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31. 发明专利

TW202026633A 在感測器環境中的液體檢測及其補救措施审中-公开
简体标题：在传感器环境中的液体检测及其补救措施
公开(公告)号：TW202026633A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108125836
申请日：2019-07-22
申请人：美商伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：米克勞斯卡林 , MICLAUS, CALIN , 林宗賢 , LIN, CHUNG-HSIEN , 任頡 , REN, JYE , 派森斯提姆 , PIESSENS, TIM , 嚴沛文 , YEN, PEI-WEN , 沙瑪庫拉瑪法曼尼西 , SHARMA-KULAMARVA, MANISH
IPC分类号： G01N27/06 , G01R31/26
摘要：一種裝置包含感測器晶粒、電耦接件、基板、液體檢測單元和殼體單元。感測器晶粒經由電耦接件耦接至基板。液體檢測單元電耦接至感測器晶粒。殼體單元和基板被組態以容納感測器晶粒、液體檢測單元、和電耦接件。殼體單元包括開口，該開口將感測器晶粒暴露於殼體單元外部的環境。液體檢測單元檢測殼體單元的內部環境中是否存在液體。在一些實施方式中，該裝置進一步包含膠體，其填充在該殼體單元的該內部環境內，覆蓋該感測器晶粒和該基板。膠體(例如矽酮、氟矽酮等)被組態以保護感測器晶粒、電耦接件、和基板免於暴露於液體。
简体摘要：一种设备包含传感器晶粒、电耦接件、基板、液体检测单元和壳体单元。传感器晶粒经由电耦接件耦接至基板。液体检测单元电耦接至传感器晶粒。壳体单元和基板被组态以容纳传感器晶粒、液体检测单元、和电耦接件。壳体单元包括开口，该开口将传感器晶粒暴露于壳体单元外部的环境。液体检测单元检测壳体单元的内部环境中是否存在液体。在一些实施方式中，该设备进一步包含胶体，其填充在该壳体单元的该内部环境内，覆盖该传感器晶粒和该基板。胶体(例如硅酮、氟硅酮等)被组态以保护传感器晶粒、电耦接件、和基板免于暴露于液体。

32. 发明专利

TW201903983A 在微機電系統中提供吸氧劑的系統和方法审中-公开
简体标题：在微机电系统中提供吸氧剂的系统和方法
公开(公告)号：TW201903983A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107114245
申请日：2018-04-26
申请人：美商伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：李大成 , LEE, DAESUNG , 黃俊傑 , HUANG, JEFF CHUNCHIEH , 信裘沃 , SHIN, JONGWOO , 金邦尚 , KIM, BONGSANG , 杰拉馬羅史瓦拉恩夫拉亞 , JAYARAMAN, LOGEESWARAN VEERAYAH
IPC分类号： H01L23/24 , H01L23/26 , B81C1/00
摘要：本發明係提供一種在微機電系統中提供吸氧劑的系統和方法。在某些實施例中，微機電系統(MEMS)係接合至基板。該微機電系統及該基板之間具有第一腔室以及第二腔室。第一吸氧劑係設置在該第一腔室內的基板上並且和電極整合。第二吸氧劑係設置在該第一腔室內之基板的保護層之上。在某些實施例中，該第一腔室係陀螺儀腔室，並且該第二腔室係加速度計腔室。
简体摘要：本发明系提供一种在微机电系统中提供吸氧剂的系统和方法。在某些实施例中，微机电系统(MEMS)系接合至基板。该微机电系统及该基板之间具有第一腔室以及第二腔室。第一吸氧剂系设置在该第一腔室内的基板上并且和电极集成。第二吸氧剂系设置在该第一腔室内之基板的保护层之上。在某些实施例中，该第一腔室系陀螺仪腔室，并且该第二腔室系加速度计腔室。

33. 发明专利

TWI611531B 封閉的ＭＥＭＳ裝置之內部電接觸有权
简体标题：封闭的ＭＥＭＳ设备之内部电接触
公开(公告)号：TWI611531B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW103103179
申请日：2014-01-28
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：黃克剛 , HUANG, KEGANG , 辛宗祐 , SHIN, JONGWOO , 林馬汀 , LIM, MARTIN , 戴恩曼麥可茱莉安 , DANEMAN, MICHAEL JULIAN , 席格喬瑟夫 , SEEGER, JOSEPH
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B7/0064 , B81B2207/098 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/031

34. 发明专利

TW201741232A 微機電系統（ＭＥＭＳ）間隙控制結構审中-公开
简体标题：微机电系统（ＭＥＭＳ）间隙控制结构
公开(公告)号：TW201741232A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105133904
申请日：2016-10-20
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：信二世強 , SHIN, II, JONG , 史梅斯彼得 , SMEYS, PETER , 金奉相 , KIM, BONGSANG
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00682 , B81B3/0078 , B81B7/02 , B81C2203/036
摘要：於此提供一種方法，包括形成腔體於第一矽晶圓之第一側中。氧化層係形成在該第一側上且在腔體中。第一矽晶圓之第一側係接合至第二矽晶圓之第一側，並且間隙控制結構係沉積在第二矽晶圓之第二側上。MEMS結構係形成在第二矽晶圓中。第二矽晶圓之第二側係共晶地接合至第三矽晶圓，並且共晶接合包括將第二矽晶圓壓合至第三矽晶圓。
简体摘要：于此提供一种方法，包括形成腔体于第一硅晶圆之第一侧中。氧化层系形成在该第一侧上且在腔体中。第一硅晶圆之第一侧系接合至第二硅晶圆之第一侧，并且间隙控制结构系沉积在第二硅晶圆之第二侧上。MEMS结构系形成在第二硅晶圆中。第二硅晶圆之第二侧系共晶地接合至第三硅晶圆，并且共晶接合包括将第二硅晶圆压合至第三硅晶圆。

36. 发明专利

TW201710173A 用於封閉式微機電系統裝置之內部阻障审中-公开
简体标题：用于封闭式微机电系统设备之内部阻障
公开(公告)号：TW201710173A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104130410
申请日：2015-09-15
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：黃安特爾 , HUANG, ANATOLE , 信裘沃 , SHIN, JONGWOO , 史麥斯彼得 , SMEYS, PETER , 利安席瑞納 , ZHANG, CERINA , 信二世中 , SHIN II,, JONG
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0353 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00285 , B81C1/00309 , B81C2201/013 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172 , B81C2203/035 , B81C2203/0785
摘要：揭示一種具有經組態成避免顆粒污染之通道的MEMS裝置。該MEMS裝置包含一MEMS基板與一基底基板。該MEMS基板包含一MEMS裝置區、一密封環、以及一通道。該密封環提供用來把該MEMS裝置區分成多個腔室，其中，該等多個腔室中之至少一者包含一或更多通風孔。該通道組態於該一或更多通風孔與該MEMS裝置區之間。較佳地，該通道經組態成最小化直接進入該MEMS裝置區的顆粒。該基底基板耦合至該MEMS裝置基板。
简体摘要：揭示一种具有经组态成避免颗粒污染之信道的MEMS设备。该MEMS设备包含一MEMS基板与一基底基板。该MEMS基板包含一MEMS设备区、一密封环、以及一信道。该密封环提供用来把该MEMS设备区分成多个腔室，其中，该等多个腔室中之至少一者包含一或更多通风孔。该信道组态于该一或更多通风孔与该MEMS设备区之间。较佳地，该信道经组态成最小化直接进入该MEMS设备区的颗粒。该基底基板耦合至该MEMS设备基板。

37. 发明专利

TW201708095A 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電－機系統ＭＥＭＳ裝置审中-公开
简体标题：具有对逸气成分可渗透的电极之微电－机系统ＭＥＭＳ设备
公开(公告)号：TW201708095A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105116418
申请日：2016-05-26
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：信裘沃 , SHIN, JONGWOO , 裘翰瑞蓋里豪瑞 , JOHARI-GALLE HOURI , 林馬汀 , LIM, MARTIN , 席格喬瑟夫 , SEEGER, JOSEPH
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0089 , B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00206 , B81C2201/016 , B81C2203/035
摘要：本發明揭露一種微電-機系統裝置及用於微電-機系統裝置之方法。在第一目的中，該微電-機系統裝置包括第一基板及連結至該第一基板之第二基板而形成密封外殼。可移動的結構是位在該密封外殼內。逸氣層是形成於該第一或第二基板上並且在該密封外殼內。第一傳導層是配置在該可移動的結構及該逸氣層之間，其中該第一傳導層允許逸氣成份穿越通過該第一傳導層。
简体摘要：本发明揭露一种微电-机系统设备及用于微电-机系统设备之方法。在第一目的中，该微电-机系统设备包括第一基板及链接至该第一基板之第二基板而形成密封外壳。可移动的结构是位在该密封外壳内。逸气层是形成于该第一或第二基板上并且在该密封外壳内。第一传导层是配置在该可移动的结构及该逸气层之间，其中该第一传导层允许逸气成份穿越通过该第一传导层。

38. 发明专利

TW201642393A 使用鋁－鍺共晶會合互連的三維整合审中-公开
简体标题：使用铝－锗共晶会合互连的三维集成
公开(公告)号：TW201642393A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105104311
申请日：2016-02-15
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：史梅斯彼得 , SMEYS, PETER , 馬格搜尼亞莫札法 , MAGHSOUDNIA, MOZAFAR
IPC分类号： H01L21/8238 , C30B29/02
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/16111 , H01L2224/16147 , H01L2224/16502 , H01L2224/81 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/81906 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01032 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：於此提供設備，其包含第一CMOS晶圓及第二CMOS晶圓。若干共晶會合連接第一CMOS晶圓至第二CMOS晶圓。共晶會合包含結合，其中，共晶會合溫度低於處理期間CMOS電路可以承受而不會受損之最大溫度。
简体摘要：于此提供设备，其包含第一CMOS晶圆及第二CMOS晶圆。若干共晶会合连接第一CMOS晶圆至第二CMOS晶圆。共晶会合包含结合，其中，共晶会合温度低于处理期间CMOS电路可以承受而不会受损之最大温度。

39. 发明专利

TW201620816A 免除集積式互補金屬氧化物半導體（ＣＭＯＳ）及微機電（ＭＥＭＳ）裝置的化學防護审中-公开
简体标题：免除集积式互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）及微机电（ＭＥＭＳ）设备的化学防护
公开(公告)号：TW201620816A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104129131
申请日：2015-09-03
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：達奈門麥可J , DANEMAN, MICHAEL J. , 亞薩德拉吉法利柏 , ASSADERAGHI, FARIBORZ
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/0025 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , B81C1/00801 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/053 , B81C2203/0735
摘要：本發明提供系統及方法，其保護CMOS層免於暴露於釋放化學物質。該釋放化學物質被用於釋放與CMOS晶圓集積的微機電(MEMS)裝置。在互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶圓中創建的鈍化開口的側壁暴露出該CMOS晶圓的介電層，其可能在與釋放化學物質接觸時而受到損傷。在一個態樣中，為了保護CMOS晶圓以及避免介電層的暴露，該鈍化開口的側壁可以用對該釋放化學物質具有抗性的金屬阻障層覆蓋。額外地或可選地，絕緣阻障層可以沉積在CMOS晶圓的表面上，以保護鈍化層免於暴露於釋放化學物質。
简体摘要：本发明提供系统及方法，其保护CMOS层免于暴露于释放化学物质。该释放化学物质被用于释放与CMOS晶圆集积的微机电(MEMS)设备。在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆中创建的钝化开口的侧壁暴露出该CMOS晶圆的介电层，其可能在与释放化学物质接触时而受到损伤。在一个态样中，为了保护CMOS晶圆以及避免介电层的暴露，该钝化开口的侧壁可以用对该释放化学物质具有抗性的金属阻障层覆盖。额外地或可选地，绝缘阻障层可以沉积在CMOS晶圆的表面上，以保护钝化层免于暴露于释放化学物质。

40. 发明专利

TW201443395A 循環感測設備及其使用方法审中-公开
简体标题：循环传感设备及其使用方法
公开(公告)号：TW201443395A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103107213
申请日：2014-03-04
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：沙弗德里克 , SHAEFFER, DEREK , 王史丹利 , WANG, STANLEY
IPC分类号： G01C19/5733
CPC分类号： G01C19/5776 , G01P1/04
摘要：本發明係揭露一種循環感測設備，其係包括一微電機系統(Microelectromechanical Systems,MEMS)元件，其中，該MEMS元件包括第一感測電極及第二感測電極。該循環感測設備還包括耦合至該第一感測電極及第二感測電極上的一多工器、耦合至該多工器上的至少一感測放大器、耦合至該至少一感測放大器上的一解調器、以及耦合至該解調器上的一積分及轉儲電路。最後，該循環感測設備包括耦合至一解多工器上的一類比數位轉換器(analog-to-digital converter,ADC)，其中該多工器、該至少一感測放大器及該解調器在可重設的放大過程中提供一連續時間感測路徑，其中，該積分及轉儲電路及該ADC提供一離散時間處理路徑。
简体摘要：本发明系揭露一种循环传感设备，其系包括一微电机系统(Microelectromechanical Systems,MEMS)组件，其中，该MEMS组件包括第一传感电极及第二传感电极。该循环传感设备还包括耦合至该第一传感电极及第二传感电极上的一多任务器、耦合至该多任务器上的至少一传感放大器、耦合至该至少一传感放大器上的一解调器、以及耦合至该解调器上的一积分及转储电路。最后，该循环传感设备包括耦合至一解多任务器上的一模拟数码转换器(analog-to-digital converter,ADC)，其中该多任务器、该至少一传感放大器及该解调器在可重设的放大过程中提供一连续时间传感路径，其中，该积分及转储电路及该ADC提供一离散时间处理路径。

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