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1. 发明专利

TW201947769A 高散熱性的上集極式異質接面光電晶體审中-公开
简体标题：高散热性的上集极式异质接面光晶体管
公开(公告)号：TW201947769A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107116817
申请日：2018-05-17
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/80
摘要：本發明提供一種高散熱性的上集極式異質接面光電晶體，包含一基板、一設於該基板的射極單元、一設於該射極單元的基極單元、一設於該基極單元的集極單元，及一設於該集極單元的電極單元，其中，該集極單元包括至少一集極，該至少一集極具有一第一集極層、一厚度小於該第一集極層的第二集極層，及一厚度小於該第一集極層的第三集極層，且該第二集極層的摻雜濃度大於該第一集極層及該第三集極層。藉由該至少一集極為由不同厚度及摻雜濃度的集極層構成，可有效降低熱阻，使該高散熱性的上集極式異質接面光電晶體有較佳的熱穩定性及可靠度。
简体摘要：本发明提供一种高散热性的上集极式异质接面光晶体管，包含一基板、一设于该基板的射极单元、一设于该射极单元的基极单元、一设于该基极单元的集极单元，及一设于该集极单元的电极单元，其中，该集极单元包括至少一集极，该至少一集极具有一第一集极层、一厚度小于该第一集极层的第二集极层，及一厚度小于该第一集极层的第三集极层，且该第二集极层的掺杂浓度大于该第一集极层及该第三集极层。借由该至少一集极为由不同厚度及掺杂浓度的集极层构成，可有效降低热阻，使该高散热性的上集极式异质接面光晶体管有较佳的热稳定性及可靠度。

2. 发明专利

TWI674676B 高散熱性的上集極式異質接面光電晶體有权
简体标题：高散热性的上集极式异质接面光晶体管
公开(公告)号：TWI674676B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107116817
申请日：2018-05-17
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/80

3. 发明专利

TWI652819B 用於功率放大器晶片的石墨烯散熱構裝有权
简体标题：用于功率放大器芯片的石墨烯散热构装
公开(公告)号：TWI652819B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW107115402
申请日：2018-05-07
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 林詩吟 , LIN, SHIH-YING , 杜衛民 , DU, WEI-MIN , 蘇暐倫 , SU, WEI-LUN , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H01L29/12 , H01L23/373

4. 发明专利

TW201947764A 用於功率放大器晶片的石墨烯散熱構裝审中-公开
简体标题：用于功率放大器芯片的石墨烯散热构装
公开(公告)号：TW201947764A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107115402
申请日：2018-05-07
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 林詩吟 , LIN, SHIH-YING , 杜衛民 , DU, WEI-MIN , 蘇暐倫 , SU, WEI-LUN , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H01L29/12 , H01L23/373
摘要：一種用於功率放大器晶片的石墨烯散熱構裝，包含具有非均勻摻雜集極之上集極式異質接面電晶體及石墨烯層，上集極式異質接面電晶體包含基板、次射極、射極、絕緣層及數個堆疊結構，基板的孔壁定義出穿孔，堆疊結構穿設於絕緣層上且位置對應於穿孔，堆疊結構包含漸變基極、漸變層、非均勻摻雜集極、覆蓋層及集極電極，且於射極、絕緣層及各堆疊結構的漸變基極間設置有空間層，石墨烯層覆蓋基板的下表面、基板的孔壁及次射極的封口段；所述散熱構裝的散熱能力良好，能避免功率放大器的熱失控與崩潰效應，提升功率放大器於無線通訊產業的性能。
简体摘要：一种用于功率放大器芯片的石墨烯散热构装，包含具有非均匀掺杂集极之上集极式异质接面晶体管及石墨烯层，上集极式异质接面晶体管包含基板、次射极、射极、绝缘层及数个堆栈结构，基板的孔壁定义出穿孔，堆栈结构穿设于绝缘层上且位置对应于穿孔，堆栈结构包含渐变基极、渐变层、非均匀掺杂集极、覆盖层及集极电极，且于射极、绝缘层及各堆栈结构的渐变基极间设置有空间层，石墨烯层覆盖基板的下表面、基板的孔壁及次射极的封口段；所述散热构装的散热能力良好，能避免功率放大器的热失控与崩溃效应，提升功率放大器于无线通信产业的性能。

5. 发明专利

TW201836462A 石墨烯電磁防護結構以及石墨烯電磁防護結構之製造方法审中-公开
简体标题：石墨烯电磁防护结构以及石墨烯电磁防护结构之制造方法
公开(公告)号：TW201836462A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106109419
申请日：2017-03-21
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 蘇暐倫 , SU, WEI-LUN , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H05K9/00 , C01B32/20
摘要：一種石墨烯電磁防護結構以及石墨烯電磁防護結構之製造方法，石墨烯電磁防護結構包含第一石英基板及四層石墨烯六角形結構層，四層石墨烯六角形結構層堆疊設置在第一石英基板上，石墨烯六角形結構層中包含複數個六角形且中空的石墨烯結構單元，且這些石墨烯結構單元緊密鄰接成為蜂巢狀，藉此可以形成高防護電磁波效能的石墨烯貼片。
简体摘要：一种石墨烯电磁防护结构以及石墨烯电磁防护结构之制造方法，石墨烯电磁防护结构包含第一石英基板及四层石墨烯六角形结构层，四层石墨烯六角形结构层堆栈设置在第一石英基板上，石墨烯六角形结构层中包含复数个六角形且中空的石墨烯结构单元，且这些石墨烯结构单元紧密邻接成为蜂嵌套，借此可以形成高防护电磁波性能的石墨烯贴片。

6. 发明专利

TWI618481B 石墨烯電磁防護結構以及石墨烯電磁防護結構之製造方法有权
简体标题：石墨烯电磁防护结构以及石墨烯电磁防护结构之制造方法
公开(公告)号：TWI618481B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW106109419
申请日：2017-03-21
申请人：崑山科技大學 , KUN SHAN UNIVERSITY
发明人：曾憲正 , TSENG, HSIEN-CHENG , 蘇暐倫 , SU, WEI-LUN , 杜彥亨 , TU, YEN-HENG
IPC分类号： H05K9/00 , C01B32/20

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