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1. 发明专利

TW494529B 具降低導通電阻之超自我對準溝渠閘極雙重擴散金氧半導體有权
简体标题：具降低导通电阻之超自我对准沟渠闸极双重扩散金属氧化物半导体
公开(公告)号：TW494529B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW089107593
申请日：2000-04-21
申请人：理察德K 威廉 , 威尼格拉布基
发明人：理察德K 威廉 , 威尼格拉布基
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0255 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/456 , H01L29/7808 , H01L29/7811
摘要：一種新穎超自我對準(SSA)架構以及製造程序使用單一光罩層以定義溝渠閘極垂直功率DMOSFET(雙重擴散金氧半導體場效電晶體)之關鍵特徵以及大小。單一關鍵光罩決定溝渠表面大小、介於溝渠之間之矽源極主體臺面寬度以及矽臺面接觸之大小及位置。該接觸自我對準至溝渠，消除傳統溝渠DMOS裝置中之接觸-至-溝渠光罩對準所需要避免處理感應之閘極-至-源極短路所強加之限制。在矽表面上之氧化物高度落差亦降低而避免金屬階梯覆蓋率問題。多閘極匯流排高度落差亦降低。其他說明之特徵包含多晶矽二極體形成、控制汲極主體二極體崩潰位置、降低開極-至-汲極重疊電容以及利用低-熱預算處理技術。
简体摘要：一种新颖超自我对准(SSA)架构以及制造进程使用单一光罩层以定义沟渠闸极垂直功率DMOSFET(双重扩散金属氧化物半导体场效应管)之关键特征以及大小。单一关键光罩决定沟渠表面大小、介于沟渠之间之硅源极主体台面宽度以及硅台面接触之大小及位置。该接触自我对准至沟渠，消除传统沟渠DMOS设备中之接触-至-沟渠光罩对准所需要避免处理感应之闸极-至-源极短路所强加之限制。在硅表面上之氧化物高度落差亦降低而避免金属阶梯覆盖率问题。多闸极总线高度落差亦降低。其他说明之特征包含多晶硅二极管形成、控制汲极主体二极管崩溃位置、降低开极-至-汲极重叠电容以及利用低-热预算处理技术。

2. 发明专利

TW457629B 具有多重厚度的閘極氧化層之溝槽半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有多重厚度的闸极氧化层之沟槽半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW457629B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089110160
申请日：2000-08-15
申请人：理察德K 威廉 , 威尼格拉布基
发明人：理察德K 威廉 , 威尼格拉布基
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7828 , H01L29/8083
摘要：一種溝槽半導體裝置例如一電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，在溝槽角隅處之高電場可藉由減少溝槽底部處之閘極氧化層厚度而減弱，文內說明多種製成此裝置之方法。在一群製程中，氧化矽之一非向性沉積係在溝槽蝕刻後執行，以在溝槽底部產生一厚氧化層。沉積於溝槽壁面上之任意氧化物係在一薄閘極氧化層生長於壁面上之前先去除，溝槽隨後在數個階段中填以多晶矽。在製程之一變化型式中，少量光致抗蝕劑係在溝槽壁面蝕刻前先沉積於溝槽底部處之氧化物上。另者，多晶矽可沉積於溝槽內且回蝕，直到僅有一部分留在溝槽底部為止，多晶矽隨後氧化且溝槽填入多晶矽，製程可將一填充前之氧化物指向性沉積及多晶矽之氧化結合。一種製成一鑰匙孔狀閘極之方法包括在溝槽底部沉積多晶矽、氧化多晶矽之頂表面、蝕刻氧化後之多晶矽、及以多晶矽填入溝槽。
简体摘要：一种沟槽半导体设备例如一电源金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，在沟槽角隅处之高电场可借由减少沟槽底部处之闸极氧化层厚度而减弱，文内说明多种制成此设备之方法。在一群制程中，氧化硅之一非向性沉积系在沟槽蚀刻后运行，以在沟槽底部产生一厚氧化层。沉积于沟槽壁面上之任意氧化物系在一薄闸极氧化层生长于壁面上之前先去除，沟槽随后在数个阶段中填以多晶硅。在制程之一变化型式中，少量光致抗蚀剂系在沟槽壁面蚀刻前先沉积于沟槽底部处之氧化物上。另者，多晶硅可沉积于沟槽内且回蚀，直到仅有一部分留在沟槽底部为止，多晶硅随后氧化且沟槽填入多晶硅，制程可将一填充前之氧化物指向性沉积及多晶硅之氧化结合。一种制成一钥匙孔状闸极之方法包括在沟槽底部沉积多晶硅、氧化多晶硅之顶表面、蚀刻氧化后之多晶硅、及以多晶硅填入沟槽。

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