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11. 发明专利

TWI396289B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI396289B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW094133933
申请日：2005-09-29
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：亞爾弗瑞德顧爾拉赫 , GOERLACH, ALFRED , 渠寧 , QU, NING
IPC分类号： H01L29/80
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/872

12. 发明专利

TW202027283A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202027283A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100348
申请日：2019-01-04
申请人：力晶積成電子製造股份有限公司 , POWERCHIP SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION
发明人：廖宏魁 , LIAO, HUNG-KWEI , 劉振強 , LIU, CHEN-CHIANG , 時國昇 , SHIH, KUO-SHENG , 施詠堯 , SHIH, YUNG-YAO , 徐銘聰 , HSU, MING-TSUNG
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/76 , H01L21/265
摘要：一種半導體元件包括：基底、隔離結構、阻障結構、第一導體層、第二導體層、第一閘介電層以及第二閘介電層。基底具有第一區與第二區。阻障結構位於隔離結構上。第一導體層位於第一區上。第二導體層位於第二區上。第一閘介電層位於第一導體層與第一區的基底之間。第二閘介電層位於第二導體層與第二區的基底之間。隔離結構分隔第一閘介電層與第二閘介電層。亦提供一種半導體元件的製造方法。
简体摘要：一种半导体组件包括：基底、隔离结构、阻障结构、第一导体层、第二导体层、第一闸介电层以及第二闸介电层。基底具有第一区与第二区。阻障结构位于隔离结构上。第一导体层位于第一区上。第二导体层位于第二区上。第一闸介电层位于第一导体层与第一区的基底之间。第二闸介电层位于第二导体层与第二区的基底之间。隔离结构分隔第一闸介电层与第二闸介电层。亦提供一种半导体组件的制造方法。

13. 发明专利

TW201947765A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201947765A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107115562
申请日：2018-05-08
申请人：新唐科技股份有限公司 , NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳魯夫 , SURESH, VINAY , 陳柏安 , CHEN, PO AN
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/80
摘要：半導體裝置包含半導體基底，具有第一導電類型，深井區設置於半導體基底上，且具有與第一導電類型相反的第二導電類型，第一井區和第二井區設置於深井區內且具有第一導電類型，其中第一井區和第二井區由深井區的一部分隔開，且第一井區電性連接於第二井區，以及第一摻雜區和第二摻雜區設置於深井區內且具有第二導電類型，其中第一井區和第二井區位於第一摻雜區與第二摻雜區之間。
简体摘要：半导体设备包含半导体基底，具有第一导电类型，深井区设置于半导体基底上，且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一井区和第二井区设置于深井区内且具有第一导电类型，其中第一井区和第二井区由深井区的一部分隔开，且第一井区电性连接于第二井区，以及第一掺杂区和第二掺杂区设置于深井区内且具有第二导电类型，其中第一井区和第二井区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。

14. 发明专利

TWI674676B 高散熱性的上集極式異質接面光電晶體有权
简体标题：高散热性的上集极式异质接面光晶体管
公开(公告)号：TWI674676B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107116817
申请日：2018-05-17
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/80

15. 实用新型

TWM575241U 環境光感測器有权
简体标题：环境光传感器
公开(公告)号：TWM575241U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW107216126
申请日：2018-11-28
申请人：奇高電子股份有限公司 , CHIP GOAL ELECTRONICS CORPORATION
发明人：黃健騰 , HUANG, CHIEN-TENG , 藍正豐 , LAN, JENG-FENG
IPC分类号： H05B37/02 , H01L29/80 , H01L31/08 , H01L31/18 , H01L33/30 , H01L51/42 , G01J1/08 , G01J1/44 , G05F3/02 , G06F3/01

16. 发明专利

TW201904058A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201904058A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107755
申请日：2018-03-07
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭臻愚 , JEONG, JIN WOO , 千寬永 , CHUN, KWAN YOUNG
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/80
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其包含基底、在基底中的第一接觸件、第二接觸件、第三接觸件以及第四接觸件，以及分別在第一接觸件、第二接觸件、第三接觸件以及第四接觸件上的第一主動鰭、第二主動鰭、第三主動鰭以及第四主動鰭，第二鰭和第三鰭在第一方向上交疊。第一閘電極、第二閘電極以及第三閘電極在第一方向上縱向延伸，第一閘電極和第二閘電極分別設置在第一主動鰭和第四主動鰭中的側表面上，且第三閘電極設置在第二主動鰭和第三主動鰭的側表面上。第一頂部接觸件在第一主動鰭和第二主動鰭上且第二頂部接觸件在第三主動鰭和第四主動鰭上。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其包含基底、在基底中的第一接触件、第二接触件、第三接触件以及第四接触件，以及分别在第一接触件、第二接触件、第三接触件以及第四接触件上的第一主动鳍、第二主动鳍、第三主动鳍以及第四主动鳍，第二鳍和第三鳍在第一方向上交叠。第一闸电极、第二闸电极以及第三闸电极在第一方向上纵向延伸，第一闸电极和第二闸电极分别设置在第一主动鳍和第四主动鳍中的侧表面上，且第三闸电极设置在第二主动鳍和第三主动鳍的侧表面上。第一顶部接触件在第一主动鳍和第二主动鳍上且第二顶部接触件在第三主动鳍和第四主动鳍上。

17. 发明专利

TW201836157A 高壓元件审中-公开
简体标题：高压组件
公开(公告)号：TW201836157A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106118626
申请日：2017-06-06
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：游焜煌 , YU, KUN-HUANG , 黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/337
摘要：一種高壓元件，包含：一作用層，形成於一基板上，具有一作用層表面；一本體區與一井區，形成於作用層中並連接於作用層表面下方，於兩區連接處形成一PN接面；一閘極，形成於作用層表面上；一源極與一汲極，源極形成於本體區上之作用層中，汲極形成於井區上之作用層中；一假性閘極，形成於作用層表面上，且介於閘極與汲極之間；一第一隔絕保護氧化層，形成於閘極、井區、以及假性閘極之上；一第一導體層，形成於第一隔絕保護氧化層上；一第二隔絕保護氧化層，形成於假性閘極以及井區之之上，且不與第一隔絕保護氧化層相連；以及一第二導體層，形成於第二隔絕保護氧化層上。
简体摘要：一种高压组件，包含：一作用层，形成于一基板上，具有一作用层表面；一本体区与一井区，形成于作用层中并连接于作用层表面下方，于两区连接处形成一pn结；一闸极，形成于作用层表面上；一源极与一汲极，源极形成于本体区上之作用层中，汲极形成于井区上之作用层中；一假性闸极，形成于作用层表面上，且介于闸极与汲极之间；一第一隔绝保护氧化层，形成于闸极、井区、以及假性闸极之上；一第一导体层，形成于第一隔绝保护氧化层上；一第二隔绝保护氧化层，形成于假性闸极以及井区之之上，且不与第一隔绝保护氧化层相连；以及一第二导体层，形成于第二隔绝保护氧化层上。

18. 发明专利

TWI624071B 高壓元件有权
简体标题：高压组件
公开(公告)号：TWI624071B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW106118626
申请日：2017-06-06
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：游焜煌 , YU, KUN-HUANG , 黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/337

19. 发明专利

TW201622159A 穿隧式場效電晶體及製造此種電晶體之方法审中-公开
简体标题：穿隧式场效应管及制造此种晶体管之方法
公开(公告)号：TW201622159A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104125199
申请日：2015-08-04
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：帕拉克巴特羅梅詹 , PAWLAK, BARTLOMIEJ JAN
IPC分类号： H01L29/80 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66977 , H01L21/823418 , H01L29/083 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/41783 , H01L29/66356 , H01L29/66522 , H01L29/66545 , H01L29/66666 , H01L29/7391 , H01L29/7827 , H01L29/7848
摘要：本申請涉及穿隧式場效電晶體以及製造此種電晶體的方法。一種形成TFET裝置的示例方法，包括：形成沿該裝置的汲極區、閘極區以及源極區的全長延伸的第一半導體材料；遮蔽該汲極區但暴露該閘極區的至少部分並暴露該源極區，在該閘極區上方以及該源極區上方形成第二半導體材料，在該第二半導體材料上方及該閘極區上方以及該源極區上方形成第三半導體材料，使用與該第一半導體材料中的摻雜物材料類型相反的摻雜物材料摻雜該第三半導體材料，遮蔽該汲極區，以及在該閘極區所暴露的至少部分上方形成閘極結構。
简体摘要：本申请涉及穿隧式场效应管以及制造此种晶体管的方法。一种形成TFET设备的示例方法，包括：形成沿该设备的汲极区、闸极区以及源极区的全长延伸的第一半导体材料；屏蔽该汲极区但暴露该闸极区的至少部分并暴露该源极区，在该闸极区上方以及该源极区上方形成第二半导体材料，在该第二半导体材料上方及该闸极区上方以及该源极区上方形成第三半导体材料，使用与该第一半导体材料中的掺杂物材料类型相反的掺杂物材料掺杂该第三半导体材料，屏蔽该汲极区，以及在该闸极区所暴露的至少部分上方形成闸极结构。

20. 发明专利

TW201503362A 垂直通道式之接面場效電晶體审中-公开
简体标题：垂直信道式之接面场效应管
公开(公告)号：TW201503362A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102124901
申请日：2013-07-11
申请人：芯巧科技股份有限公司
发明人：梁偉成
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/80
摘要：本發明係一種垂直通道式之接面場效電晶體，包括一半導體基板、一導通半導體及一控制半導體，該半導體基板係由N型半導體製成，其底面係作為該接面場效電晶體之汲極；該導通半導體係設於該半導體基板之中央位置之一N型半導體，其頂面係作為該接面場效電晶體之一源極；該控制半導體係構型呈環狀之P型半導體，以圍繞住該導通半導體，該控制半導體之垂直深度係大於該導通半導體之垂直深度，且與該導通半導體間保持一水平間隔，以在該控制半導體中及該導通半導體下方形成一垂直通道，該控制半導體之頂面係作為該接面場效電晶體之一閘極；在該汲極被施加一偏壓訊號，且該閘極被施加一控制訊號的情況下，該控制半導體之周緣所產生之空乏區將隨該控制訊號之增加而擴大，進而限縮該垂直通道之寬度，以控制通過該垂直通道之電流大小，如此，由於該垂直通道係垂直地形成於該閘極及汲極之間，故即便增加該垂直通道之深度，以提昇耐壓強度，亦不會增加該接面場效電晶體之整體水平寬度，有利於電子元件的精簡化。
简体摘要：本发明系一种垂直信道式之接面场效应管，包括一半导体基板、一导通半导体及一控制半导体，该半导体基板系由N型半导体制成，其底面系作为该接面场效应管之汲极；该导通半导体系设于该半导体基板之中央位置之一N型半导体，其顶面系作为该接面场效应管之一源极；该控制半导体系构型呈环状之P型半导体，以围绕住该导通半导体，该控制半导体之垂直深度系大于该导通半导体之垂直深度，且与该导通半导体间保持一水平间隔，以在该控制半导体中及该导通半导体下方形成一垂直信道，该控制半导体之顶面系作为该接面场效应管之一闸极；在该汲极被施加一偏压信号，且该闸极被施加一控制信号的情况下，该控制半导体之周缘所产生之空乏区将随该控制信号之增加而扩大，进而限缩该垂直信道之宽度，以控制通过该垂直信道之电流大小，如此，由于该垂直信道系垂直地形成于该闸极及汲极之间，故即便增加该垂直信道之深度，以提升耐压强度，亦不会增加该接面场效应管之整体水平宽度，有利于电子组件的精简化。

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