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21. 发明专利

TW201623646A 用於在鈦鎢靶材中之結核控制的方法及設備审中-公开
简体标题：用于在钛钨靶材中之结核控制的方法及设备
公开(公告)号：TW201623646A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104134713
申请日：2015-10-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：魏俊琪 , WEI, JUNQI , 曹志濤 , CAO, ZHITAO , 歐岳生 , OW, YUEH SHENG , 朱普迪安恩克斯納 , JUPUDI, ANANTHKRISHNA , 沙芬戴亞基倫古莫 , SAVANDAIAH, KIRANKUMAR , 王新 , WANG, XIN , 希魯納弗卡羅蘇司瑞斯坎薩羅傑 , THIRUNAVUKARASU, SRISKANTHARAJ
IPC分类号： C22C27/04 , C22C14/00 , C22C1/04 , B22F3/12 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3429 , B22F3/12 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0458 , C22C14/00 , C22C27/04 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , B22F1/0003 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2003/247 , B22F2202/13
摘要：本揭露書的實施例包含用於控制鈦-鎢(TiW)靶材結核形成的方法及設備。在一些實施例中，靶材包含：來源材料，主要地包括鈦(Ti)及鎢(W)，該來源材料從鈦粉末和鎢粉末之混合物所形成，其中主要數量的鈦粉末的晶粒尺寸係小於或等於主要數量的鎢粉末的晶粒尺寸。
简体摘要：本揭露书的实施例包含用于控制钛-钨(TiW)靶材结核形成的方法及设备。在一些实施例中，靶材包含：来源材料，主要地包括钛(Ti)及钨(W)，该来源材料从钛粉末和钨粉末之混合物所形成，其中主要数量的钛粉末的晶粒尺寸系小于或等于主要数量的钨粉末的晶粒尺寸。

22. 发明专利

TW201540860A 用於快速冷卻基板的方法與設備审中-公开
简体标题：用于快速冷却基板的方法与设备
公开(公告)号：TW201540860A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104108833
申请日：2015-03-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉菲傑立巴利 , RAVI, JALLEPALLY , 珊索尼史蒂芬V , SANSONI, STEVEN V. , 沙芬戴亞基倫古莫 , SAVANDAIAH, KIRANKUMAR
IPC分类号： C23C14/54
CPC分类号： H01L21/67109
摘要：於此提供一種用以快速冷卻基板的方法與設備。在一些實施例中，冷卻腔室包含：腔室本體，具有內容積；基板支撐件，設置於容積中並具有基板支撐表面；板，相對基板支撐件而設置於腔室本體中且可相對基板支撐件在第一位置和第二位置間移動，其中第一位置將基板支撐件及板設置成彼此遠離，以曝露支撐表面給第一容積，且第二位置將基板支撐件及板設置成彼此鄰近，以曝露支撐表面給第二容積，第二容積小於第一容積；複數個流動通道，設置於一或多個板或基板支撐件中，以流動冷卻劑；及氣體入口，用以提供氣體進入第二容積。
简体摘要：于此提供一种用以快速冷却基板的方法与设备。在一些实施例中，冷却腔室包含：腔室本体，具有内容积；基板支撑件，设置于容积中并具有基板支撑表面；板，相对基板支撑件而设置于腔室本体中且可相对基板支撑件在第一位置和第二位置间移动，其中第一位置将基板支撑件及板设置成彼此远离，以曝露支撑表面给第一容积，且第二位置将基板支撑件及板设置成彼此邻近，以曝露支撑表面给第二容积，第二容积小于第一容积；复数个流动信道，设置于一或多个板或基板支撑件中，以流动冷却剂；及气体入口，用以提供气体进入第二容积。

23. 发明专利

TW201142068A 具有中心饋送射頻能量的用於物理氣相沉積的裝置 APPARATUS FOR PHYSICAL VAPOR DEPOSITION HAVING CENTRALLY FED RF ENERGY 审中-公开
简体标题：具有中心馈送射频能量的用于物理气相沉积的设备 APPARATUS FOR PHYSICAL VAPOR DEPOSITION HAVING CENTRALLY FED RF ENERGY
公开(公告)号：TW201142068A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100109194
申请日：2011-03-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：拉許德幕哈瑪德 , 華瑞恰克拉拉 , 卡克斯麥克S , 楊唐尼 , 沙芬戴亞基倫古莫 , 利奇艾倫
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3411
摘要：在某些實施例中，一種用以將射頻能量耦接至一靶材之饋送結構可包括：一主體，該主體具有用以接收射頻能量之一第一末端及與該第一末端相對以將該射頻能量耦接至一靶材之一第二末端，該主體進一步具有經安置而自該第一末端至該第二末端貫穿該主體之一中心開口；一第一部件，該第一部件在該第一末端處耦接至該主體，其中該第一部件包含外接該主體且自該主體徑向向外延伸之一第一元件，及安置於該第一部件中以自一射頻電源接收射頻能量之一或多個端子；以及一源分佈板，其耦接至該主體之該第二末端以將該射頻能量分佈至該靶材，其中該源分佈板包括經安置而貫穿該板且與該主體之該中心開口對準之一孔。
简体摘要：在某些实施例中，一种用以将射频能量耦接至一靶材之馈送结构可包括：一主体，该主体具有用以接收射频能量之一第一末端及与该第一末端相对以将该射频能量耦接至一靶材之一第二末端，该主体进一步具有经安置而自该第一末端至该第二末端贯穿该主体之一中心开口；一第一部件，该第一部件在该第一末端处耦接至该主体，其中该第一部件包含外置该主体且自该主体径向向外延伸之一第一组件，及安置于该第一部件中以自一射频电源接收射频能量之一或多个端子；以及一源分布板，其耦接至该主体之该第二末端以将该射频能量分布至该靶材，其中该源分布板包括经安置而贯穿该板且与该主体之该中心开口对准之一孔。

24. 发明专利

TW201139714A 可調整式處理間距、置中及改良的氣體傳導 ADJUSTABLE PROCESS SPACING, CENTERING, AND IMPROVED GAS CONDUCTANCE 审中-公开
简体标题：可调整式处理间距、置中及改良的气体传导 ADJUSTABLE PROCESS SPACING, CENTERING, AND IMPROVED GAS CONDUCTANCE
公开(公告)号：TW201139714A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103119
申请日：2011-01-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：華瑞恰克拉拉 , 沙芬戴亞基倫古莫
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3411 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C16/4585 , H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01L21/68714 , H01L21/68721 , Y10T428/12528
摘要：本發明實施例大致提供用於物理氣相沉積(PVD)腔室之製程套組。一實施例中,製程套組提供蓋環與遮蔽件間之可調整式處理間距、置中以及蓋環與遮蔽件間之受控制氣流以促成均勻氣體分配,這促進更高的處理一致性與重複性以及較長的腔室部件服務壽命。
简体摘要：本发明实施例大致提供用于物理气相沉积(PVD)腔室之制程套组。一实施例中,制程套组提供盖环与屏蔽件间之可调整式处理间距、置中以及盖环与屏蔽件间之受控制气流以促成均匀气体分配,这促进更高的处理一致性与重复性以及较长的腔室部件服务寿命。

25. 发明专利

TW201107515A 用於ＲＦ物理氣相沉積之製程套件 PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
简体标题：用于ＲＦ物理气相沉积之制程套件 PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TW201107515A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099126787
申请日：2010-08-11
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：華瑞恰克拉拉 , 沙芬戴亞基倫古莫 , 拉希德莫哈曼德M , 汪榮軍 , 艾倫阿道夫米勒 , 謝資甘
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要：本發明之具體實施例一般關於一種供半導體處理室所用之製程套件，以及具有製程套件的半導體處理室。詳言之，本文所描述之具體實施例關於一種製程套件，其包括使用於物理沉積室中的覆蓋環、屏蔽罩以及隔離件。製程套件的組件可單獨也可結合工作，以顯著減少顆粒產生及偏離電漿。相較於現存的多部件屏蔽罩，其提供延伸的RF返回路徑促使RF諧波造成製程腔外側的偏離電漿，本發明之製程套件的組件減少了RF返回路徑，因而提供改良的電漿於內部處理區域中。
简体摘要：本发明之具体实施例一般关于一种供半导体处理室所用之制程套件，以及具有制程套件的半导体处理室。详言之，本文所描述之具体实施例关于一种制程套件，其包括使用于物理沉积室中的覆盖环、屏蔽罩以及隔离件。制程套件的组件可单独也可结合工作，以显着减少颗粒产生及偏离等离子。相较于现存的多部件屏蔽罩，其提供延伸的RF返回路径促使RF谐波造成制程腔外侧的偏离等离子，本发明之制程套件的组件减少了RF返回路径，因而提供改良的等离子于内部处理区域中。

26. 发明专利

TW201104004A 高壓ＲＦ－ＤＣ濺射及改善此製程之膜均勻性與階梯覆蓋率的方法 HIGH PRESSURE RF-DC SPUTTERING AND METHODS TO IMPROVE FILM UNIFORMITY AND STEP-COVERAGE OF THIS PROCESS 审中-公开
简体标题：高压ＲＦ－ＤＣ溅射及改善此制程之膜均匀性与阶梯覆盖率的方法 HIGH PRESSURE RF-DC SPUTTERING AND METHODS TO IMPROVE FILM UNIFORMITY AND STEP-COVERAGE OF THIS PROCESS
公开(公告)号：TW201104004A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099110606
申请日：2010-04-06
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：艾倫阿道夫米勒 , 華瑞恰克拉拉 , 謝資甘 , 拉希德莫哈曼德M , 汪榮軍 , 唐先敏 , 劉荏東 , 龔則敬 , 干德可塔史林尼維斯 , 張鎂 , 卡克斯麥克S , 楊唐尼 , 沙芬戴亞基倫古莫 , 葛正彬
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
摘要：本發明之實施例大體上提出用以進行物理氣相沉積(PVD)製程的處理腔室和沉積多重成分膜的方法。處理腔室包括：改良式RF進料構造，用以減少任何駐波效應；改良式電磁管設計，用以加強RF電漿均勻性、沉積膜組成和厚度均勻性；改良式基材偏壓構造，用以改善製程控制；以及改良式製程套組設計，用以改善基材臨界表面附近的RF場均勻性。方法包括利用耦接多重成分靶材的射頻(RF)供應器，在腔室的處理區中形成電漿、相對多重成分靶材平移電磁管，其中當平移電磁管且電漿形成時，電磁管相對多重成分靶材的中心點位於第一位置、以及沉積多重成分膜至腔室內的基材上。
简体摘要：本发明之实施例大体上提出用以进行物理气相沉积(PVD)制程的处理腔室和沉积多重成分膜的方法。处理腔室包括：改良式RF进料构造，用以减少任何驻波效应；改良式电磁管设计，用以加强RF等离子均匀性、沉积膜组成和厚度均匀性；改良式基材偏压构造，用以改善制程控制；以及改良式制程套组设计，用以改善基材临界表面附近的RF场均匀性。方法包括利用耦接多重成分靶材的射频(RF)供应器，在腔室的处理区中形成等离子、相对多重成分靶材平移电磁管，其中当平移电磁管且等离子形成时，电磁管相对多重成分靶材的中心点位于第一位置、以及沉积多重成分膜至腔室内的基材上。

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