专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TWI566657B 製造陶瓷電路板的方法及陶瓷電路板有权
简体标题：制造陶瓷电路板的方法及陶瓷电路板
公开(公告)号：TWI566657B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW101140923
申请日：2012-11-02
申请人：製陶技術股份有限公司 , CERAMTEC GMBH
发明人：多恩亞歷山大 , DOHN, ALEXANDER , 雷南斯羅蘭 , LENEIS, ROLAND , 赫曼克勞斯 , HERRMANN, KLAUS , 耶尼格迪特瑪 , JAEHNIG, DIETMAR
IPC分类号： H05K3/12
CPC分类号： H05K3/1216 , H05K1/0263 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/115 , H05K3/1291 , H05K3/245 , H05K3/246 , H05K3/4038 , H05K3/4061 , H05K2201/10106 , H05K2203/086 , H05K2203/1476 , Y10T29/49165

12. 发明专利

TWI552658B 配線基板之鍍覆方法、鍍覆配線基板之製造方法、以及銀蝕刻液有权
简体标题：配线基板之镀覆方法、镀覆配线基板之制造方法、以及银蚀刻液
公开(公告)号：TWI552658B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW101122207
申请日：2012-06-21
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：潮田會美 , USHIODA, EMI , 今井徹郎 , IMAI, TETSUO
IPC分类号： H05K3/18
CPC分类号： C23G1/103 , C23C18/1216 , C23C18/1651 , C23C18/1844 , C23C22/52 , C23C22/63 , C23G1/20 , H05K1/0306 , H05K3/1291 , H05K3/246 , H05K2203/0796

13. 发明专利

TW201309141A 配線基板之鍍覆方法、鍍覆配線基板之製造方法、以及銀蝕刻液审中-公开
简体标题：配线基板之镀覆方法、镀覆配线基板之制造方法、以及银蚀刻液
公开(公告)号：TW201309141A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101122207
申请日：2012-06-21
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：潮田會美 , USHIODA, EMI , 今井徹郎 , IMAI, TETSUO
IPC分类号： H05K3/18
CPC分类号： C23G1/103 , C23C18/1216 , C23C18/1651 , C23C18/1844 , C23C22/52 , C23C22/63 , C23G1/20 , H05K1/0306 , H05K3/1291 , H05K3/246 , H05K2203/0796
摘要：提供一種配線基板之鍍覆方法該方法乃是一種具有導電圖案的配線基板的鍍覆方法，該圖案在外表面露出至少含有銀和銅的金屬層，該方法可抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出、且可在導電圖案的表面形成良好的鍍層。該方法具有：將配線基板用含有氧化劑的第1處理液處理的(A)製程；將經過(A)製程的配線基板用溶解氧化銅的第2處理液處理由此從導電圖案表面將氧化銅去除的(B)製程；將經過(B)製程的配線基板用第3處理液處理由此從導電圖案表面將氧化銀去除的(C)製程，前述第3處理液在25℃時溶解氧化銀(I)的速度為在25℃時溶解銅(0)的速度的1000倍以上；在經過(C)製程的配線基板的導電圖案上施行無電式鍍覆的(D)製程。
简体摘要：提供一种配线基板之镀覆方法该方法乃是一种具有导电图案的配线基板的镀覆方法，该图案在外表面露出至少含有银和铜的金属层，该方法可抑制导电图案以外的部分的镀覆析出、且可在导电图案的表面形成良好的镀层。该方法具有：将配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)制程；将经过(A)制程的配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理由此从导电图案表面将氧化铜去除的(B)制程；将经过(B)制程的配线基板用第3处理液处理由此从导电图案表面将氧化银去除的(C)制程，前述第3处理液在25℃时溶解氧化银(I)的速度为在25℃时溶解铜(0)的速度的1000倍以上；在经过(C)制程的配线基板的导电图案上施行无电式镀覆的(D)制程。

14. 发明专利

TW201232576A 積層陶瓷電子零件审中-公开
简体标题：积层陶瓷电子零件
公开(公告)号：TW201232576A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100144931
申请日：2011-12-06
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：齊藤義人 , 平田陽介 , 平松隆
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/258 , H01G4/005 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H05K1/162 , H05K3/1216 , H05K3/1291 , H05K3/4629 , H05K3/4664
摘要：本發明提供一種亦可耐例如500℃之較高溫度所引起之熱衝擊之積層陶瓷電容器。該積層陶瓷電容器包括:積層體(2),其包含經積層之複數個陶瓷層(3)與位於陶瓷層(3)之間之內部電極(4、5);且積層體(2)具有:向陶瓷層(3)之延伸方向延伸且互相對向之1對主面(6、7)、以及分別向相對於主面(6、7)正交之方向延伸之互相對向之1對側面(8、9)及互相對向之1對端面。內部電極(4、5)係其厚度(C)為0.4 ��m以下,且分佈於相對於1對側面(8、9)之各自隔著30 ��m以下之寬度方向間距(A)而定位、且相對於1對主面(6、7)之各自隔著35 ��m以下之外層厚度(B)而定位之區域內。
简体摘要：本发明提供一种亦可耐例如500℃之较高温度所引起之热冲击之积层陶瓷电容器。该积层陶瓷电容器包括:积层体(2),其包含经积层之复数个陶瓷层(3)与位于陶瓷层(3)之间之内部电极(4、5);且积层体(2)具有:向陶瓷层(3)之延伸方向延伸且互相对向之1对主面(6、7)、以及分别向相对于主面(6、7)正交之方向延伸之互相对向之1对侧面(8、9)及互相对向之1对端面。内部电极(4、5)系其厚度(C)为0.4 ��m以下,且分布于相对于1对侧面(8、9)之各自隔着30 ��m以下之宽度方向间距(A)而定位、且相对于1对主面(6、7)之各自隔着35 ��m以下之外层厚度(B)而定位之区域内。

15. 发明专利

TWI310372B 陶瓷板之製造方法失效
简体标题：陶瓷板之制造方法
公开(公告)号：TWI310372B
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW094132181
申请日：2005-09-16
申请人：村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：淺野敬史 ASANO, HIROSHI
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B37/006 , B32B18/00 , B32B2311/08 , B32B2311/09 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B37/021 , C04B41/80 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/656 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H05K1/0306 , H05K3/0011 , H05K3/0097 , H05K3/1291 , H05K2201/0191 , H05K2203/1126 , H05K2203/1536 , Y10T156/1105 , Y10T156/1111
摘要：本發明之陶瓷板之製造方法為:在金屬膏製作步驟中製作不會往陶瓷擴散之鈀膏(Pd Paste),在金屬膜形成步驟中使用鈀膏,在陶瓷生片(green sheet)表面形成金屬膜,以便焙燒後所形成之陶瓷層彼此成為不在積層方向連通之膜厚;經過積層體製作步驟,在焙燒步驟中以焙燒溫度,其係焙燒後玻璃成分不會殘留於陶瓷層表層面之高溫,且低於構成上述陶瓷層之陶瓷材料之分解溫度者,對積層體施以焙燒處理;於分離步驟中將燒結體浸泡於正丁醇中,去除存在陶瓷層與金屬層界面的氧,分離陶瓷層與金屬層。藉此,便能不破損而以高效率製造出極薄陶瓷板,並可容易地運用在積層型電子零件上。
简体摘要：本发明之陶瓷板之制造方法为:在金属膏制作步骤中制作不会往陶瓷扩散之钯膏(Pd Paste),在金属膜形成步骤中使用钯膏,在陶瓷生片(green sheet)表面形成金属膜,以便焙烧后所形成之陶瓷层彼此成为不在积层方向连通之膜厚;经过积层体制作步骤,在焙烧步骤中以焙烧温度,其系焙烧后玻璃成分不会残留于陶瓷层表层面之高温,且低于构成上述陶瓷层之陶瓷材料之分解温度者,对积层体施以焙烧处理;于分离步骤中将烧结体浸泡于正丁醇中,去除存在陶瓷层与金属层界面的氧,分离陶瓷层与金属层。借此,便能不破损而以高效率制造出极薄陶瓷板,并可容易地运用在积层型电子零件上。

16. 发明专利

TW200911071A 陶瓷電路板及其製造方法 CERAMIC CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：陶瓷电路板及其制造方法 CERAMIC CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200911071A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096131430
申请日：2007-08-24
申请人：台達電子工業股份有限公司 DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：魏志宏 WEI, CHIH HUNG , 謝俞枰 HSIEH, YU PING
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/0011 , C04B35/63416 , C04B35/6342 , C04B35/63488 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/56 , H05K1/0306 , H05K3/022 , H05K3/062 , H05K3/1291 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2203/1126 , H05K2203/1536 , H05K2203/308 , Y10T428/24926
摘要：本發明提供一種陶瓷電路板及其製造方法,該方法包括提供一第一生胚片及一第一陶瓷薄板;堆疊該第一陶瓷薄板與該第一生胚片;以及燒結該第一陶瓷薄板與該第一生胚片,以共同形成該陶瓷電路板。
简体摘要：本发明提供一种陶瓷电路板及其制造方法,该方法包括提供一第一生胚片及一第一陶瓷薄板;堆栈该第一陶瓷薄板与该第一生胚片;以及烧结该第一陶瓷薄板与该第一生胚片,以共同形成该陶瓷电路板。

17. 发明专利

TWI304055B 介電陶瓷粉末之製造方法及複合介電材料之製造方法 METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC POWDER AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE DIELECTRIC MATERIAL 有权
简体标题：介电陶瓷粉末之制造方法及复合介电材料之制造方法 METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC POWDER AND METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE DIELECTRIC MATERIAL
公开(公告)号：TWI304055B
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：TW094112580
申请日：2005-04-20
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：金田功 KANADA, ISAO , 本典正 SAKAMOTO, NORIMASA
IPC分类号： C04B , H01B , H05K
CPC分类号： H05K1/0373 , C01B13/145 , C01G23/006 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62625 , C04B35/64 , C04B35/803 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , H05K3/1291 , H05K2201/0209 , H05K2203/1126
摘要：本發明係提供一種介電陶瓷粉末的製造方法,其係即使在使用以粉碎法所得到之粉末時,亦可確保與樹脂之混合物的流動性。
本發明係藉由介電陶瓷粉末之製造方法,確保與樹脂之混合物的流動性當然係可得到優異之介電特性的複合介電材料。前述介電陶瓷粉末的製造方法,其係具備如下步驟:第1燒成步驟,係藉由將原料組成物保持於第1溫度,以得到第1燒成物;第1粉碎步驟,係粉碎第1燒成物而得到第1粉碎物;第2燒成步驟,係藉由將第1粉碎物保持於低於第1溫度之第2溫度,以得到第2燒成物;第2粉碎步驟,係粉碎第2燒成物而得到第2粉碎物。
简体摘要：本发明系提供一种介电陶瓷粉末的制造方法,其系即使在使用以粉碎法所得到之粉末时,亦可确保与树脂之混合物的流动性。本发明系借由介电陶瓷粉末之制造方法,确保与树脂之混合物的流动性当然系可得到优异之介电特性的复合介电材料。前述介电陶瓷粉末的制造方法,其系具备如下步骤:第1烧成步骤,系借由将原料组成物保持于第1温度,以得到第1烧成物;第1粉碎步骤,系粉碎第1烧成物而得到第1粉碎物;第2烧成步骤,系借由将第1粉碎物保持于低于第1温度之第2温度,以得到第2烧成物;第2粉碎步骤,系粉碎第2烧成物而得到第2粉碎物。

18. 发明专利

TW200845064A 藉由將金屬及介電質調配物澆鑄於短效基材上以形成帶以製造高電容密度嵌入式陶瓷電容器之方法 METHODS OF MAKING HIGH CAPACITANCE DENSITY EMBEDDED CERAMIC CAPACITORS BY CASTING METAL AND DIELECTRIC FORMULATIONS ONTO A FUGITIVE SUBSTRATE TO FORM TAPES 审中-公开
简体标题：借由将金属及介电质调配物浇铸于短效基材上以形成带以制造高电容密度嵌入式陶瓷电容器之方法 METHODS OF MAKING HIGH CAPACITANCE DENSITY EMBEDDED CERAMIC CAPACITORS BY CASTING METAL AND DIELECTRIC FORMULATIONS ONTO A FUGITIVE SUBSTRATE TO FORM TAPES
公开(公告)号：TW200845064A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096148726
申请日：2007-12-19
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：威廉柏藍德 BORLAND, WILLIAM , 羅瑞P 卓茲迪克 DROZDYK, LORRI P.
IPC分类号： H01G , H05K
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/1218 , H05K1/092 , H05K1/162 , H05K3/06 , H05K3/1291 , H05K3/4641 , H05K2201/017 , H05K2203/1126 , Y10T29/417 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49156
摘要：本發明提供製造金屬/介電質/金屬結構之方法,其包括:將金屬漿料澆鑄在短效基材上以形成第一電極且隨後將介電質及金屬漿料澆鑄在第一電極上、移除短效基材及共燒製該結構,其中該介電質包含含量小於該介電質之無機組份之20重量%的玻璃,且該介電質達成大體完全之緻密化。或者,可形成一金屬帶及一包含上述量之玻璃的介電質帶,且將其層壓在一起以形成一金屬/介電質/金屬生瓷帶結構,其經共燒製,以使得該結構達成大體完全之緻密化。
简体摘要：本发明提供制造金属/介电质/金属结构之方法,其包括:将金属浆料浇铸在短效基材上以形成第一电极且随后将介电质及金属浆料浇铸在第一电极上、移除短效基材及共烧制该结构,其中该介电质包含含量小于该介电质之无机组份之20重量%的玻璃,且该介电质达成大体完全之致密化。或者,可形成一金属带及一包含上述量之玻璃的介电质带,且将其层压在一起以形成一金属/介电质/金属生瓷带结构,其经共烧制,以使得该结构达成大体完全之致密化。

19. 发明专利

TWI295475B 鈦酸鋇於銅箔上之氧摻雜燒製 OXYGEN DOPED FIRING OF BARIUM TITANATE ON COPPER FOIL 失效
简体标题：钛酸钡于铜箔上之氧掺杂烧制 OXYGEN DOPED FIRING OF BARIUM TITANATE ON COPPER FOIL
公开(公告)号：TWI295475B
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW094143748
申请日：2005-12-09
申请人：杜邦股份有限公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：威廉J 柏藍德 BORLAND, WILLIAM J.
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/1227 , H05K1/092 , H05K1/162 , H05K3/1291 , H05K2201/017 , H05K2201/0355 , H05K2201/09763 , H05K2203/1126 , Y10T428/24917
摘要：本發明係關於一種製造一嵌入式電容器及一印刷線路板之方法，該方法包括：提供一金屬箔；於該金屬箔上形成一第一介電層；於該第一介電層之至少一部分上形成一導電層；控制一受控氣氛之氧氣含量；及於該受控氣氛中在一燒製區域中燒製該第一介電層及該導電層。
简体摘要：本发明系关于一种制造一嵌入式电容器及一印刷线路板之方法，该方法包括：提供一金属箔；于该金属箔上形成一第一介电层；于该第一介电层之至少一部分上形成一导电层；控制一受控气氛之氧气含量；及于该受控气氛中在一烧制区域中烧制该第一介电层及该导电层。

20. 发明专利

TW200815309A 陶瓷基板及其製造方法 CERAMIC SUBSTRATE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：陶瓷基板及其制造方法 CERAMIC SUBSTRATE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200815309A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095136188
申请日：2006-09-29
申请人：台達電子工業股份有限公司 DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：魏志宏 WEI, CHIH HUNG , 謝俞枰 HSIEH, YU PING
IPC分类号： C04B , H01B , B32B , H05K
CPC分类号： C04B35/6455 , C04B35/63416 , C04B35/6342 , C04B35/63488 , C04B37/005 , C04B2235/36 , C04B2237/04 , C04B2237/10 , C04B2237/32 , C04B2237/34 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , H01L21/4807 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K3/1291 , H05K3/4629 , H05K2201/0195 , H05K2203/1126 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
摘要：一種陶瓷基板之製造方法,其包括下列步驟:提供一陶瓷薄板與一生胚片;堆疊該陶瓷薄板與該生胚片;以及進行燒結該陶瓷薄板與該生胚片,以共同形成該陶瓷基板。
简体摘要：一种陶瓷基板之制造方法,其包括下列步骤:提供一陶瓷薄板与一生胚片;堆栈该陶瓷薄板与该生胚片;以及进行烧结该陶瓷薄板与该生胚片,以共同形成该陶瓷基板。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式