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21. 发明专利

TWI318693B 光學材料、非結晶材料與相關材料及其製備方法 OPTICAL MATERIALS, AMORPHOUS MATERIALS AS WELL AS RELATED MATERIALS, AND PRODUCTION METHODS THEREOF 有权
简体标题：光学材料、非结晶材料与相关材料及其制备方法 OPTICAL MATERIALS, AMORPHOUS MATERIALS AS WELL AS RELATED MATERIALS, AND PRODUCTION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TWI318693B
公开(公告)日：2009-12-21
申请号：TW091118537
申请日：2002-08-16
申请人：尼歐光量子學公司
发明人：奎格R. 紅恩 , 皮爾J. 迪麥斯卡瑞 , 克里斯汀C. 荷奈克 , 班哲明夏隆納-吉爾 , 赫曼A. 洛沛茲 , 湘辛畢 , 朗諾J. 莫索 , 威廉E. 麥高文 , 詹姆士T. 嘉納 , 珊潔庫瑪 , 詹姆士A. 吉利安 , 文斯礬 , 艾利克尤瑞德 , 西夫庫瑪奇路佛魯 , 傑西裘
IPC分类号： G02B
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B13/20 , C01B19/004 , C01F17/0043 , C01G1/00 , C01G17/00 , C01G23/00 , C01P2002/02 , C01P2002/50 , C01P2004/50 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C03B19/106 , C03B19/1415 , C03B2207/34 , C03C3/062 , C03C3/078 , C03C3/095 , C03C3/097 , C03C3/122 , C03C3/17 , C03C3/253 , C03C12/00 , C09K11/7706 , Y02P40/57 , Y10T428/25 , Y10T428/256 , Y10T428/2949 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/31609
摘要：本發明根據改變合成物(由種類繁多的金屬以及/或類金屬元素所構成)以及對應合成物的能力以敘述奈米大小的粒子、粒子塗佈/粒子陣列以及對應的固化材料。尤其是，將已改良過的奈米大小粒子與塗佈(由奈米大小粒子所形成)之形式敘述金屬氧化物與金屬/類金屬合成物。合成物包含稀土族金屬以及具有所說明稀土族金屬的摻雜物/添加物。運用此處所說明的方法可形成由種類繁多的主合成物與摻雜物/添加物所構成的複雜合成物。粒子塗佈可取自範圍來自所用主粒子集合物的粒子陣列形狀來結合主粒子網路以形成反應出奈米大小般主粒子的通道。在此將搭配某些相關的光學裝置一起敘述合適的光學應用材料。 Nanoscale particles, particle coatings/particle arrays and corresponding consolidated materials are described based on an ability to vary the composition involving a wide range of metal and/or metalloid elements and corresponding compositions. In particular, metalloid oxides and metal-metalloid compositions are described in the form of improved nanoscale particles and coatings formed from the nanoscale particles. Compositions comprising rare earth metals and dopants/additives with rare earth metals are described. complex compositions with a range of host compositions and dopants/additives can be formed using the approaches described herein. The particle coating can take the form of particle arrays that range from collections of disbursable primary particles to fused networks of primary particles forming channels that reflect the nanoscale of the primary particles. Suitable materials for optical applications are described along with some optical devices of interest.
简体摘要：本发明根据改变合成物(由种类繁多的金属以及/或类金属元素所构成)以及对应合成物的能力以叙述奈米大小的粒子、粒子涂布/粒子数组以及对应的固化材料。尤其是，将已改良过的奈米大小粒子与涂布(由奈米大小粒子所形成)之形式叙述金属氧化物与金属/类金属合成物。合成物包含稀土族金属以及具有所说明稀土族金属的掺杂物/添加物。运用此处所说明的方法可形成由种类繁多的主合成物与掺杂物/添加物所构成的复杂合成物。粒子涂布可取自范围来自所用主粒子集合物的粒子数组形状来结合主粒子网络以形成反应出奈米大小般主粒子的信道。在此将搭配某些相关的光学设备一起叙述合适的光学应用材料。 Nanoscale particles, particle coatings/particle arrays and corresponding consolidated materials are described based on an ability to vary the composition involving a wide range of metal and/or metalloid elements and corresponding compositions. In particular, metalloid oxides and metal-metalloid compositions are described in the form of improved nanoscale particles and coatings formed from the nanoscale particles. Compositions comprising rare earth metals and dopants/additives with rare earth metals are described. complex compositions with a range of host compositions and dopants/additives can be formed using the approaches described herein. The particle coating can take the form of particle arrays that range from collections of disbursable primary particles to fused networks of primary particles forming channels that reflect the nanoscale of the primary particles. Suitable materials for optical applications are described along with some optical devices of interest.

22. 发明专利

TW200938551A 金屬氧化物塗料 METAL OXIDE COATINGS 审中-公开
简体标题：金属氧化物涂料 METAL OXIDE COATINGS
公开(公告)号：TW200938551A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097142062
申请日：2008-10-31
申请人：通用電機股份有限公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：奈加斯基瑟傑 KNIAJANSKI, SERGEI , 雅基莫亞倫 YAKIMOV, AHARON
IPC分类号： C07F , C01G
CPC分类号： C07F7/0858 , C01B13/32 , C01F7/30 , C01G1/02 , C01G19/02 , C01G23/00 , C01G23/053 , C01P2002/02
摘要：本發明關於一種式I化合物,其可經水解產生金屬氧化物
097142062P01.bmp
其中M為Mg、Al、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Cd、In、Sn、Sb、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Hg、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、U或Pu;X為O1/2或OR;R為烷基;R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6及R^7獨立為H、烷氧基、C1-C10烷基、苯基或
097142062P02.bmp
R^10、R^11、R^12、R^13、R^14及R^15獨立為C1-C10烷基或苯基;n等於M之氧化態減掉q之値;m及p獨立為0或從
1至5之整數;及q為0、1、2或4;其先決條件係當q為1,則X為OR;及當q為2,則X為O1/2及M為V、Cr、Mn、Fe、As、Nb、Mo、Tc、Ru、Sb、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Bi、Th、U或Pu;及當q為4,則X為O1/2及M為Cr、Mo、W、Ru、Re、Os、U或Pu。包含至少一種金屬氧化物的物品係藉由至少一種水解之前的式I化合物塗佈基板,及/或在從約50℃至約450℃為範圍之溫度下加熱該化合物而製造。
简体摘要：本发明关于一种式I化合物,其可经水解产生金属氧化物 097142062P01.bmp 其中M为Mg、Al、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Cd、In、Sn、Sb、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Hg、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Th、U或Pu;X为O1/2或OR;R为烷基;R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6及R^7独立为H、烷氧基、C1-C10烷基、苯基或 097142062P02.bmp R^10、R^11、R^12、R^13、R^14及R^15独立为C1-C10烷基或苯基;n等于M之氧化态减掉q之値;m及p独立为0或从 1至5之整数;及q为0、1、2或4;其先决条件系当q为1,则X为OR;及当q为2,则X为O1/2及M为V、Cr、Mn、Fe、As、Nb、Mo、Tc、Ru、Sb、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Bi、Th、U或Pu;及当q为4,则X为O1/2及M为Cr、Mo、W、Ru、Re、Os、U或Pu。包含至少一种金属氧化物的物品系借由至少一种水解之前的式I化合物涂布基板,及/或在从约50℃至约450℃为范围之温度下加热该化合物而制造。

23. 发明专利

TW200918460A 黑色顏料組合物,厚膜黑色顏料組合物,導電性單層厚膜組合物,及由其形成之黑色導電電極 BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, THICK FILM BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, CONDUCTIVE SINGLE LAYER THICK FILM COMPOSITIONS, AND BLACK AND CONDUCTIVE ELECTRODES FORMED THEREFROM 审中-公开
简体标题：黑色颜料组合物,厚膜黑色颜料组合物,导电性单层厚膜组合物,及由其形成之黑色导电电极 BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, THICK FILM BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, CONDUCTIVE SINGLE LAYER THICK FILM COMPOSITIONS, AND BLACK AND CONDUCTIVE ELECTRODES FORMED THEREFROM
公开(公告)号：TW200918460A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097124384
申请日：2008-06-27
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：傑洛米大衛史密斯 SMITH, JEROME DAVID , 佩卓A 吉姆奈茲 JIMENEZ, PEDRO A. , 東尼傑克森 JACKSON, TONY
IPC分类号： C01G , C09C , C03C
CPC分类号： C01G49/009 , B82Y30/00 , C01G29/006 , C01G45/00 , C01G45/006 , C01G51/00 , C01G51/006 , C01G53/006 , C01P2002/02 , C01P2002/32 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , C01P2006/80 , C03C3/064 , C03C3/14 , C03C8/02 , C03C8/16 , C03C8/18 , C03C17/008 , C03C17/23 , C03C2217/485 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/26 , C04B35/265 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/44 , C04B35/4521 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/9661 , C09C1/00 , C09C1/22 , C09C1/40 , H01J11/12 , H01J11/22 , H01J2211/225 , H01J2211/444
摘要：本發明係針對顏料組合物、厚膜黑色顏料組合物、導電性單層厚膜組合物、由該等黑色導電性組合物製成之黑色電極及形成該等電極之方法,且係針對該等組合物、電極及方法在平板顯示器應用中之用途,其中該等應用包括交流電漿顯示面板裝置(AC PDP)。
简体摘要：本发明系针对颜料组合物、厚膜黑色颜料组合物、导电性单层厚膜组合物、由该等黑色导电性组合物制成之黑色电极及形成该等电极之方法,且系针对该等组合物、电极及方法在平板显示器应用中之用途,其中该等应用包括交流等离子显示皮肤设备(AC PDP)。

24. 发明专利

TW200626681A 不透明塑膠 OPAQUE PLASTICS 审中-公开
简体标题：不透明塑胶 OPAQUE PLASTICS
公开(公告)号：TW200626681A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094135959
申请日：2005-10-14
申请人：麥克專利有限公司 MERCK PATENT GMBH
发明人：曼福瑞德開瑟 KIESER, MANFRED , 馬可士夏姆 SCHUM, MARKUS
IPC分类号： C09C , C08K
CPC分类号： C08K9/02 , C01P2002/02 , C01P2004/84 , C09C1/0021 , C09C1/0024 , C09C1/0033 , C09C1/0036 , C09C1/0051 , C09C1/006 , C09C1/0063 , C09C1/0066 , C09C2200/102 , C09C2200/301 , C09C2200/302 , C09C2200/303 , C09C2220/10 , Y10T428/2996
摘要：本發明係關於包含效果顏料之不透明塑膠，其特徵在於它們具有高光澤及實際上看不到或沒有看得到的流動線。
简体摘要：本发明系关于包含效果颜料之不透明塑胶，其特征在于它们具有高光泽及实际上看不到或没有看得到的流动线。

25. 发明专利

TW200425182A 薄膜電容元件以及含有其之電子電路及電子機器 THIN FILM CAPACITIVE ELEMENT, AND ELECTRONIC CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME 失效
简体标题：薄膜电容组件以及含有其之电子电路及电子机器 THIN FILM CAPACITIVE ELEMENT, AND ELECTRONIC CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME
公开(公告)号：TW200425182A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093104629
申请日：2004-02-24
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人： 下幸雄 SAKASHITA, YUKIO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/1218 , C01G29/006 , C01P2002/02 , C01P2002/04 , C01P2002/50 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/787 , H01G4/33 , H01L28/55
摘要：本發明係關於一種薄膜電容元件以及含有其之電子電路及電子機器；也就是說，本發明之薄膜電容元件係使得藉由包含具有利用化學計量組成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–所表示之組成(m係正整數，A係由鈉、鉀、鉛、鋇、鍶、鈣及鉍所構成之群組而選出之至少1種元素，B係由鐵、鈷、鉻、鎵、鈦、鈮、鉭、銻、錳、釩、鉬及鎢所構成之群組而選出之至少1種元素。)之鉍層狀化合物之介電質材料所形成之介電質層，具備在第1電極層和第2電極層之間。這樣構成之薄膜電容元件係能夠進行薄層化，並且，具有良好之溫度補償特性。
简体摘要：本发明系关于一种薄膜电容组件以及含有其之电子电路及电子机器；也就是说，本发明之薄膜电容组件系使得借由包含具有利用化学计量组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–所表示之组成(m系正整数，A系由钠、钾、铅、钡、锶、钙及铋所构成之群组而选出之至少1种元素，B系由铁、钴、铬、镓、钛、铌、钽、锑、锰、钒、钼及钨所构成之群组而选出之至少1种元素。)之铋层状化合物之介电质材料所形成之介电质层，具备在第1电极层和第2电极层之间。这样构成之薄膜电容组件系能够进行薄层化，并且，具有良好之温度补偿特性。

26. 发明专利

TW200417073A 二次鋰電池用正極材料,其製造方法及二次鋰電池 POSITIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY 审中-公开
简体标题：二次锂电池用正极材料,其制造方法及二次锂电池 POSITIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY
公开(公告)号：TW200417073A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092133828
申请日：2003-12-02
申请人：川鐵礦業股份有限公司 KAWATETSU MINING CO., LTD
发明人：濱野嘉昭 HAMANO YOSHIAKI , 近內秀文 KONNAI HIDEFUMI
IPC分类号： H01M
CPC分类号： C01G53/006 , C01G53/40 , C01G53/42 , C01P2002/02 , C01P2002/52 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/364 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/028 , H01M2300/0025
摘要：本發明提供一種安全性高、容量高、循環性能優異、及充電／放電效率高之二次鋰電池用正極材料。此二次鋰電池用正極材料係包含Li–Ni–Co–O或Li–Ni–Co–Ba–O系統成分為主成分，且具有混合於各顆粒中或形成於顆粒表面之非晶相之氧化物的粉末。
简体摘要：本发明提供一种安全性高、容量高、循环性能优异、及充电／放电效率高之二次锂电池用正极材料。此二次锂电池用正极材料系包含Li–Ni–Co–O或Li–Ni–Co–Ba–O系统成分为主成分，且具有混合于各颗粒中或形成于颗粒表面之非晶相之氧化物的粉末。

27. 发明专利

TW583139B 多孔性之無機微粒子失效
简体标题：多孔性之无机微粒子
公开(公告)号：TW583139B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW090115418
申请日：2001-06-26
申请人：旭化成股份有限公司 ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA
发明人：佐藤靜司 , 磯部安秀 , 鬼塚賢三
IPC分类号： C01B , B41J
CPC分类号： B41M5/5218 , B82Y30/00 , C01B13/14 , C01B33/126 , C01B33/1435 , C01B33/18 , C01P2002/01 , C01P2002/02 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/16 , C01P2006/17 , Y10T428/249953 , Y10T428/257 , Y10T428/259 , Y10T428/2982
摘要：本發明之目的在提供粒子徑小，無機非晶質有均勻細孔之多孔性物質及其合成方法與用途。
亦即，本發明係以動態光散射法測定之平均粒徑DL在10至400奈米，由DL求出之換算比表面積SL與以 BET法之氮吸附比表面積SB之差，SB-SL，在250平方米/公克以上之無機非晶質，具均勻細孔徑之多孔性物質及其合成方法與用途。
简体摘要：本发明之目的在提供粒子径小，无机非晶质有均匀细孔之多孔性物质及其合成方法与用途。亦即，本发明系以动态光散射法测定之平均粒径DL在10至400奈米，由DL求出之换算比表面积SL与以 BET法之氮吸附比表面积SB之差，SB-SL，在250平方米/公克以上之无机非晶质，具均匀细孔径之多孔性物质及其合成方法与用途。

28. 发明专利

TW200304383A 非晶形矽石 AMORPHOUS SILICA 审中-公开
简体标题：非晶形硅石 AMORPHOUS SILICA
公开(公告)号：TW200304383A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW091136826
申请日：2002-12-20
申请人：伊諾斯矽品有限公司 INEOS SILICAS LIMITED
发明人：彼得威廉斯丹尼爾 PETER WILLIAM STANIER , 賽門理查史丹賓 SIMON RICHARD STEBBING
IPC分类号： A61K , C01B
CPC分类号： A61K8/25 , A61K6/0008 , A61K6/0091 , A61Q11/00 , C01B33/193 , C01P2002/02 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/19 , C01P2006/80 , C01P2006/82 , C01P2006/90
摘要：一種適用於牙用組合物之非晶形矽石具有介於3至15微米之範圍內之加權平均顆粒大小，其中至少90重量%之顆粒具有小於20微米之大小，當以10重量%加入於牙用組合物，由100至220之矽石粉末水性漿體決定之放射性齒質磨損（RDA，RadioactiveDentineAbrasion），表層清潔比例（PCR．，PellicleC1eaningRatio）為大於85，PCR對RDA的比例為0．4：1至小於1：1之範圍內，且具有塑料磨損值（PAV，PlasticsAbrasionValue）介於11至19之範圍內。具有上述性質之矽石係由沉澱途徑製備。由本發明可製得的矽石也可用於作為塑料中的抗結塊劑。
简体摘要：一种适用于牙用组合物之非晶形硅石具有介于3至15微米之范围内之加权平均颗粒大小，其中至少90重量%之颗粒具有小于20微米之大小，当以10重量%加入于牙用组合物，由100至220之硅石粉末水性浆体决定之放射性齿质磨损（RDA，RadioactiveDentineAbrasion），表层清洁比例（PCR．，PellicleC1eaningRatio）为大于85，PCR对RDA的比例为0．4：1至小于1：1之范围内，且具有塑料磨损值（PAV，PlasticsAbrasionValue）介于11至19之范围内。具有上述性质之硅石系由沉淀途径制备。由本发明可制得的硅石也可用于作为塑料中的抗结块剂。

29. 发明专利

TW402522B 處理粒子之方法及其於分散液中之用途(二) 失效
简体标题：处理粒子之方法及其于分散液中之用途(二)
公开(公告)号：TW402522B
公开(公告)日：2000-08-21
申请号：TW087119305
申请日：1998-11-20
申请人：拜耳公司
发明人：柯亞迪
IPC分类号： B01J , C08K
CPC分类号： C09C1/3063 , C01P2002/02 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/90 , C08K9/06 , C09C1/3081 , C09C1/309 , Y10T428/29 , Y10T428/2995
摘要：一種處理粒子的方法，其包括步驟：
(i)將粒子與式I化合物或其酸加成鹽或其四級銨鹽接
觸:
CC(I)其中R1、R2和R3中至少一個是羥基或可水解基團，
(ii)粒子與式Ⅱ化合物反應：
简体摘要：一种处理粒子的方法，其包括步骤： (i)将粒子与式I化合物或其酸加成盐或其四级铵盐接触: CC(I)其中R1、R2和R3中至少一个是羟基或可水解基团， (ii)粒子与式Ⅱ化合物反应：

30. 发明专利

TW387859B 非晶形沈澱矽石失效
简体标题：非晶形沈淀硅石
公开(公告)号：TW387859B
公开(公告)日：2000-04-21
申请号：TW086107086
申请日：1997-05-26
申请人：片片堅俄亥俄州工業公司
发明人：詹姆士勒伯伊 , 湯瑪士吉柯瑞瓦克
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B33/193 , C01P2002/02 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/17 , C01P2006/19 , H01M2/1646
摘要：可用以形成極低收縮率之電池隔板之非晶形沈澱矽石，其特徵在於(a)BET表面積在60至200平方米/克之範圍內；(b)CTAB表面積在40至150平方米/克之範圍內；(c)DBP油吸收率在180至300立方公分/100克之範圍內；(d)平均最終粒子大小在20至30毫微米之範圍內；(e)總擠入體積在2.5至4立方公分/克之範圍內；(f)對於具有直徑在20至100毫微米範圍之孔隙而言，擠入體積在0.3至1.2立方公分/克之範圍內；及(g)在體積孔隙大小分佈函數之最大值下，孔隙直徑在30至200毫微米之範圍內。
简体摘要：可用以形成极低收缩率之电池隔板之非晶形沈淀硅石，其特征在于(a)BET表面积在60至200平方米/克之范围内；(b)CTAB表面积在40至150平方米/克之范围内；(c)DBP油吸收率在180至300立方公分/100克之范围内；(d)平均最终粒子大小在20至30毫微米之范围内；(e)总挤入体积在2.5至4立方公分/克之范围内；(f)对于具有直径在20至100毫微米范围之孔隙而言，挤入体积在0.3至1.2立方公分/克之范围内；及(g)在体积孔隙大小分布函数之最大值下，孔隙直径在30至200毫微米之范围内。

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