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    • 1. 发明专利
    • 高壓電路
    • 高压电路
    • TW201803270A
    • 2018-01-16
    • TW106105034
    • 2017-02-16
    • 新唐科技股份有限公司NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
    • 奈蘭德 珍漢NIELAND, JAN-HARM
    • H03K17/08
    • H03K17/0822H01L27/0266
    • 提供一種具有保護低壓金屬氧化物半導體場效電晶體之保護電路的高壓電路。第一金屬氧化物半導體場效電晶體為閘極與輸入電壓耦接的低壓元件,其係與第二金屬氧化物半導體場效電晶體串聯耦接,兩者皆為第一導電類型。保護電路包含第三、第四、以及第五金屬氧化物半導體場效電晶體。第三金屬氧化物半導體場效電晶體具有第二導電類型以及與輸入電壓耦接的源極與基極。第四金屬氧化物半導體場效電晶體具有第一導電類型,以及與第三金屬氧化物半導體場效電晶體之汲極耦接的汲極,與第二偏壓耦接的閘極,以及與第一電源端耦接的源極與基極。第五金屬氧化物半導體場效電晶體具有第一導電類型以及與第一電壓耦接的汲極、與第四金屬氧化物半導體場效電晶體之汲極耦接的閘極、以及與第一電源端耦接的源極。
    • 提供一种具有保护低压金属氧化物半导体场效应管之保护电路的高压电路。第一金属氧化物半导体场效应管为闸极与输入电压耦接的低压组件,其系与第二金属氧化物半导体场效应管串联耦接,两者皆为第一导电类型。保护电路包含第三、第四、以及第五金属氧化物半导体场效应管。第三金属氧化物半导体场效应管具有第二导电类型以及与输入电压耦接的源极与基极。第四金属氧化物半导体场效应管具有第一导电类型,以及与第三金属氧化物半导体场效应管之汲极耦接的汲极,与第二偏压耦接的闸极,以及与第一电源端耦接的源极与基极。第五金属氧化物半导体场效应管具有第一导电类型以及与第一电压耦接的汲极、与第四金属氧化物半导体场效应管之汲极耦接的闸极、以及与第一电源端耦接的源极。
    • 5. 发明专利
    • 短路保護電路及其開關電源和保護方法
    • 短路保护电路及其开关电源和保护方法
    • TW201530954A
    • 2015-08-01
    • TW103143327
    • 2014-12-11
    • 茂力科技股份有限公司MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC.
    • 阮 詹姆斯NGUYEN, JAMES
    • H02H7/10
    • H02M1/32H03K17/0822H03K2217/0027H03K2217/0063H03K2217/0072
    • 本發明公開了一種用於保護功率開關的短路保護電路及其開關電源和保護方法。短路保護電路的第一輸入端耦接功率開關的第一端,短路保護電路的第二輸入端耦接功率開關的第二端,短路保護電路的輸出端提供短路保護信號,其中短路保護電路包含一電晶體,電晶體具有一閾值電壓;當且僅當功率開關導通時,短路保護電路將功率開關第一端和第二端之間的差值電壓與電晶體的閾值電壓相比較;以及當差值電壓大於電晶體的閾值電壓時,短路保護信號變換為有效狀態用於關斷功率開關。本發明公開的短路保護電路及其開關電源和保護方法,具有電路簡單、精度要求低、反應快、可靠性高等優點。
    • 本发明公开了一种用于保护功率开关的短路保护电路及其开关电源和保护方法。短路保护电路的第一输入端耦接功率开关的第一端,短路保护电路的第二输入端耦接功率开关的第二端,短路保护电路的输出端提供短路保护信号,其中短路保护电路包含一晶体管,晶体管具有一阈值电压;当且仅当功率开关导通时,短路保护电路将功率开关第一端和第二端之间的差值电压与晶体管的阈值电压相比较;以及当差值电压大于晶体管的阈值电压时,短路保护信号变换为有效状态用于关断功率开关。本发明公开的短路保护电路及其开关电源和保护方法,具有电路简单、精度要求低、反应快、可靠性高等优点。
    • 9. 发明专利
    • 可整合至積體電路之高壓驅動開關
    • 可集成至集成电路之高压驱动开关
    • TW201409938A
    • 2014-03-01
    • TW101130944
    • 2012-08-27
    • 朗捷科技股份有限公司
    • 潘政宏喻鵬飛
    • H03K17/10
    • H03K17/0822H03K17/102
    • 本發明係為一種可整合至積體電路之高壓驅動開關,其包含有一開關電晶體、一開關二極體及一由一第一電阻、一第二電阻和一控制電晶體所構成的驅動電路;其中該開關二極體的陽極係連接至該開關電晶體的源極,又該開關二極體的陰極係連接至該開關電晶體的閘極;當該開關電晶體其源極電位遠高於其閘極電位且大於該開關二極體之切入電壓時,該開關二極體係為順向偏壓且導通;因此,該開關電晶體其閘源極電壓即等於該開關二極體之切入電壓的負值;故不會於形成高壓,進而解決電擊穿的問題;是以,藉此達到將高壓驅動開關整合至積體電路的目的。
    • 本发明系为一种可集成至集成电路之高压驱动开关,其包含有一开关晶体管、一开关二极管及一由一第一电阻、一第二电阻和一控制晶体管所构成的驱动电路;其中该开关二极管的阳极系连接至该开关晶体管的源极,又该开关二极管的阴极系连接至该开关晶体管的闸极;当该开关晶体管其源极电位远高于其闸极电位且大于该开关二极管之切入电压时,该开关二极管系为顺向偏压且导通;因此,该开关晶体管其闸源极电压即等于该开关二极管之切入电压的负值;故不会于形成高压,进而解决电击穿的问题;是以,借此达到将高压驱动开关集成至集成电路的目的。
    • 10. 发明专利
    • 用於貫通保護之方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR SHOOT-THROUGH PROTECTION
    • 用于贯通保护之方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR SHOOT-THROUGH PROTECTION
    • TW201249043A
    • 2012-12-01
    • TW101116985
    • 2012-05-11
    • MKS儀器公司
    • 崔恩 肯田豐陳新
    • H02H
    • H03K17/0822H02M1/38H02M3/337H03K2217/0036
    • 本發明揭示一種切換裝置,其包含一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電路模組、一第一電流感測器及一控制電路。該第一電晶體包含第一終端、第二終端及第三終端。該第一電晶體之第一終端係耦合至一第一電源終端。該第一電晶體之第三終端包含該第一電晶體之閘極或基極。該第二電晶體包含第一終端、第二終端及第三終端。該第二電晶體之第一終端係耦合至一第二電源終端。該第二電晶體之第二終端係耦合至該第一電晶體之第二終端。該第二電晶體之第三終端包含該第二電晶體之閘極或基極。該第一電路模組包含與一個二極體並聯之一電感器。該第一電路模組係連接於該第二電晶體之第一終端與該第二電源終端之間。
    • 本发明揭示一种切换设备,其包含一第一晶体管、一第二晶体管、一第一电路模块、一第一电流传感器及一控制电路。该第一晶体管包含第一终端、第二终端及第三终端。该第一晶体管之第一终端系耦合至一第一电源终端。该第一晶体管之第三终端包含该第一晶体管之闸极或基极。该第二晶体管包含第一终端、第二终端及第三终端。该第二晶体管之第一终端系耦合至一第二电源终端。该第二晶体管之第二终端系耦合至该第一晶体管之第二终端。该第二晶体管之第三终端包含该第二晶体管之闸极或基极。该第一电路模块包含与一个二极管并联之一电感器。该第一电路模块系连接于该第二晶体管之第一终端与该第二电源终端之间。