行接合的步驟；(iv)對接合導線50與電極墊24進行第一接合的步驟；以及(v)對接合導線50與球70進行第二接合的步驟。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法，实现半导体设备的制造成本的降低。半导体设备的制造方法具备：(i)准备具有电极垫24的半导体芯片20和具有尺寸比电极垫24大的电极垫34且比半导体芯片20厚的半导体芯片30的步骤；(ii)将半导体芯片20、30搭载在具有均一厚度的经平坦化的封装基板40的同一表面的步骤；(iii)将借由对接合导线进行加热熔融而形成的球与电极垫34进行接合的步骤；(iv)对接合导线50与电极垫24进行第一接合的步骤；以及(v)对接合导线50与球70进行第二接合的步骤。

34. 发明专利

TW201830602A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201830602A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106130463
申请日：2017-09-06
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：青池將之 , AOIKE, MASAYUKI , 黑川敦 , KUROKAWA, ATSUSHI , 小林敦 , KOBAYASHI, ATSUSHI
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/316 , H01L21/318
摘要：本發明的課題在於，提供一種能夠降低晶片的翹曲、鈍化膜的裂紋的半導體裝置。半導體裝置(1)具備半導體基板(2)、形成在半導體基板(2)的半導體元件(3)、與半導體元件(3)連接的金屬層(4)、以及保護半導體元件(3)的鈍化膜(11)。鈍化膜(11)交替地層疊產生壓縮應力的密度低的第一絕緣膜(12)和產生壓縮應力的密度高的第二絕緣膜(13)而形成。在最靠近半導體基板(2)的最下層配置有第一絕緣膜(12)。第一絕緣膜(12)和第二絕緣膜(13)使用氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜中的任一者來形成。
简体摘要：本发明的课题在于，提供一种能够降低芯片的翘曲、钝化膜的裂纹的半导体设备。半导体设备(1)具备半导体基板(2)、形成在半导体基板(2)的半导体组件(3)、与半导体组件(3)连接的金属层(4)、以及保护半导体组件(3)的钝化膜(11)。钝化膜(11)交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜(12)和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜(13)而形成。在最靠近半导体基板(2)的最下层配置有第一绝缘膜(12)。第一绝缘膜(12)和第二绝缘膜(13)使用氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜中的任一者来形成。

35. 发明专利

TWI630629B 電子零件的製造方法、電子零件有权
简体标题：电子零件的制造方法、电子零件
公开(公告)号：TWI630629B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW103140362
申请日：2014-11-21
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：河内譽男 , KAWACHI, TAKAO , 佐藤芳春 , SATO, YOSHIHARU , 小川高浩 , OGAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01F41/02 , H01F27/28

36. 发明专利

TWI625873B 水晶振動元件及其製造方法有权
简体标题：水晶振动组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI625873B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105139020
申请日：2016-11-28
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：池田功 , IKEDA, ISAO , 松下基憲 , MATSUSHITA, MOTONORI
IPC分类号： H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/22 , H03H9/10

37. 发明专利

TWI625748B 電容器有权
简体标题：电容器
公开(公告)号：TWI625748B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105125050
申请日：2016-08-05
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：井上德之 , INOUE, NORIYUKI , 服部和生 , HATTORI, KAZUO , 佐伯洋昌 , SAEKI, HIROMASA
IPC分类号： H01G9/012 , H01G9/08 , H01G9/15

38. 发明专利

TW201820775A 電力增幅電路审中-公开
简体标题：电力增幅电路
公开(公告)号：TW201820775A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106123654
申请日：2017-07-14
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：田中聡 , TANAKA, SATOSHI , 長谷昌俊 , HASE, MASATOSHI , 本多悠里 , HONDA, YURI , 渡邊一雄 , WATANABE, KAZUO , 曽我高志 , SOGA, TAKASHI
IPC分类号： H03F3/21
摘要：本發明提供一種能夠抑制電路規模的增大，並且實現最大輸出功率的增大的電力增幅電路。本發明的電力增幅電路包括：第一電晶體；第二電晶體；第一偏壓電路，其提供第一偏壓電流或電壓；第二偏壓電路，其提供第二偏壓電流或電壓；第一電感器；以及第一電容器，對第一電晶體的集極提供電源電壓，第一電晶體的射極接地，對第一電晶體的基極提供無線頻率信號以及第一偏壓電流或電壓，對第二電晶體的集極提供電源電壓，第二電晶體的射極通過第一電容器與第一電晶體的集極連接，並且通過第一電感器接地，對第二電晶體的基極提供第二偏壓電流或電壓，從第二電晶體的集極輸出將無線頻率信號放大後的放大信號。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制电路规模的增大，并且实现最大输出功率的增大的电力增幅电路。本发明的电力增幅电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一偏压电路，其提供第一偏压电流或电压；第二偏压电路，其提供第二偏压电流或电压；第一电感器；以及第一电容器，对第一晶体管的集极提供电源电压，第一晶体管的射极接地，对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏压电流或电压，对第二晶体管的集极提供电源电压，第二晶体管的射极通过第一电容器与第一晶体管的集极连接，并且通过第一电感器接地，对第二晶体管的基极提供第二偏压电流或电压，从第二晶体管的集极输出将无线频率信号放大后的放大信号。

39. 发明专利

TW201813088A 異質接面雙極性電晶體审中-公开
简体标题：异质接面双极性晶体管
公开(公告)号：TW201813088A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106100915
申请日：2017-01-12
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 吉田茂 , YOSHIDA, SHIGERU , 大部功 , OBU, ISAO
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/0817 , H01L29/158 , H01L29/66242 , H01L29/66318
摘要：本發明提供一種抑制電流放大率的降低以及基極-射極間反向耐壓的降低，並且實現高效率化的HBT。在異質接面雙極性電晶體中，集極層、基極層、射極層以及半導體層依序積層，射極層包括在上表面積層有半導體層的第一區域和與第一區域鄰接設置且上表面露出的第二區域，對於射極層的第一區域以及第二區域中的摻雜濃度而言，上表面附近比與基極層的介面附近高。
简体摘要：本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极-射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质接面双极性晶体管中，集极层、基极层、射极层以及半导体层依序积层，射极层包括在上表面积层有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。

40. 发明专利

TWI616912B 電容器及其製造方法有权
简体标题：电容器及其制造方法
公开(公告)号：TWI616912B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105114774
申请日：2016-05-12
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：神凉康一 , KANRYO, KOICHI , 井上徳之 , INOUE, NORIYUKI , 佐伯洋昌 , SAEKI, HIROMASA , 荒川建夫 , ARAKAWA, TAKEO , 服部和生 , HATTORI, KAZUO , 伊藤賢 , ITO, KEN
IPC分类号： H01G9/04
CPC分类号： H01G9/15 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01G4/33 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/012 , H01G9/028 , H01G9/26 , H01L28/75

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