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21. 发明专利

TW200607388A 具至少一有機層之頂部發光電激發光組件 TOP-EMITTIERENDES, ELEKTROLUMINESZIERENDES BAUELEMENT MIT ZUMINDEST EINER ORGANISCHEN SCHICHT 审中-公开
简体标题：具至少一有机层之顶部发光电激发光组件 TOP-EMITTIERENDES, ELEKTROLUMINESZIERENDES BAUELEMENT MIT ZUMINDEST EINER ORGANISCHEN SCHICHT
公开(公告)号：TW200607388A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094123978
申请日：2005-07-14
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：揚.賓恩史托克 JAN BIRNSTOCK , 馬丁.費瑟 MARTIN VEHSE , 蒂爾曼.羅曼區克 TILMANN ROMAINCZYK
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L2251/5315
摘要：為了提高頂部發光有機發光二極體的光線輸出耦合效率，本發明提出一種頂部發光電激發光組件(100)，這種發光組件具有一個基片、一個靠近基片的第一個電極(120)、一個離基片較遠的第二個電極(140)、以及至少一個位於兩個電極之間的發光有機層(130)，發光組件發出的光線是穿透第二個電極發射出去。本發明的發光組件的特徵是：在第二個電極(140)離至少一個有機層(130)較遠的那一面上另外設置一個附加層(150)，這個附加層(150)含有作為散射中心之具光散射作用的異質(151，152，153)，且這個附加層對於發光組件產生之光線波長範圍的透光率大於0.6。這個附加層可以經由不同的濕式化學法及真空法被設置在第二個電極上，且在設置過程中或設置完成後可以在輸出耦合層內及／或在輸出耦合層上形成有助帶提高光線耦合效率的不均勻性。此外，本發明還提出一種製造這種發光組件的方法。
简体摘要：为了提高顶部发光有机发光二极管的光线输出耦合效率，本发明提出一种顶部发光电激发光组件(100)，这种发光组件具有一个基片、一个靠近基片的第一个电极(120)、一个离基片较远的第二个电极(140)、以及至少一个位于两个电极之间的发光有机层(130)，发光组件发出的光线是穿透第二个电极发射出去。本发明的发光组件的特征是：在第二个电极(140)离至少一个有机层(130)较远的那一面上另外设置一个附加层(150)，这个附加层(150)含有作为散射中心之具光散射作用的异质(151，152，153)，且这个附加层对于发光组件产生之光线波长范围的透光率大于0.6。这个附加层可以经由不同的湿式化学法及真空法被设置在第二个电极上，且在设置过程中或设置完成后可以在输出耦合层内及／或在输出耦合层上形成有助带提高光线耦合效率的不均匀性。此外，本发明还提出一种制造这种发光组件的方法。

22. 发明专利

TW200605417A 發光組件 LIGHT-EMITTING COMPONENT 审中-公开
简体标题：发光组件 LIGHT-EMITTING COMPONENT
公开(公告)号：TW200605417A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094124424
申请日：2005-07-19
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH , 弗朗霍夫學會 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT
发明人：凱.施密特 KAI SCHMIDT , 卡爾.萊奧 KARL LEO , 敦肯.希爾 DUNCAN HILL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/5262 , H01L51/5275
摘要：本發明與一種具有包含有機層(2)排列的層狀結構之發光裝置有關，特別是有機發光二極體，其提供一種具有一或更多全像層(1)的繞射排列，其將光自內部、非發光模式轉換為外部、發光模式。
简体摘要：本发明与一种具有包含有机层(2)排列的层状结构之发光设备有关，特别是有机发光二极管，其提供一种具有一或更多全像层(1)的绕射排列，其将光自内部、非发光模式转换为外部、发光模式。

23. 发明专利

TW200509428A 摻雜有機半導體材料及其製造方法 DOTIERTE ORGANISCHE HALBLEITERMATERIALIEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
简体标题：掺杂有机半导体材料及其制造方法 DOTIERTE ORGANISCHE HALBLEITERMATERIALIEN SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
公开(公告)号：TW200509428A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093120074
申请日：2004-07-02
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾‧維爾納 ANSGAR WERNER , 豐弘‧李 FENGHONG LI , 馬丁‧普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/5052 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係一種製造具有較高之載流子密度及較有效之載流子遷移率的摻雜有機半導體材料的方法，這種製造方法使用一種摻雜物(1)進行摻雜，當摻雜物(1)被摻雜入有機半導體材料後，氫、一氧化碳、氮、或是氫氧根會被分離出來，而且至少會有一個電子被移入半導體材料或是從半導體材料被移出。這種製造方法的特徵是以一種未帶電荷的有機化合物作為摻雜物(1)。此外，本發明的內容還包括以上述方法製造出來的摻雜有機半導體材料。本發明之半導體材料的特徵是在摻雜薄膜層中至少含有一種有機化合物的陽離子(2)，其中有機化合物(1)的未帶電荷型式在空氣中並不穩定。
简体摘要：本发明系一种制造具有较高之载流子密度及较有效之载流子迁移率的掺杂有机半导体材料的方法，这种制造方法使用一种掺杂物(1)进行掺杂，当掺杂物(1)被掺杂入有机半导体材料后，氢、一氧化碳、氮、或是氢氧根会被分离出来，而且至少会有一个电子被移入半导体材料或是从半导体材料被移出。这种制造方法的特征是以一种未带电荷的有机化合物作为掺杂物(1)。此外，本发明的内容还包括以上述方法制造出来的掺杂有机半导体材料。本发明之半导体材料的特征是在掺杂薄膜层中至少含有一种有机化合物的阳离子(2)，其中有机化合物(1)的未带电荷型式在空气中并不稳定。

25. 发明专利

TW201540695A 磷光OLED及磷光OLED電洞傳送材料审中-公开
简体标题：磷光OLED及磷光OLED电洞发送材料
公开(公告)号：TW201540695A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104112316
申请日：2015-04-17
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：柏克哈德馬丁 , BURKHARDT, MARTIN , 諾爾納邁克 , ZOELLNER, MIKE , 瓦里奇維茲博德 , WALLIKEWITZ, BODO
IPC分类号： C07C211/54 , C07C211/58 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/006 , C07C211/54 , C07C211/58 , C07C2603/18 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096
摘要：本發明與包含電洞傳送以及電子阻擋層的磷光有機發光二極體（OLED）有關，該電洞傳送以及電子阻擋層包含在苯烯二胺核心的位置1中具有9H-茀基取代基的N,N,N’,N’-四芳基-苯烯-3,5-二胺化合物。具創造性的化合物有用於作為磷光OLED中的電洞傳送以及電子阻擋層基質。
简体摘要：本发明与包含电洞发送以及电子阻挡层的磷光有机发光二极管（OLED）有关，该电洞发送以及电子阻挡层包含在苯烯二胺内核的位置1中具有9H-茀基取代基的N,N,N’,N’-四芳基-苯烯-3,5-二胺化合物。具创造性的化合物有用于作为磷光OLED中的电洞发送以及电子阻挡层基质。

26. 发明专利

TW201539818A 製造有機電晶體方法及有機電晶體审中-公开
简体标题：制造有机晶体管方法及有机晶体管
公开(公告)号：TW201539818A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104109918
申请日：2015-03-27
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 , NOVALED GMBH
发明人：克雷曼漢斯 , KLEEMANN, HANS , 許瓦茨格雷格 , SCHWARTZ, GREGOR , 布洛赫維茨尼莫特揚 , BLOCHWITZ-NIMOTH, JAN
IPC分类号： H01L51/40 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/057 , H01L51/0003 , H01L51/0023 , H01L51/0541 , H01L51/105
摘要：本發明有關於一種產生有機電晶體的方法。該方法包含以下步驟。在基板(1)上提供第一電極(2)、產生源極-汲極絕緣體(3)，該源極-汲極絕緣體(3)至少部分地被分配至基板(1)及/或至少部分地被分配至第一電極(2)、產生分配至源極-汲極絕緣體(3)的第二電極(4)、在第一電極(2)、第二電極(4)及源極-汲極絕緣體(3)上沉積有機半導體層(5)、產生分配至有機半導體層(5)的閘極絕緣體(6)、以及提供分配至閘極絕緣體(6)的閘極(7)。進一步，本發明關於一種有機電晶體。
简体摘要：本发明有关于一种产生有机晶体管的方法。该方法包含以下步骤。在基板(1)上提供第一电极(2)、产生源极-汲极绝缘体(3)，该源极-汲极绝缘体(3)至少部分地被分配至基板(1)及/或至少部分地被分配至第一电极(2)、产生分配至源极-汲极绝缘体(3)的第二电极(4)、在第一电极(2)、第二电极(4)及源极-汲极绝缘体(3)上沉积有机半导体层(5)、产生分配至有机半导体层(5)的闸极绝缘体(6)、以及提供分配至闸极绝缘体(6)的闸极(7)。进一步，本发明关于一种有机晶体管。

27. 发明专利

TWI287881B 以金屬複合物作為有機半導體基質材料之N型摻雜物、有機半導體材料及電子元件之應用方法、其摻雜物及配合價及其製造方法 USE OF A METAL COMPLEX AS AN N-DOPANT FOR AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT, AND ALSO A DOPANT AND LIGAND AND PROCESS FOR PRODUCING SAME 有权
简体标题：以金属复合物作为有机半导体基质材料之N型掺杂物、有机半导体材料及电子组件之应用方法、其掺杂物及配合价及其制造方法 USE OF A METAL COMPLEX AS AN N-DOPANT FOR AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT, AND ALSO A DOPANT AND LIGAND AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TWI287881B
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW094108264
申请日：2005-03-17
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾.維爾納 ANSGAR WERNER , 奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 西蒙.格斯勒 SIMON GESSLER , 原田健太郎 KENTARO HARADA , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 安德爾.格呂辛 ANDRE GRUESSING , 米夏埃爾.李梅爾特 MICHAEL LIMMERT , 安德里亞.路克斯 ANDREA LUX
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係以一種金屬複合物作為摻雜有機半導體基質材料用的摻雜物，以改變有機半導體基質材料的電學特性，對有機半導體基質材料而言，這種金屬複合物係作為摻雜作用中的一種n型摻雜物。為了讓n型摻雜有機半導體也能夠使還原電位較低的基質材料達到較高的導電率，本發明建議以一種多電子的電中性金屬複合物作為摻雜化合物，此種金屬複合物具有一個核下原子，而且這種核心原子最好是一種價電子數至少是16的電中性或有帶電荷的過渡金屬原子。所使用的複合物可以是多核心的複合物，而且至少具有一個金屬－金屬鍵。至少有一種配合價可以和核心原子構成一種pi複合物，這種配合價可以是一種橋接配合價(尤其是hpp)、硼酸鹽(Borate)、Carboran、或是三氮環鏈烷(Triazacycloalkan)，或是從下列名單中選出的至少一種負碳離子(Carbanion)碳原子或二價原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亞甲鍺烷基(Germylen))、Sn、 Pb。本發明的範圍也包括新的n型摻雜物及其製造方法。
简体摘要：本发明系以一种金属复合物作为掺杂有机半导体基质材料用的掺杂物，以改变有机半导体基质材料的电学特性，对有机半导体基质材料而言，这种金属复合物系作为掺杂作用中的一种n型掺杂物。为了让n型掺杂有机半导体也能够使还原电位较低的基质材料达到较高的导电率，本发明建议以一种多电子的电中性金属复合物作为掺杂化合物，此种金属复合物具有一个核下原子，而且这种内核原子最好是一种价电子数至少是16的电中性或有带电荷的过渡金属原子。所使用的复合物可以是多内核的复合物，而且至少具有一个金属－金属键。至少有一种配合价可以和内核原子构成一种pi复合物，这种配合价可以是一种桥接配合价(尤其是hpp)、硼酸盐(Borate)、Carboran、或是三氮环链烷(Triazacycloalkan)，或是从下列名单中选出的至少一种负碳离子(Carbanion)碳原子或二价原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亚甲锗烷基(Germylen))、Sn、 Pb。本发明的范围也包括新的n型掺杂物及其制造方法。

28. 发明专利

TWI287532B 製造有機半導體材料之有機基質材料、有機半導體材料及電子組件 THE USE OF AN ORGANIC MATRIX MATERIAL FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ALSO TO AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL COMPRISING AN ORGANIC MATRIX MATERIAL AND AN ORGANIC DOPANT, AND ALSO TO AN ELECTRONIC COMPONENT 有权
简体标题：制造有机半导体材料之有机基质材料、有机半导体材料及电子组件 THE USE OF AN ORGANIC MATRIX MATERIAL FOR PRODUCING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ALSO TO AN ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL COMPRISING AN ORGANIC MATRIX MATERIAL AND AN ORGANIC DOPANT, AND ALSO TO AN ELECTRONIC COMPONENT
公开(公告)号：TWI287532B
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW094126284
申请日：2005-08-02
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：馬丁.普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER , 揚.布洛赫維茨-尼莫特 JAN BLOCHWITZ-NIMOTH , 安德里亞.路克斯 ANDREA LUX , 約瑟夫.薩爾貝克 JOSEF SALBECK
IPC分类号： C03C
摘要：本發明係關於一種用於製造有機半導體材料的有機基質材料的使用，其特徵在於該有機基質材料包括至少一部份螺雙芴化合物，及該有機基質材料的玻璃態化溫度為至少120℃及該基質材料的最高佔據分子域(HOMO)是位於5.4電子伏特的最大能階位準；及亦關於一種有機半導體材料及電子組件。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造有机半导体材料的有机基质材料的使用，其特征在于该有机基质材料包括至少一部份螺双芴化合物，及该有机基质材料的玻璃态化温度为至少120℃及该基质材料的最高占据分子域(HOMO)是位于5.4电子伏特的最大能阶位准；及亦关于一种有机半导体材料及电子组件。

29. 发明专利

TW200614560A 製造摻雜半導體材料層之方法 METHOD FOR PRODUCING A LAYER OF A DOPED SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND APPARATUS 审中-公开
简体标题：制造掺杂半导体材料层之方法 METHOD FOR PRODUCING A LAYER OF A DOPED SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND APPARATUS
公开(公告)号：TW200614560A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094134542
申请日：2005-10-03
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾.維爾納 ANSGAR WERNER , 揚.賓恩史托克 JAN BIRNSTOCK , 史文.穆拉諾 SVEN MURANO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/0008 , H01L51/002 , H01L51/5012
摘要：本發明係關於一種藉由沉積以於基材上製造摻雜半導體材料層的方法，及係關於實行此方法的裝置，在該方法中該摻雜半導體材料包括至少一半導體基質材料及至少一摻雜材料，該至少一半導體基質材料及該至少一摻雜材料的混合物在汽化源協助下轉化為蒸氣相及接著沉積於基材上。
简体摘要：本发明系关于一种借由沉积以于基材上制造掺杂半导体材料层的方法，及系关于实行此方法的设备，在该方法中该掺杂半导体材料包括至少一半导体基质材料及至少一掺杂材料，该至少一半导体基质材料及该至少一掺杂材料的混合物在汽化源协助下转化为蒸气相及接着沉积于基材上。

30. 发明专利

TW200423447A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW200423447A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092136327
申请日：2003-12-19
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：萊奧‧卡爾 LEO KARL , 揚‧布洛赫維茨尼莫特 JAN BLOCHWITZ NIMOTH , 馬丁‧普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/002 , H01L51/0096 , H01L51/5048 , H01L51/524 , H01L2251/5323 , H05K1/0366 , Y02E10/549
摘要：本發明係一種發光裝置，此種發光裝置係由一片印刷電路板及一個帶有有機材料塗層的發光元件所構成。此種發光元件具有至少一個由一種有機材料(5，9，25，29，45，49)製成的電子及／或空穴載流子輸送層及一個由一種有機材料(7，27，47)製成的發光層，此種發光元件之特徵是有機層狀結構被設置在一片作為基材的印刷電路板上，並且具有至少一個用來改善電子及／或空穴注入的摻雜的輸送層。此外還可以設置用來改善基材端電子或空穴注入的電子或空穴注入輸送層(3，23，43)及平滑層(4，24)。
简体摘要：本发明系一种发光设备，此种发光设备系由一片印刷电路板及一个带有有机材料涂层的发光组件所构成。此种发光组件具有至少一个由一种有机材料(5，9，25，29，45，49)制成的电子及／或空穴载流子输送层及一个由一种有机材料(7，27，47)制成的发光层，此种发光组件之特征是有机层状结构被设置在一片作为基材的印刷电路板上，并且具有至少一个用来改善电子及／或空穴注入的掺杂的输送层。此外还可以设置用来改善基材端电子或空穴注入的电子或空穴注入输送层(3，23，43)及平滑层(4，24)。

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