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1. 发明专利

TW201322473A 製作太陽能電池之方法审中-公开
简体标题：制作太阳能电池之方法
公开(公告)号：TW201322473A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100144000
申请日：2011-11-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要：本發明提供一種製作太陽能電池之方法，包括利用摻雜膠於半導體基底之第一表面形成選擇性射極，並藉由摻雜膠的屏障使選擇性射極具有非粗糙化表面，以及利用粗糙化阻障層使半導體基底之第二表面具有非粗糙化表面。
简体摘要：本发明提供一种制作太阳能电池之方法，包括利用掺杂胶于半导体基底之第一表面形成选择性射极，并借由掺杂胶的屏障使选择性射极具有非粗糙化表面，以及利用粗糙化阻障层使半导体基底之第二表面具有非粗糙化表面。

2. 发明专利

TWI467793B 太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI467793B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101126371
申请日：2012-07-20
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02168 , Y02E10/50

3. 发明专利

TWI455329B 太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI455329B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099136520
申请日：2010-10-26
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：劉致為 , LIU, CHEE WEE , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳彥瑜 , CHEN, YEN YU , 古峻源 , KU, CHUN YUAN , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 賴忠威 , LAI, CHUNG WEI , 陳宗保 , CHEN, TSUNG PAO
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521

4. 发明专利

TW201411861A 太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201411861A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW101145357
申请日：2012-12-03
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：賴良星 , LAI, LIANG HSING , 呂智成 , LU, CHIH CHENG , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0256 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池，包括一基底、一第一輕摻雜區、一第二輕摻雜區、一第二重輕摻雜區、一第一電極以及一第二電極。第一輕摻雜區位於基底之一第一表面內，其中第一輕摻雜區具有一第一摻雜類型。第二輕摻雜區與第二重輕摻雜區位於基底之一第二表面內，其中第二輕摻雜區與第二重摻雜區具有一第二摻雜類型，且第一摻雜類型不同於第二摻雜類型。第一電極位於基底之第一表面上。第二電極位於基底之第二表面上。
简体摘要：一种太阳能电池，包括一基底、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第二重轻掺杂区、一第一电极以及一第二电极。第一轻掺杂区位于基底之一第一表面内，其中第一轻掺杂区具有一第一掺杂类型。第二轻掺杂区与第二重轻掺杂区位于基底之一第二表面内，其中第二轻掺杂区与第二重掺杂区具有一第二掺杂类型，且第一掺杂类型不同于第二掺杂类型。第一电极位于基底之第一表面上。第二电极位于基底之第二表面上。

5. 发明专利

TWI424584B 製作太陽能電池之方法有权
简体标题：制作太阳能电池之方法
公开(公告)号：TWI424584B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW100144000
申请日：2011-11-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/068 , Y02E10/547

6. 发明专利

TW201349546A 太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201349546A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101126371
申请日：2012-07-20
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池，包括半導體基板以及第一抗反射層。半導體基板具有相對之第一型半導體表面與第二型半導體表面。第一抗反射層包括多個折射凸塊以及覆蓋層。這些折射凸塊設置於第二型半導體表面，其中各折射凸塊具有第一折射部與第二折射部。第二折射部共形地覆蓋第一折射部，且第一折射部的折射率大於第二折射部的折射率。覆蓋層覆蓋第二型半導體表面及這些折射凸塊，且覆蓋層的折射率小於這些第二折射部的折射率。
简体摘要：一种太阳能电池，包括半导体基板以及第一抗反射层。半导体基板具有相对之第一型半导体表面与第二型半导体表面。第一抗反射层包括多个折射凸块以及覆盖层。这些折射凸块设置于第二型半导体表面，其中各折射凸块具有第一折射部与第二折射部。第二折射部共形地覆盖第一折射部，且第一折射部的折射率大于第二折射部的折射率。覆盖层覆盖第二型半导体表面及这些折射凸块，且覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。

7. 发明专利

TW201227996A 太陽能電池及其製造方法 SOLAR CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法 SOLAR CELL AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201227996A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099144824
申请日：2010-12-20
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：郭政彰 , 李欣峯 , 胡雁程 , 陳均維 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池,包括一半導體基材、一重摻雜層、一淡摻雜層、一第一電極層以及一第二電極層。半導體基材具有一第一表面以及一第二表面。重摻雜層位於半導體基材內,且從半導體基材的第一表面往半導體基材之內部延伸一第一厚度。淡摻雜層位於半導體基材內,且從重摻雜層往半導體基材之內部延伸一第二厚度,其中重摻雜層的第一厚度小於淡摻雜層的第二厚度。第一電極層位於半導體基材的第一表面上。第二電極層位於半導體基材的第二表面上。
简体摘要：一种太阳能电池,包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内,且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内,且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度,其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。

8. 发明专利

TWI469377B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI469377B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100129417
申请日：2011-08-17
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：呂智成 , LU, CHIH CHENG , 胡雁程 , HU, YEN CHENG , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

9. 发明专利

TW201225311A 太陽能電池結構 SOLAR CELL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：太阳能电池结构 SOLAR CELL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201225311A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099144062
申请日：2010-12-15
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：陳鈺君 , 賴忠威 , 陳宗保 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
摘要：一種太陽能電池結構,包括一基板、一第一半導體矽膜層、一第一透明導電層、一第一保護層、一第一金屬電極、一第二半導體矽膜層、一第二透明導電層以及一第二金屬電極。第一半導體矽膜層、第一透明導電層、第一保護層依序地配置於基板的一第一側。第一保護層具有多個第一開口以暴露出部分第一透明導電層。第一保護層的材質為氮化矽。第一金屬電極配置於第一保護層的第一開口中。第二半導體矽膜層配置於基板的一第二側,且第一側與第二側相對。第二透明導電層配置於第二半導體矽膜層遠離基板的一側。第二金屬電極配置於第二透明導電層遠離基板的一側。
简体摘要：一种太阳能电池结构,包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层、第一透明导电层、第一保护层依序地配置于基板的一第一侧。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层。第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧,且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。

10. 发明专利

TWI549306B 背接觸式太陽能電池的製作方法有权
简体标题：背接触式太阳能电池的制作方法
公开(公告)号：TWI549306B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103117919
申请日：2014-05-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：胡雁程 , HU, YENCHENG , 陳人杰 , CHEN, JENCHIEH , 吳振誠 , WU, ZHENCHENG
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02363 , H01B1/22 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035281 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521

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