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1. 发明专利

TWI483406B 太陽電池有权
简体标题：太阳电池
公开(公告)号：TWI483406B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW099115781
申请日：2010-05-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：劉致為 , LIU, CHEE WEE , 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 陳彥瑜 , CHEN, YEN YU , 古峻源 , KU, CHUN YUAN , 陳建任 , CHEN, CHIEN JEN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50

2. 发明专利

TW201218389A 太陽能電池 SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池 SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201218389A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136353
申请日：2010-10-25
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 陳芃 , 陳宗保 , 梁碩瑋 , 吳振誠 , 陳建任
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池,其包括半導體基材、摻雜層、抗反射層、電極、鈍化堆疊層以及接觸層。半導體基材具有前表面以及後表面。摻雜層位於半導體基材之前表面上。抗反射層位於摻雜層上。電極位於抗反射層上且與摻雜層電性連接。鈍化堆疊層位於半導體基材的後表面上,且鈍化堆疊層包括第一介電層、第二介電層以及夾於第一介電層與第二介電層之間的中間介電層。特別是,中間介電層的介電常數約低於第一介電層的介電常數以及第二介電層的介電常數。接觸層覆蓋鈍化堆疊層且與半導體基材的後表面電性接觸。
简体摘要：一种太阳能电池,其包括半导体基材、掺杂层、抗反射层、电极、钝化堆栈层以及接触层。半导体基材具有前表面以及后表面。掺杂层位于半导体基材之前表面上。抗反射层位于掺杂层上。电极位于抗反射层上且与掺杂层电性连接。钝化堆栈层位于半导体基材的后表面上,且钝化堆栈层包括第一介电层、第二介电层以及夹于第一介电层与第二介电层之间的中间介电层。特别是,中间介电层的介电常数约低于第一介电层的介电常数以及第二介电层的介电常数。接触层覆盖钝化堆栈层且与半导体基材的后表面电性接触。

3. 发明专利

TWI420700B 太陽能電池有权
简体标题：太阳能电池
公开(公告)号：TWI420700B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW099146606
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：胡雁程 , HU, YEN CHENG , 陳芃 , CHEN, PENG , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L33/06 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/0682 , Y02E10/547

4. 发明专利

TW201228017A 太陽能電池 SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池 SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201228017A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099146606
申请日：2010-12-29
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡雁程 , 陳芃 , 梁碩瑋 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：一種太陽能電池,其包括半導體基材、摻雜層、量子井層、第一鈍化層、第二鈍化層、第一電極以及第二電極。半導體基材具有前表面以及後表面,且半導體基材之前表面為奈米柱。摻雜層覆蓋在奈米柱之表面。電極層覆蓋摻雜層。量子井層位於半導體基材上,量子井層具有至少一第一摻雜區以及至少一第二摻雜區,其中量子井層包括多晶矽化鍺(Si1-xGex)。第一鈍化層覆蓋量子井層之第一摻雜區。第二鈍化層覆蓋量子井層之第二摻雜區。第一電極以及第二電極分別與量子井層之第一摻雜區以及第二摻雜區電性連接。
简体摘要：一种太阳能电池,其包括半导体基材、掺杂层、量子井层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基材具有前表面以及后表面,且半导体基材之前表面为奈米柱。掺杂层覆盖在奈米柱之表面。电极层覆盖掺杂层。量子井层位于半导体基材上,量子井层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区,其中量子井层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子井层之第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子井层之第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子井层之第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。

5. 发明专利

TW200952178A 薄膜電晶體的製造方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管的制造方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200952178A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097121565
申请日：2008-06-10
申请人：中華民國台灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會 , 中華映管股份有限公司 , 友達光電股份有限公司 , 瀚宇彩晶股份有限公司 , 奇美電子股份有限公司 , 財團法人工業技術研究院
发明人：羅方禎 , 梁碩瑋 , 姜信銓 , 陳兆南 , 余錦智
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869
摘要：一種薄膜電晶體的製造方法。首先，於基材上形成閘極。然後，於基材上形成閘絕緣層，以覆蓋閘極。接著，於閘絕緣層上形成金屬氧化物材料層。而後，於金屬氧化物材料層上形成光阻層，其中閘極上方的光阻層的厚度大於閘極兩側上方的光阻層的厚度。繼之，以光阻層為罩幕，移除部份金屬氧化物材料層，以形成金屬氧化物主動層。然後，移除閘極兩側上方的光阻層，使留下來的光阻層覆蓋部分金屬氧化物主動層。而後，於覆蓋有光阻層的金屬氧化物主動層上形成源極與汲極。
简体摘要：一种薄膜晶体管的制造方法。首先，于基材上形成闸极。然后，于基材上形成闸绝缘层，以覆盖闸极。接着，于闸绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，于金属氧化物材料层上形成光阻层，其中闸极上方的光阻层的厚度大于闸极两侧上方的光阻层的厚度。继之，以光阻层为罩幕，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物主动层。然后，移除闸极两侧上方的光阻层，使留下来的光阻层覆盖部分金属氧化物主动层。而后，于覆盖有光阻层的金属氧化物主动层上形成源极与汲极。

6. 发明专利

TW201415650A 太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201415650A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101147885
申请日：2012-12-17
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳芃 , CHEN, PENG , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/22
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種太陽能電池，其包括設於半導體基底第一表面之摻雜層、設於半導體基底第二表面之第一區的摻雜多晶矽層、設於半導體基底第二表面之第二區的摻雜區、以及覆蓋摻雜多晶矽層與摻雜區表面之絕緣層。絕緣層暴露了部分摻雜多晶矽層與部分摻雜區，使摻雜多晶矽層與摻雜區經由絕緣層的開口分別連接於第一電極與第二電極。半導體基底與摻雜層具有第一摻雜類型，摻雜多晶矽層與摻雜區之其中一者具有第二摻雜類型，其中另一者則具有第一摻雜類型，且第二摻雜類型相反於第一摻雜類型。
简体摘要：本发明提供一种太阳能电池，其包括设于半导体基底第一表面之掺杂层、设于半导体基底第二表面之第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面之第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面之绝缘层。绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区，使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型，掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型，其中另一者则具有第一掺杂类型，且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。

7. 发明专利

TW201403851A 太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201403851A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101130634
申请日：2012-08-23
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳芃 , CHEN, PENG , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/022441 , H01L31/065 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種太陽能電池及其製作方法。太陽能電池之基底具有重摻雜區與輕摻雜區。陽極與陰極均設置於基底的背面，因此可增加基底之正面的入光量。陽極與陰極與重摻雜區接觸而形成選擇性射極結構，因此具有較低的接觸電阻。另外，未與電極接觸的輕摻雜區具有較低的飽和電流，因此可減少電子-電洞對的復合，同時並可增加對於紅外線的吸收。
简体摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制作方法。太阳能电池之基底具有重掺杂区与轻掺杂区。阳极与阴极均设置于基底的背面，因此可增加基底之正面的入光量。阳极与阴极与重掺杂区接触而形成选择性射极结构，因此具有较低的接触电阻。另外，未与电极接触的轻掺杂区具有较低的饱和电流，因此可减少电子-电洞对的复合，同时并可增加对于红外线的吸收。

9. 发明专利

TWI476943B 太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI476943B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101130634
申请日：2012-08-23
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳芃 , CHEN, PENG , 梁碩瑋 , LIANG, SHUO WEI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/022441 , H01L31/065 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521

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