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21. 发明专利

TWI436444B 在掃描晶圓的過程中移動晶圓的方法與系統有权
简体标题：在扫描晶圆的过程中移动晶圆的方法与系统
公开(公告)号：TWI436444B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW099111505
申请日：2010-04-13
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：莫克彼得 , MOK, PETER , 任克川 , JEN, KO CHUAN , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/68764 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/20207 , H01J2237/20228 , H01J2237/204 , H01L21/67213 , Y10T29/53961

22. 发明专利

TWI417929B 低溫離子佈植方法有权
简体标题：低温离子布植方法
公开(公告)号：TWI417929B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW100104968
申请日：2011-02-15
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC. (US)
发明人：波拉克約翰 , POLLOCK, JOHN D. , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 科拉艾瑞克 , COLLART, ERIK
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： C23C14/48 , H01L21/26513 , H01L21/26593 , H01L21/324

23. 发明专利

TWI642080B 離子佈植系統與方法有权
简体标题：离子布植系统与方法
公开(公告)号：TWI642080B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105132918
申请日：2016-10-12
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：萬志民 , WAN, ZHIMIN , 薩達曼庫拉許 , SAADATMAND, KOUROSH , 懷特尼可拉斯 , WHITE, NICHOLAS R.
IPC分类号： H01J37/30

24. 发明专利

TW201730911A 離子佈植系統與製程审中-公开
简体标题：离子布植系统与制程
公开(公告)号：TW201730911A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105132918
申请日：2016-10-12
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：萬志民 , WAN, ZHIMIN , 薩達曼庫拉許 , SAADATMAND, KOUROSH , 懷特尼可拉斯 , WHITE, NICHOLAS R.
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/1471 , H01J37/3171 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/04924
摘要：揭示離子佈植系統及製程。例示的離子佈植系統可包括離子源、擷取操控器、磁性分析儀、及電極總成。擷取操控器可被組構成藉由從離子源擷取離子來產生離子束。所產生的離子束之橫剖面具有長尺寸及與離子束的長尺寸正交之短尺寸。磁性分析儀係組構成將離子束聚焦在平行於離子束的短尺寸之x方向上。電極總成係組構成加速或減速離子束。電極總成的一或更多個入口電極定義第一開口，及電極總成係有關磁性分析儀予以定位，使得隨著離子束經由第一開口進入，離子束會聚在x方向上。
简体摘要：揭示离子布植系统及制程。例示的离子布植系统可包括离子源、截取操控器、磁性分析仪、及电极总成。截取操控器可被组构成借由从离子源截取离子来产生离子束。所产生的离子束之横剖面具有长尺寸及与离子束的长尺寸正交之短尺寸。磁性分析仪系组构成将离子束聚焦在平行于离子束的短尺寸之x方向上。电极总成系组构成加速或减速离子束。电极总成的一或更多个入口电极定义第一开口，及电极总成系有关磁性分析仪予以定位，使得随着离子束经由第一开口进入，离子束会聚在x方向上。

25. 发明专利

TW201624517A 離子源审中-公开
简体标题：离子源
公开(公告)号：TW201624517A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103144908
申请日：2014-12-23
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：胡扣霖 , HU, KOULIN , 白曉 , BAI, XIAO , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 陳麗暖 , CHEN, LINUAN , 馮增烜 , FONG, STEVEN
IPC分类号： H01J27/08 , H01J37/08
摘要：離子源可具有一蒸發器並使用以下之一或更多方式控制位於蒸發器內材料的溫度。首先，容器內材料與鄰近電弧室之間的距離可調整。其次，當一蒸發器內有二或更多容器，這些容器與鄰近電弧室之間的距離並不是都相同。第三，一加熱器及/或一冷卻器被用來將熱帶入或帶離蒸發器，即使容器位於蒸發器內。第四，一熱遮罩設置於蒸發器與鄰近電弧室之間以阻擋熱輻射。因此容器的溫度可調整而不再僅由鄰近的電弧室決定。此外，離子源可具有由稀土元素構成的斥拒極使稀土元素離子可直接在電弧室內產生。
简体摘要：离子源可具有一蒸发器并使用以下之一或更多方式控制位于蒸发器内材料的温度。首先，容器内材料与邻近电弧室之间的距离可调整。其次，当一蒸发器内有二或更多容器，这些容器与邻近电弧室之间的距离并不是都相同。第三，一加热器及/或一冷却器被用来将热带入或带离蒸发器，即使容器位于蒸发器内。第四，一热遮罩设置于蒸发器与邻近电弧室之间以阻挡热辐射。因此容器的温度可调整而不再仅由邻近的电弧室决定。此外，离子源可具有由稀土元素构成的斥拒极使稀土元素离子可直接在电弧室内产生。

26. 发明专利

TW201618164A 離子佈植法审中-公开
简体标题：离子布植法
公开(公告)号：TW201618164A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138995
申请日：2014-11-11
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：萬志民 , 薩阿達特曼德庫羅什 , SAADATMAND, KOUROSH , 普拉托夫威廉 , PLATOW, WILHELM P.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26586 , H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/0835 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31706
摘要：一種離子佈植法，其包括下列步驟。首先，提供一道非平行式離子束。接著，藉由一個工件和非平行式離子束之間的一個相對運動，使工件的每一個區域都能夠依序經由非平行式離子束的不同部位進行離子佈植。具體而言，當至少一個三維結構位於工件的上表面上時，可以在工件移動橫跨過非平行式離子束僅一次的情況下，以非平行式離子束一併對三維結構的頂面和側面適當地進行離子佈植。非平行式離子束可以是一道發散式離子束或一道收斂式離子束，並且可以由一個離子源直接產生或是由一道平行式離子束、一道發散式離子束或是一道收斂式離子束調整而成。
简体摘要：一种离子布植法，其包括下列步骤。首先，提供一道非平行式离子束。接着，借由一个工件和非平行式离子束之间的一个相对运动，使工件的每一个区域都能够依序经由非平行式离子束的不同部位进行离子布植。具体而言，当至少一个三维结构位于工件的上表面上时，可以在工件移动横跨过非平行式离子束仅一次的情况下，以非平行式离子束一并对三维结构的顶面和侧面适当地进行离子布植。非平行式离子束可以是一道发散式离子束或一道收敛式离子束，并且可以由一个离子源直接产生或是由一道平行式离子束、一道发散式离子束或是一道收敛式离子束调整而成。

27. 发明专利

TWI523084B 離子佈植法有权
简体标题：离子布植法
公开(公告)号：TWI523084B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103138995
申请日：2014-11-11
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：萬志民 , 薩阿達特曼德庫羅什 , SAADATMAND, KOUROSH , 普拉托夫威廉 , PLATOW, WILHELM P.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26586 , H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/0835 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31706

28. 发明专利

TWI489514B 用於產生離子束的氣體混合方法及裝置有权
简体标题：用于产生离子束的气体混合方法及设备
公开(公告)号：TWI489514B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102144192
申请日：2013-12-03
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI CHENG , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 胡扣霖 , HU, KOULIN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/082 , Y10T137/0329

29. 发明专利

TWI466159B 決定用以控制工件離子植入的相對掃描速度有权
简体标题：决定用以控制工件离子植入的相对扫描速度
公开(公告)号：TWI466159B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101102150
申请日：2012-01-19
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：沈政輝 , SHEN, CHENG HUI , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/302
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/304 , H01J2237/31703

30. 发明专利

TW201430916A 離子佈植機及其離子佈植方法审中-公开
简体标题：离子布植机及其离子布植方法
公开(公告)号：TW201430916A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW103101547
申请日：2014-01-16
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：萬志民 , WAN, ZHIMIN , 波拉克約翰 , POLLOCK, JOHN D. , 貝瑞安唐 , BERRIAN, DON
IPC分类号： H01L21/265
摘要：本發明揭露一種離子佈植機與離子佈植方法。晶圓沿一方向移動而一具有一孔洞的孔洞驅動機構沿另一方向移動，使經由孔洞調整的離子束之投影區域在晶圓上進行二維掃描。因此可簡化所需的硬體設備及/或移動晶圓所需的操作。此外，當使用帶狀離子束時，孔洞的形狀/尺寸可與一傳統點狀離子束相近，因此可達成傳統之二維掃描。選擇性地，當離子束將要被佈植晶圓時，離子束路徑可以是固定的而沒有掃描離子束，同時在移動孔洞通過離子束的期間可調整孔洞的面積。該離子束組件沿一固定離子束路徑輸出該離子束並且當該離子束鄰近該晶圓時未掃描該離子束。
简体摘要：本发明揭露一种离子布植机与离子布植方法。晶圆沿一方向移动而一具有一孔洞的孔洞驱动机构沿另一方向移动，使经由孔洞调整的离子束之投影区域在晶圆上进行二维扫描。因此可简化所需的硬件设备及/或移动晶圆所需的操作。此外，当使用带状离子束时，孔洞的形状/尺寸可与一传统点状离子束相近，因此可达成传统之二维扫描。选择性地，当离子束将要被布植晶圆时，离子束路径可以是固定的而没有扫描离子束，同时在移动孔洞通过离子束的期间可调整孔洞的面积。该离子束组件沿一固定离子束路径输出该离子束并且当该离子束邻近该晶圆时未扫描该离子束。

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