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21. 发明专利

TW201227994A 太陽能電池及其製作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201227994A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099147033
申请日：2010-12-30
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 李欣峯 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池,包括一半導體基底、一第一摻雜半導體層、一絕緣層、一第二摻雜半導體層以及一第一電極層。半導體基底具有第一摻雜型式。第一摻雜半導體層係設置於半導體基底上,且第一摻雜半導體層包含一摻雜接觸區。絕緣層係設置於第一摻雜半導體層上且暴露出摻雜接觸區。第二摻雜半導體層係設置於絕緣層與摻雜接觸區上。第一摻雜半導體層、摻雜接觸區與第二摻雜半導體層具有第二摻雜型式,且第二摻雜半導體層之摻雜濃度實質上介於摻雜接觸區之摻雜濃度與第一摻雜半導體層之摻雜濃度之間。第一電極層係對應於摻雜接觸區。
简体摘要：一种太阳能电池,包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层系设置于半导体基底上,且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层系设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层系设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式,且第二掺杂半导体层之掺杂浓度实质上介于掺杂接触区之掺杂浓度与第一掺杂半导体层之掺杂浓度之间。第一电极层系对应于掺杂接触区。

22. 发明专利

TW201225311A 太陽能電池結構 SOLAR CELL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：太阳能电池结构 SOLAR CELL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201225311A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099144062
申请日：2010-12-15
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：陳鈺君 , 賴忠威 , 陳宗保 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
摘要：一種太陽能電池結構,包括一基板、一第一半導體矽膜層、一第一透明導電層、一第一保護層、一第一金屬電極、一第二半導體矽膜層、一第二透明導電層以及一第二金屬電極。第一半導體矽膜層、第一透明導電層、第一保護層依序地配置於基板的一第一側。第一保護層具有多個第一開口以暴露出部分第一透明導電層。第一保護層的材質為氮化矽。第一金屬電極配置於第一保護層的第一開口中。第二半導體矽膜層配置於基板的一第二側,且第一側與第二側相對。第二透明導電層配置於第二半導體矽膜層遠離基板的一側。第二金屬電極配置於第二透明導電層遠離基板的一側。
简体摘要：一种太阳能电池结构,包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层、第一透明导电层、第一保护层依序地配置于基板的一第一侧。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层。第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧,且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。

23. 发明专利

TWI516017B 太陽能面板模組及其框架有权
简体标题：太阳能皮肤模块及其框架
公开(公告)号：TWI516017B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103115606
申请日：2014-04-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳智勇 , CHEN, JHIH YONG , 蘇子文 , SU, TZU WEN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H02S30/10 , H02S40/22 , H01L31/054
CPC分类号： Y02E10/52

24. 发明专利

TW201228008A 太陽電池的製造方法 METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳电池的制造方法 METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201228008A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099146614
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 郭政彰 , 陳均維 , 李欣峯 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽電池的製造方法,其包括:提供一第一型摻雜半導體基材,其具有一第一表面以及一第二表面;於部分的第一型摻雜半導體基材中形成一第二型摻雜擴散區,第二型摻雜擴散區自第一表面延伸至第一型摻雜半導體基材中;於第一表面上形成一與第二型擴散層接觸之抗反射層;於抗反射層上形成一導電膠,其包括導電粒子以及第二型摻質,並進行一共燒結製程,以使導電膠穿過抗反射層而形成一嵌於抗反射層之第一接觸導體,在共燒結製程中,第二型摻質係擴散至第二型摻雜擴散區以形成一第二型重摻雜區;以及於第一型摻雜半導體基材之第二表面上形成一第二接觸導體。
简体摘要：一种太阳电池的制造方法,其包括:提供一第一型掺杂半导体基材,其具有一第一表面以及一第二表面;于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区,第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中;于第一表面上形成一与第二型扩散层接触之抗反射层;于抗反射层上形成一导电胶,其包括导电粒子以及第二型掺质,并进行一共烧结制程,以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层之第一接触导体,在共烧结制程中,第二型掺质系扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区;以及于第一型掺杂半导体基材之第二表面上形成一第二接触导体。

25. 发明专利

TW201218389A 太陽能電池 SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池 SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201218389A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136353
申请日：2010-10-25
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 陳芃 , 陳宗保 , 梁碩瑋 , 吳振誠 , 陳建任
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池,其包括半導體基材、摻雜層、抗反射層、電極、鈍化堆疊層以及接觸層。半導體基材具有前表面以及後表面。摻雜層位於半導體基材之前表面上。抗反射層位於摻雜層上。電極位於抗反射層上且與摻雜層電性連接。鈍化堆疊層位於半導體基材的後表面上,且鈍化堆疊層包括第一介電層、第二介電層以及夾於第一介電層與第二介電層之間的中間介電層。特別是,中間介電層的介電常數約低於第一介電層的介電常數以及第二介電層的介電常數。接觸層覆蓋鈍化堆疊層且與半導體基材的後表面電性接觸。
简体摘要：一种太阳能电池,其包括半导体基材、掺杂层、抗反射层、电极、钝化堆栈层以及接触层。半导体基材具有前表面以及后表面。掺杂层位于半导体基材之前表面上。抗反射层位于掺杂层上。电极位于抗反射层上且与掺杂层电性连接。钝化堆栈层位于半导体基材的后表面上,且钝化堆栈层包括第一介电层、第二介电层以及夹于第一介电层与第二介电层之间的中间介电层。特别是,中间介电层的介电常数约低于第一介电层的介电常数以及第二介电层的介电常数。接触层覆盖钝化堆栈层且与半导体基材的后表面电性接触。

26. 发明专利

TW201331527A 太陽能面板模組审中-公开
简体标题：太阳能皮肤模块
公开(公告)号：TW201331527A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101103042
申请日：2012-01-31
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：曾煌棊 , TSENG, HUANG CHI , 李權庭 , LI, CHIUAN TING , 李韋杰 , LEE, WEI JIEH , 楊峻鳴 , YANG, CHUN MING , 東冠妏 , TUNG, KUAN WEN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： F24J2/46
CPC分类号： H02S20/24 , F24S25/10 , F24S25/70 , H02S20/23 , Y02B10/12 , Y02E10/47
摘要：一種太陽能面板模組，包括一太陽能面板、一支架結構以及一導流裝置。支架結構係與太陽能面板連結，用以支撐太陽能面板並使太陽能面板以傾斜於一水平面之一傾斜角設置。導流裝置係設置於太陽能面板之下方，用以將由側向吹向導流裝置之風導向一出風方向，其中出風方向朝向太陽能面板之一底面。
简体摘要：一种太阳能皮肤模块，包括一太阳能皮肤、一支架结构以及一导流设备。支架结构系与太阳能皮肤链接，用以支撑太阳能皮肤并使太阳能皮肤以倾斜于一水平面之一倾斜角设置。导流设备系设置于太阳能皮肤之下方，用以将由侧向吹向导流设备之风导向一出风方向，其中出风方向朝向太阳能皮肤之一底面。

27. 发明专利

TW201322473A 製作太陽能電池之方法审中-公开
简体标题：制作太阳能电池之方法
公开(公告)号：TW201322473A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100144000
申请日：2011-11-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要：本發明提供一種製作太陽能電池之方法，包括利用摻雜膠於半導體基底之第一表面形成選擇性射極，並藉由摻雜膠的屏障使選擇性射極具有非粗糙化表面，以及利用粗糙化阻障層使半導體基底之第二表面具有非粗糙化表面。
简体摘要：本发明提供一种制作太阳能电池之方法，包括利用掺杂胶于半导体基底之第一表面形成选择性射极，并借由掺杂胶的屏障使选择性射极具有非粗糙化表面，以及利用粗糙化阻障层使半导体基底之第二表面具有非粗糙化表面。

28. 发明专利

TW201242066A 太陽能電池的製造方法 METHOD OF FABRICATING SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池的制造方法 METHOD OF FABRICATING SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201242066A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100113232
申请日：2011-04-15
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：邱銘暉 , 楊士賢 , 胡雁程 , 陳鈺君 , 陳宗保 , 王冠程 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/02963 , H01L31/0323 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池的製造方法。提供一第一型基底,其具有一第一表面與一第二表面。使用一第一摻質對第一型基底的第一表面進行一第一摻雜製程,以形成一第一型淡摻雜層。使用一第二摻質對部分第一型淡摻雜層進行一第二摻雜製程,以形成一第二型重摻雜區,其中第二摻質的原子量大於第一摻質的原子量,第一摻雜製程的溫度高於第二摻雜製程的溫度。於第二型重摻雜區上形成一第一電極。於第一型基底的第二表面上形成一第二電極。
简体摘要：一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底,其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂制程,以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂制程,以形成一第二型重掺杂区,其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量,第一掺杂制程的温度高于第二掺杂制程的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。

29. 发明专利

TW201228017A 太陽能電池 SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池 SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201228017A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099146606
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 陳芃 , 梁碩瑋 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：一種太陽能電池,其包括半導體基材、摻雜層、量子井層、第一鈍化層、第二鈍化層、第一電極以及第二電極。半導體基材具有前表面以及後表面,且半導體基材之前表面為奈米柱。摻雜層覆蓋在奈米柱之表面。電極層覆蓋摻雜層。量子井層位於半導體基材上,量子井層具有至少一第一摻雜區以及至少一第二摻雜區,其中量子井層包括多晶矽化鍺(Si1-xGex)。第一鈍化層覆蓋量子井層之第一摻雜區。第二鈍化層覆蓋量子井層之第二摻雜區。第一電極以及第二電極分別與量子井層之第一摻雜區以及第二摻雜區電性連接。
简体摘要：一种太阳能电池,其包括半导体基材、掺杂层、量子井层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基材具有前表面以及后表面,且半导体基材之前表面为奈米柱。掺杂层覆盖在奈米柱之表面。电极层覆盖掺杂层。量子井层位于半导体基材上,量子井层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区,其中量子井层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子井层之第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子井层之第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子井层之第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。

30. 发明专利

TWI545783B 太陽能電池組件及太陽能電池模組有权
简体标题：太阳能电池组件及太阳能电池模块
公开(公告)号：TWI545783B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW104100439
申请日：2015-01-07
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：蘇資淵 , SU, TZU YUAN , 張評款 , CHANG, PING KUAN , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/05
CPC分类号： Y02E10/50

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