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1. 发明专利

TW345754B 高溫超導體之製造方法以及由彼所形成之鑄造物失效
简体标题：高温超导体之制造方法以及由彼所形成之铸造物
公开(公告)号：TW345754B
公开(公告)日：1998-11-21
申请号：TW082103801
申请日：1993-05-14
申请人：赫斯特化工廠
发明人：艾伯哈特.皮瑞斯萊 , 傑可新.柏克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C04B35/4521 , C04B35/4525 , C04B35/653 , H01L39/2419
摘要：一種高溫超導體之製法及由彼所形成之鑄造物，此超導體包括秘，鍶，鈣，銅及隨意鉛之氧化物以及鍶及／或鋇之硫酸鹽，此法係充分混合適當莫耳比之鉍，鍶，鈣，銅及隨意鉛之氧化物，以及額外２至３０％重之硫酸鍶及／或１至２０％重之硫酸鋇（以上各值係以氧化物混合物計算），此混合物在８７０至１６００℃之溫度下白金坩鍋中熔融，將熔體倒入具有所需形狀及大小的永久模具中並使之緩緩固化，自永久模具材料釋出所製之鑄造物且在７００至９００℃之溫度下含氧氣氛下退火６至２００小時。
简体摘要：一种高温超导体之制法及由彼所形成之铸造物，此超导体包括秘，锶，钙，铜及随意铅之氧化物以及锶及／或钡之硫酸盐，此法系充分混合适当莫耳比之铋，锶，钙，铜及随意铅之氧化物，以及额外２至３０％重之硫酸锶及／或１至２０％重之硫酸钡（以上各值系以氧化物混合物计算），此混合物在８７０至１６００℃之温度下白金坩锅中熔融，将熔体倒入具有所需形状及大小的永久模具中并使之缓缓固化，自永久模具材料发佈所制之铸造物且在７００至９００℃之温度下含氧气氛下退火６至２００小时。

2. 发明专利

TW200918460A 黑色顏料組合物,厚膜黑色顏料組合物,導電性單層厚膜組合物,及由其形成之黑色導電電極 BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, THICK FILM BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, CONDUCTIVE SINGLE LAYER THICK FILM COMPOSITIONS, AND BLACK AND CONDUCTIVE ELECTRODES FORMED THEREFROM 审中-公开
简体标题：黑色颜料组合物,厚膜黑色颜料组合物,导电性单层厚膜组合物,及由其形成之黑色导电电极 BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, THICK FILM BLACK PIGMENT COMPOSITIONS, CONDUCTIVE SINGLE LAYER THICK FILM COMPOSITIONS, AND BLACK AND CONDUCTIVE ELECTRODES FORMED THEREFROM
公开(公告)号：TW200918460A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097124384
申请日：2008-06-27
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：傑洛米大衛史密斯 SMITH, JEROME DAVID , 佩卓A 吉姆奈茲 JIMENEZ, PEDRO A. , 東尼傑克森 JACKSON, TONY
IPC分类号： C01G , C09C , C03C
CPC分类号： C01G49/009 , B82Y30/00 , C01G29/006 , C01G45/00 , C01G45/006 , C01G51/00 , C01G51/006 , C01G53/006 , C01P2002/02 , C01P2002/32 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , C01P2006/80 , C03C3/064 , C03C3/14 , C03C8/02 , C03C8/16 , C03C8/18 , C03C17/008 , C03C17/23 , C03C2217/485 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/26 , C04B35/265 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/44 , C04B35/4521 , C04B35/62675 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/9661 , C09C1/00 , C09C1/22 , C09C1/40 , H01J11/12 , H01J11/22 , H01J2211/225 , H01J2211/444
摘要：本發明係針對顏料組合物、厚膜黑色顏料組合物、導電性單層厚膜組合物、由該等黑色導電性組合物製成之黑色電極及形成該等電極之方法,且係針對該等組合物、電極及方法在平板顯示器應用中之用途,其中該等應用包括交流電漿顯示面板裝置(AC PDP)。
简体摘要：本发明系针对颜料组合物、厚膜黑色颜料组合物、导电性单层厚膜组合物、由该等黑色导电性组合物制成之黑色电极及形成该等电极之方法,且系针对该等组合物、电极及方法在平板显示器应用中之用途,其中该等应用包括交流等离子显示皮肤设备(AC PDP)。

3. 发明专利

TW201606148A 氧化物介電體及其製造方法、以及固態電子裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化物介电体及其制造方法、以及固态电子设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201606148A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104123024
申请日：2015-07-16
申请人：國立大學法人北陸先端科學技術大學院大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY , 阿達曼特股份有限公司 , ADAMANT CO., LTD.
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 井上聰 , INOUE, SATOSHI , 有賀智紀 , ARIGA, TOMOKI
IPC分类号： C30B29/16 , C01G29/00 , C01G33/00 , H01G4/06 , H01L21/00
CPC分类号： H01G4/1254 , C01G33/00 , C04B35/4521 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/3251 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , H01G4/12 , H01L21/02175 , H01L21/0226 , H01L29/7869
摘要：本發明係提供一種具有優異特性之氧化物介電體、以及具備該氧化物介電體之固態電子裝置(例如電容器、半導體裝置、或是微電機系統)。本發明之一由氧化物介電體所構成之氧化物層30乃為由鉍(Bi)與鈮(Nb)所構成之氧化物(可含不可避免的雜質)之層，含有燒綠石型結晶構造之第1結晶相以及β-BiNbO4型結晶構造之第2結晶相。進而，該氧化物層30係於25℃以上、120℃以下之溫度範圍中伴隨氧化物層30之溫度上升而相對介電係數降低的第1結晶相之含有量、以及該溫度範圍中伴隨氧化物30之溫度上升而相對介電係數上升的第2結晶相之含有量受到調整。
简体摘要：本发明系提供一种具有优异特性之氧化物介电体、以及具备该氧化物介电体之固态电子设备(例如电容器、半导体设备、或是微电机系统)。本发明之一由氧化物介电体所构成之氧化物层30乃为由铋(Bi)与铌(Nb)所构成之氧化物(可含不可避免的杂质)之层，含有烧绿石型结晶构造之第1结晶相以及β-BiNbO4型结晶构造之第2结晶相。进而，该氧化物层30系于25℃以上、120℃以下之温度范围中伴随氧化物层30之温度上升而相对介电系数降低的第1结晶相之含有量、以及该温度范围中伴随氧化物30之温度上升而相对介电系数上升的第2结晶相之含有量受到调整。

4. 发明专利

TW212766B 由高溫超導材料製造管狀成形物的方法失效
简体标题：由高温超导材料制造管状成形物的方法
公开(公告)号：TW212766B
公开(公告)日：1993-09-11
申请号：TW082102801
申请日：1993-04-13
申请人：赫斯特化工廠
发明人：艾伯哈特.皮瑞斯萊 , 傑可新.柏克
IPC分类号： B22D
CPC分类号： B22D13/02 , C04B35/4521 , C04B35/4525 , C04B35/653 , H01L39/2419
摘要：為了製造以鉍、鈣、鍶、銅和選擇性地鉛的氧化物為基底的高溫超導材料的管狀成形物，將一個預定的正規組合溫度為９００至１３００℃的氧化混合物流入一個鑄造室內。鑄造室繞著其相對於水平傾斜至少１５°的軸心以２００至１５００ｒｐｍ的轉速（其內徑的函數）旋轉。固化的成形物由鑄造室被取出而在一個含氧氣氛中於７００至９００℃下退火４至１５０小時。
简体摘要：为了制造以铋、钙、锶、铜和选择性地铅的氧化物为基底的高温超导材料的管状成形物，将一个预定的正规组合温度为９００至１３００℃的氧化混合物流入一个铸造室内。铸造室绕着其相对于水平倾斜至少１５°的轴心以２００至１５００ｒｐｍ的转速（其内径的函数）旋转。固化的成形物由铸造室被取出而在一个含氧气氛中于７００至９００℃下退火４至１５０小时。

5. 发明专利

TW200702305A 熱電轉換材料、其製造方法及熱電轉換元件 THERMOELECTRICAL CONVERSION MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND THERMOELECTRICAL CONVERSION ELEMENT 审中-公开
简体标题：热电转换材料、其制造方法及热电转换组件 THERMOELECTRICAL CONVERSION MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND THERMOELECTRICAL CONVERSION ELEMENT
公开(公告)号：TW200702305A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095112792
申请日：2006-04-11
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：當間哲朗 TOHMA, TETSURO , 貞岡和男 SADAOKA, KAZUO , 內田義男 UCHIDA, YOSHIO
IPC分类号： C01G , C01F , C01D , H01L
CPC分类号： H01L35/22 , C01G3/00 , C01G3/006 , C01G3/02 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2006/10 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/45 , C04B35/4504 , C04B35/4521 , C04B35/6262 , C04B35/6455 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C04B2235/9661
摘要：本發明提供一種熱電轉換材料、其製造方法及熱電轉換元件。熱電轉換材料係包括M^1、M^2及由氧而形成之金屬氧化物。於此,M^1係從Ca、Sr、及Ba構成群中選出之至少一種,亦可包含從Li、Na、K、Mg、La、Ce、Nd、Sm、Bi及Pb構成群中選出之元素。M^2係以Cu為必須元素,亦可包含從Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co及Ni構成群中選出之元素。M^1與M^2之莫耳比(M^2/M^1)係1.2至2.2。
简体摘要：本发明提供一种热电转换材料、其制造方法及热电转换组件。热电转换材料系包括M^1、M^2及由氧而形成之金属氧化物。于此,M^1系从Ca、Sr、及Ba构成群中选出之至少一种,亦可包含从Li、Na、K、Mg、La、Ce、Nd、Sm、Bi及Pb构成群中选出之元素。M^2系以Cu为必须元素,亦可包含从Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co及Ni构成群中选出之元素。M^1与M^2之莫耳比(M^2/M^1)系1.2至2.2。

6. 发明专利

TW197526B 超導陶瓷金屬複合體及其製備方法失效
简体标题：超导陶瓷金属复合体及其制备方法
公开(公告)号：TW197526B
公开(公告)日：1993-01-01
申请号：TW080100134
申请日：1991-01-07
申请人：陶氏化學國際有限公司
发明人：桑尼爾D.維京葉塞克拉 , 羅伯H.希斯坦二世
IPC分类号： H01B , C04B , C01G
CPC分类号： H01L39/2419 , C04B35/45 , C04B35/4504 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , C04B35/645 , C22C1/10 , C22C32/0015 , Y10S505/785 , Y10S505/915
摘要：令卑金屬與超導氧化物料之受熱，未熔融，緻密混合物置於足以生成密化件之壓力下。密化件於形成時即為超導，或可藉著於氧共存之下退火而使其變成超導。依材料之選擇而定，密化件於高達1000℃之溫度仍保持穩定。
简体摘要：令卑金属与超导氧化物料之受热，未熔融，致密混合物置于足以生成密化件之压力下。密化件于形成时即为超导，或可借着于氧共存之下退火而使其变成超导。依材料之选择而定，密化件于高达1000℃之温度仍保持稳定。

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