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11. 发明专利

TW201240087A 具有邊界溝渠結構的功率元件审中-公开
简体标题：具有边界沟渠结构的功率组件
公开(公告)号：TW201240087A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100111040
申请日：2011-03-30
申请人：茂達電子股份有限公司
发明人：林永發 , 徐守一 , 吳孟韋 , 石逸群 , 陳面國
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/7808
摘要：一種具有邊界溝渠結構的功率元件,包含基材、複數電晶體、邊界溝渠結構、環衛結構,及導電結構,基材成第一導電性,電晶體的主要結構自第二層體向第一層體方向形成,邊界溝渠結構包括形成於基材且圍覆電晶體的溝渠,及在溝渠表面的絕緣壁體,環衛結構成第二導電性,且鄰接溝渠邊界結構相反於電晶體的側面,導電結構蓋覆電晶體、邊界溝渠結構,及環衛結構,本發明的環衛結構配合基材構成二極體,在外界予大電壓時為崩潰的區域,以導引電荷自導電結構接地釋出,再用絕緣壁體隔絕環衛結構與電晶體,而維持電晶體在正常作動狀態。
简体摘要：一种具有边界沟渠结构的功率组件,包含基材、复数晶体管、边界沟渠结构、环卫结构,及导电结构,基材成第一导电性,晶体管的主要结构自第二层体向第一层体方向形成,边界沟渠结构包括形成于基材且围复电晶体的沟渠,及在沟渠表面的绝缘壁体,环卫结构成第二导电性,且邻接沟渠边界结构相反于晶体管的侧面,导电结构盖复电晶体、边界沟渠结构,及环卫结构,本发明的环卫结构配合基材构成二极管,在外界予大电压时为崩溃的区域,以导引电荷自导电结构接地发佈,再用绝缘壁体隔绝环卫结构与晶体管,而维持晶体管在正常作动状态。

12. 发明专利

TW201222786A 半導體元件 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体组件 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201222786A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100133293
申请日：2011-09-15
申请人：羅姆股份有限公司
发明人：奧村啟樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導體元件1包括：n型磊晶層8；主體區域12，其形成於n型磊晶層8之表層部；n型源極區域16，其形成於主體區域12之表層部；閘極絕緣膜19，其形成於n型磊晶層8上；以及閘極電極20及閘極保護二極體30，其形成於閘極絕緣膜19上。閘極保護二極體30包含第1p型區域31、n型區域32、及第2p型區域33。藉由第1p型區域31與n型區域32構成第1二極體30A。藉由n型區域32與第2p型區域33構成第2二極體30B。第1p型區域31與閘極電極20連接。第2p型區域33與源極電極27連接。
简体摘要：半导体组件1包括：n型磊晶层8；主体区域12，其形成于n型磊晶层8之表层部；n型源极区域16，其形成于主体区域12之表层部；闸极绝缘膜19，其形成于n型磊晶层8上；以及闸极电极20及闸极保护二极管30，其形成于闸极绝缘膜19上。闸极保护二极管30包含第1p型区域31、n型区域32、及第2p型区域33。借由第1p型区域31与n型区域32构成第1二极管30A。借由n型区域32与第2p型区域33构成第2二极管30B。第1p型区域31与闸极电极20连接。第2p型区域33与源极电极27连接。

13. 发明专利

TW200921803A 具有水平閘極及垂直閘極之半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL AND HORIZONTAL TYPE GATES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
简体标题：具有水平闸极及垂直闸极之半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL AND HORIZONTAL TYPE GATES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200921803A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097140492
申请日：2008-10-22
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：方誠晚 PANG, SUNG MAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66712 , H01L29/42376 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7808 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L29/7817 , H01L29/7831
摘要：一種半導體裝置及其製造方法,此半導體裝置包含垂直和水平閘極,用於獲得半導體裝置之高度整合以及與其他裝置之整合,同時還用於最大化崩潰電壓和作業速度,並且防止損壞半導體裝置。
简体摘要：一种半导体设备及其制造方法,此半导体设备包含垂直和水平闸极,用于获得半导体设备之高度集成以及与其他设备之集成,同时还用于最大化崩溃电压和作业速度,并且防止损坏半导体设备。

14. 发明专利

TW200830533A 用於功率金氧半導體場效電晶體之雙電壓多晶矽二極體靜電放電電路 DUAL VOLTAGE POLYSILICON DIODE ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT FOR POWER MOSFETS 审中-公开
简体标题：用于功率金属氧化物半导体场效应管之双电压多晶硅二极管静电放电电路 DUAL VOLTAGE POLYSILICON DIODE ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT FOR POWER MOSFETS
公开(公告)号：TW200830533A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096136688
申请日：2007-09-29
申请人：菲爾卻德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：丹卡拉福特 CALAFUT, DAN , 罕薩葉爾瑪 YILMAZ, HAMZA , 史蒂芬薩普 SAPP, STEVEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/866 , H01L27/0255 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H03K17/08122 , H03K17/0822 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用於功率金氧半導體場效電晶體之靜電放電(ESD)保護網路,其包括包含齊納二極體與電阻器之並聯支路用於保護閘極免受藉由ESD引起之高電壓所引起的破裂。該等支路可具有相同或獨立的路徑用於將電壓從閘極區域橫穿進入半導體基板。明確地說,次要支路比主要支路具有一更高的崩潰電壓使得電壓係橫跨該保護網路之該等兩個支路而共用。該裝置之ESD保護網路提供一更有效的設計而不增加晶粒上使用的空間。該ESD保護網路亦可與其他主動與被動裝置一起使用,例如閘流體、絕緣閘雙極電晶體及雙極接面電晶體。
简体摘要：本发明揭示一种用于功率金属氧化物半导体场效应管之静电放电(ESD)保护网络,其包括包含齐纳二极管与电阻器之并联支路用于保护闸极免受借由ESD引起之高电压所引起的破裂。该等支路可具有相同或独立的路径用于将电压从闸极区域横穿进入半导体基板。明确地说,次要支路比主要支路具有一更高的崩溃电压使得电压系横跨该保护网络之该等两个支路而共享。该设备之ESD保护网络提供一更有效的设计而不增加晶粒上使用的空间。该ESD保护网络亦可与其他主动与被动设备一起使用,例如晶闸管、绝缘闸双极晶体管及双极接面晶体管。

15. 发明专利

TW200805652A 在高晶格密度槽型金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)中改變台面尺寸 VARYING MESA DIMENSIONS IN HIGH CELL DENSITY TRENCH MOSFET 审中-公开
简体标题：在高晶格密度槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中改变台面尺寸 VARYING MESA DIMENSIONS IN HIGH CELL DENSITY TRENCH MOSFET
公开(公告)号：TW200805652A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096103187
申请日：2007-01-29
申请人：快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃麒 WANG, QI , 西姆葛登G. SIM, GORDON GEORGE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/66325 , H01L29/66348 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7808
摘要：一種用於功率MOSFETs之電路、方法、及裝置,該等功率MOSFETs具有用於高電流裝載量、同時維持一低閂住基極電阻之高晶格密度。一裝置採用若干具有改變台面(槽型閘極間之區域)尺寸之電晶體晶格。在較大晶格中利用一重阱區蝕刻,以減少該閂住基極電阻。此蝕刻法移去該台面區域中之矽,且接著以低阻抗之鋁替換。若干不承接此蝕刻之較小的晶格被用於增加裝置電流容量。藉著確保這些晶格具有一較低之本體-二極體崩潰(BVDSS)電壓,雪崩電流被引導至該較大、下方之閂住基極晶格。該大晶格BVDSS能藉著在該等較寬廣台面之任一側面上調整該等槽型閘極之臨界尺寸或寬度、或藉著調整該重阱區蝕刻之深度所改變。
简体摘要：一种用于功率MOSFETs之电路、方法、及设备,该等功率MOSFETs具有用于高电流装载量、同时维持一低闩住基极电阻之高晶格密度。一设备采用若干具有改变台面(槽型闸极间之区域)尺寸之晶体管晶格。在较大晶格中利用一重阱区蚀刻,以减少该闩住基极电阻。此蚀刻法移去该台面区域中之硅,且接着以低阻抗之铝替换。若干不承接此蚀刻之较小的晶格被用于增加设备电流容量。借着确保这些晶格具有一较低之本体-二极管崩溃(BVDSS)电压,雪崩电流被引导至该较大、下方之闩住基极晶格。该大晶格BVDSS能借着在该等较宽广台面之任一侧面上调整该等槽型闸极之临界尺寸或宽度、或借着调整该重阱区蚀刻之深度所改变。

16. 发明专利

TWI236145B 縱型閘半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：纵型闸半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI236145B
公开(公告)日：2005-07-11
申请号：TW093118127
申请日：2004-06-23
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：溝口修二 MIZOKUCHI, SHUJI , 山中光浩 YAMANAKA, MITSUHIRO , 郡司浩幸 GUNJI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/7808
摘要：本發明實現一種不增加源極區域之接觸電阻，而可謀求小型化之縱型閘半導體裝置。起作用作為電晶體之第一區域11具有：汲極區域111；本體區域112，其係形成於汲極區域111之上側；源極區域113A，其係形成於本體區域112之上側；及溝槽，其係形成於源極區域113A及本體區域112，且埋入有閘極120。本體區域112延伸於第二區域12，並且在第二區域12之本體區域112上側形成有與源極區域113A電性連接之源極區域113B。
简体摘要：本发明实现一种不增加源极区域之接触电阻，而可谋求小型化之纵型闸半导体设备。起作用作为晶体管之第一区域11具有：汲极区域111；本体区域112，其系形成于汲极区域111之上侧；源极区域113A，其系形成于本体区域112之上侧；及沟槽，其系形成于源极区域113A及本体区域112，且埋入有闸极120。本体区域112延伸于第二区域12，并且在第二区域12之本体区域112上侧形成有与源极区域113A电性连接之源极区域113B。

17. 发明专利

TW494529B 具降低導通電阻之超自我對準溝渠閘極雙重擴散金氧半導體有权
简体标题：具降低导通电阻之超自我对准沟渠闸极双重扩散金属氧化物半导体
公开(公告)号：TW494529B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW089107593
申请日：2000-04-21
申请人：理察德K 威廉 , 威尼格拉布基
发明人：理察德K 威廉 , 威尼格拉布基
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0255 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/7808 , H01L29/7811
摘要：一種新穎超自我對準(SSA)架構以及製造程序使用單一光罩層以定義溝渠閘極垂直功率DMOSFET(雙重擴散金氧半導體場效電晶體)之關鍵特徵以及大小。單一關鍵光罩決定溝渠表面大小、介於溝渠之間之矽源極主體臺面寬度以及矽臺面接觸之大小及位置。該接觸自我對準至溝渠，消除傳統溝渠DMOS裝置中之接觸-至-溝渠光罩對準所需要避免處理感應之閘極-至-源極短路所強加之限制。在矽表面上之氧化物高度落差亦降低而避免金屬階梯覆蓋率問題。多閘極匯流排高度落差亦降低。其他說明之特徵包含多晶矽二極體形成、控制汲極主體二極體崩潰位置、降低開極-至-汲極重疊電容以及利用低-熱預算處理技術。
简体摘要：一种新颖超自我对准(SSA)架构以及制造进程使用单一光罩层以定义沟渠闸极垂直功率DMOSFET(双重扩散金属氧化物半导体场效应管)之关键特征以及大小。单一关键光罩决定沟渠表面大小、介于沟渠之间之硅源极主体台面宽度以及硅台面接触之大小及位置。该接触自我对准至沟渠，消除传统沟渠DMOS设备中之接触-至-沟渠光罩对准所需要避免处理感应之闸极-至-源极短路所强加之限制。在硅表面上之氧化物高度落差亦降低而避免金属阶梯覆盖率问题。多闸极总线高度落差亦降低。其他说明之特征包含多晶硅二极管形成、控制汲极主体二极管崩溃位置、降低开极-至-汲极重叠电容以及利用低-热预算处理技术。

18. 发明专利

TW324863B 以曾納二極體作閘極保護之半導體元件及其製造方法失效
简体标题：以曾纳二极管作闸极保护之半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW324863B
公开(公告)日：1998-01-11
申请号：TW085109275
申请日：1996-07-30
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：小林研也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7808 , H01L27/0255 , H01L27/0688 , H01L29/0638 , H01L29/7811 , H01L29/866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體元件有一曾納二極體(19)置於一MOS型半導體之閘極與源極之間，該曾納二極體之構造為N+/P/P+/P/N+。P+區(13)作用為一通道礙子，壓制因低濃度P區(11)之表面反轉所造成之漏電電流產生，調整P+區之寬度而能控制曾納電壓，曾納二極體保護閘極，此配置能避免閘極與源極間漏電電流之產生。
简体摘要：一种半导体组件有一曾纳二极管(19)置于一MOS型半导体之闸极与源极之间，该曾纳二极管之构造为N+/P/P+/P/N+。P+区(13)作用为一信道碍子，压制因低浓度P区(11)之表面反转所造成之漏电电流产生，调整P+区之宽度而能控制曾纳电压，曾纳二极管保护闸极，此配置能避免闸极与源极间漏电电流之产生。

19. 发明专利

TWI545728B 半導體元件有权
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TWI545728B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW100133293
申请日：2011-09-15
申请人：羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD.
发明人：奧村啟樹 , OKUMURA, KEIJI
IPC分类号： H01L27/098 , H01L25/03
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

20. 发明专利

TWI542018B 帶有集成肖特基二極體的MOSFET 有权
简体标题：带有集成肖特基二极管的MOSFET
公开(公告)号：TWI542018B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103121783
申请日：2014-06-24
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：高立德 , CALAFUT, DANIEL , 李亦衡 , LEE, YEEHENG
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/265 , H01L21/308 , H01L21/823475 , H01L21/823487 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/095 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66257 , H01L29/66712 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/872

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