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11. 发明专利

TW200518099A 非揮發性記憶體用之選擇性區塊保護 SELECTABLE BLOCK PROTECTION FOR NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：非挥发性内存用之选择性区块保护 SELECTABLE BLOCK PROTECTION FOR NON-VOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW200518099A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093129039
申请日：2004-09-24
申请人：艾特梅爾公司 ATMEL CORPORATION
发明人：理察德卡洛 RICHARD V. DECARO
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F12/1425 , G11C7/24 , G11C16/22
摘要：一種半導體非揮發性記憶體裝置，特別為快閃記憶體陣列，其具有一種晶片組態結構，有複數個接腳包括一寫入保護接腳、一串列輸入接腳以及一選擇性並列資料匯流排，其具有輸入–輸出接腳(I／O7–0)加其它接腳，全部皆與記憶體陣列及特別具有可變大小及位置之扇區保護暫存器電通訊。該扇區保護暫存器係界定欲保護哪些扇區或群組子扇區，且係經由使用指令，透過串列輸入接腳或選擇性輸出入接腳控制。扇區保護可經由使用一信號來寫入保護接腳，或透過串列輸入接腳或選擇性輸出入接腳，使用指令送至指令與控制邏輯來選擇性控制。邏輯電路瞬間判定寫入保護接腳或指令是否控制該扇區保護。
简体摘要：一种半导体非挥发性内存设备，特别为闪存数组，其具有一种芯片组态结构，有复数个接脚包括一写入保护接脚、一串行输入接脚以及一选择性并列数据总线，其具有输入–输出接脚(I／O7–0)加其它接脚，全部皆与内存数组及特别具有可变大小及位置之扇区保护寄存器电通信。该扇区保护寄存器系界定欲保护哪些扇区或群组子扇区，且系经由使用指令，透过串行输入接脚或选择性输出入接脚控制。扇区保护可经由使用一信号来写入保护接脚，或透过串行输入接脚或选择性输出入接脚，使用指令送至指令与控制逻辑来选择性控制。逻辑电路瞬间判定写入保护接脚或指令是否控制该扇区保护。

12. 发明专利

TW200511014A 半導體記憶裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY 失效
简体标题：半导体记忆设备 SEMICONDUCTOR MEMORY
公开(公告)号：TW200511014A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093117117
申请日：2004-06-15
申请人：瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. , 瑞薩系統科技股份有限公司 RENESAS SOLUTIONS CORPORATION
发明人：石本真一 SHINICHI ISHIMOTO , 宮好和 YOSHIKAZU MIYAWAKI , 河井伸治 SHINJI KAWAI , 大庭敦 ATSUSHI OHBA
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G06F21/79 , G11C7/24
摘要：本發明之半導體記憶裝置，其記憶體墊塊(34)係設於屬通常之記憶區域的記憶體墊塊(22)以外，形成不可從外部讀出資料的構成。於分頁緩衝器(28)內儲存有從外部輸入的資訊。比較電路(37)係比較儲存於記憶體墊塊(34)的保全資料及儲存於分頁緩衝器(28)的資訊，並將該比較結果作為狀態而輸出至外部。即使有進行非法複製的情況，由於記憶體墊塊(34)的資訊仍不會被複製，因此外部裝置藉由參照狀態，即可容易判斷該半導體記憶體是否為非法複製者。
简体摘要：本发明之半导体记忆设备，其内存垫块(34)系设于属通常之记忆区域的内存垫块(22)以外，形成不可从外部读出数据的构成。于分页缓冲器(28)内存储有从外部输入的信息。比较电路(37)系比较存储于内存垫块(34)的保全数据及存储于分页缓冲器(28)的信息，并将该比较结果作为状态而输出至外部。即使有进行非法复制的情况，由于内存垫块(34)的信息仍不会被复制，因此外部设备借由参照状态，即可容易判断该半导体内存是否为非法复制者。

13. 发明专利

TW511096B 半導體記憶裝置及其控制方法失效
简体标题：半导体记忆设备及其控制方法
公开(公告)号：TW511096B
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：TW090112890
申请日：2001-05-29
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山內忠昭 , 小猿邦彥
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1006 , G06F12/0223 , G06F2212/206 , G11C7/24
摘要：本發明係關於一種半導體記憶裝置及其控制方法，其解決手段為，一介面部2，係在位址信號ADD.所指定的區域為邏輯電路控制區域的情況，就進行與暫存器6間的資料授受，以替代授受與DRAM4間的資料。當時之資料信號 DATA，係為暫存器6所保持之邏輯電路8的控制命令或邏輯電路中用以處理的輸入資料。邏輯電路8，係按照暫存器之保持內容，以執行例如密碼處理或影像處理等在微電腦中需要時間的處理。處理結果係保存於暫存器6中，並以與對DRAM之讀出相同的時序來讀出。
简体摘要：本发明系关于一种半导体记忆设备及其控制方法，其解决手段为，一界面部2，系在位址信号ADD.所指定的区域为逻辑电路控制区域的情况，就进行与寄存器6间的数据授受，以替代授受与DRAM4间的数据。当时之数据信号 DATA，系为寄存器6所保持之逻辑电路8的控制命令或逻辑电路中用以处理的输入数据。逻辑电路8，系按照寄存器之保持内容，以运行例如密码处理或影像处理等在微电脑中需要时间的处理。处理结果系保存于寄存器6中，并以与对DRAM之读出相同的时序来读出。

14. 发明专利

TW506067B 半導體裝置及終端裝置失效
简体标题：半导体设备及终端设备
公开(公告)号：TW506067B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090118581
申请日：2001-07-31
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：前田茂伸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/57 , G06F11/006 , G08B13/1409 , G11C7/24 , G11C16/22 , H01L23/544 , H01L23/576 , H01L2223/5444 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之半導體裝置、終端裝置以及通信方法，其目的在於提高因交換半導體基板而非法使用，半導體裝置之應用機器的技術障礙。作為本發明之解決手段，其碼生成部400係於半導體基板CH1(或CH3)上生成固有之辨識碼Cd。形成於另一半導體基板CH2上的記憶體601係記憶辨識碼Cd以作為記憶碼Co。辨識碼Cd係在將半導體裝置600作為製品出貨時，自碼生成部400寫入記憶體601。比較電路403係用以比較辨識碼 Cd與記憶碼Co，當此等雙方相互為不一致時，停止指定電路405之一部分的動作。
简体摘要：本发明之半导体设备、终端设备以及通信方法，其目的在于提高因交换半导体基板而非法使用，半导体设备之应用机器的技术障碍。作为本发明之解决手段，其码生成部400系于半导体基板CH1(或CH3)上生成固有之辨识码Cd。形成于另一半导体基板CH2上的内存601系记忆辨识码Cd以作为记忆码Co。辨识码Cd系在将半导体设备600作为制品出货时，自码生成部400写入内存601。比较电路403系用以比较辨识码 Cd与记忆码Co，当此等双方相互为不一致时，停止指定电路405之一部分的动作。

15. 发明专利

TW442886B 靜態隨機存取記憶體中下拉電晶體次臨界漏電流之測試方法失效
简体标题：静态随机存取内存中下拉晶体管次临界漏电流之测试方法
公开(公告)号：TW442886B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW087100515
申请日：1998-01-15
申请人：華邦電子股份有限公司
发明人：許昭順 , 陳居富
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C29/50 , G11C7/24 , G11C11/41 , G11C2029/5006
摘要：一種靜態隨機存取記憶體中下拉電晶體次臨界漏電流之測試方法，可以有效地偵測出SRAM中次臨界漏電流，及由於電流流經接地雜散電阻等所造成SRAM貯存狀態改變之問題，使得製造者能提早將SRAM之不良品加以剔除，以確實保障品質。
简体摘要：一种静态随机存取内存中下拉晶体管次临界漏电流之测试方法，可以有效地侦测出SRAM中次临界漏电流，及由于电流流经接地杂散电阻等所造成SRAM贮存状态改变之问题，使得制造者能提早将SRAM之不良品加以剔除，以确实保障品质。

16. 发明专利

TW331036B 積體電路機能保全技術失效
简体标题：集成电路机能保全技术
公开(公告)号：TW331036B
公开(公告)日：1998-05-01
申请号：TW086105907
申请日：1997-05-03
申请人：辛比爾思邏輯股份有限公司
发明人：李察K.柯爾 , 詹姆斯P.亞庫拉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/576 , G06F21/75 , G06F21/87 , G11C7/24 , H01L2924/0002 , Y10S257/901 , Y10S257/906 , Y10S257/908 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種積體電路晶片，具有一個或以上之電路元件，其以該等電路元件被形成該晶片之封裝的塑模化合物包住下執行所須的電路機能。該塑模化合物具有與之相配的電容。該積體電路在該塑模化合物內包括一第二積體電路元件，其中該第二積體電路元件監側該塑模化合物以檢測因拆掉該塑模化合物一部分或全部的結果所造成之該塑模化合物內的電容變化。在回應於電容變化之檢測下，該第二積體電路元件改變其他積體電路元件所提供的所須電路機能。
简体摘要：本发明提供一种集成电路芯片，具有一个或以上之电路组件，其以该等电路组件被形成该芯片之封装的塑模化合物包住下运行所须的电路机能。该塑模化合物具有与之相配的电容。该集成电路在该塑模化合物内包括一第二集成电路组件，其中该第二集成电路组件监侧该塑模化合物以检测因拆掉该塑模化合物一部分或全部的结果所造成之该塑模化合物内的电容变化。在回应于电容变化之检测下，该第二集成电路组件改变其他集成电路组件所提供的所须电路机能。

17. 发明专利

TWI617944B 抑制記憶體器件中電紋特徵之系統及方法有权
简体标题：抑制内存器件中电纹特征之系统及方法
公开(公告)号：TWI617944B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105129542
申请日：2016-09-12
申请人：席登斯公司 , SIDENSE CORP.
发明人：庫加諾維克茲伍洛德克 , KURJANOWICZ, WLODEK , 何德貝蒂納 , HOLD, BETINA
IPC分类号： G06F21/75 , G11C29/52
CPC分类号： G11C7/222 , G11C7/065 , G11C7/1006 , G11C7/1048 , G11C7/1057 , G11C7/106 , G11C7/1066 , G11C7/1075 , G11C7/24 , G11C29/76 , G11C2207/108

18. 发明专利

TW201805813A 電子裝置、產品及製造積體電路方法及產生資料集的方法审中-公开
简体标题：电子设备、产品及制造集成电路方法及产生数据集的方法
公开(公告)号：TW201805813A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106124244
申请日：2017-07-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN-HSIUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN-LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN-HUI , 黃世昌 , HUANG, SHIH-CHANG
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/14 , G11C16/02 , H01L27/115
CPC分类号： H04L9/3278 , G06F3/0622 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F7/588 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F12/1408 , G06F12/1425 , G06F13/42 , G06F21/31 , G06F21/604 , G06F21/75 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C7/10 , G11C7/24 , G11C8/20 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C16/22 , G11C16/26 , H04L9/0816 , H04L9/0866 , H04L9/088 , H04L2209/046 , H04L2209/34
摘要：本發明闡述一種利用儲存於非揮發性記憶體中的安全金鑰以及在包括例如快閃記憶體胞元等非揮發性記憶體胞元的積體電路上產生基於物理不可複製功能的資料集的系統及方法。所述方法包括：將安全金鑰儲存於非揮發性記憶體陣列的多個區塊中的特定區塊中；在耦合至非揮發性記憶體陣列的安全邏輯電路中，在協定中利用儲存於特定區塊中的安全金鑰來允許外部裝置或通訊網路經由埠存取儲存於多個區塊中的各區塊中的資料；以及允許安全邏輯對特定區塊進行唯讀存取以供在協定中使用，並阻止經由埠存取特定區塊。
简体摘要：本发明阐述一种利用存储于非挥发性内存中的安全密钥以及在包括例如闪存胞元等非挥发性内存胞元的集成电路上产生基于物理不可复制功能的数据集的系统及方法。所述方法包括：将安全密钥存储于非挥发性内存数组的多个区块中的特定区块中；在耦合至非挥发性内存数组的安全逻辑电路中，在协定中利用存储于特定区块中的安全密钥来允许外部设备或通信网络经由端口存取存储于多个区块中的各区块中的数据；以及允许安全逻辑对特定区块进行唯读存取以供在协定中使用，并阻止经由端口存取特定区块。

19. 发明专利

TWI610309B 用於物理不可複製技術的一次編程記憶胞與記憶體陣列以及相關隨機碼產生方法有权
简体标题：用于物理不可复制技术的一次编程记忆胞与内存数组以及相关随机码产生方法
公开(公告)号：TWI610309B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105135935
申请日：2016-11-04
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：翁偉哲 , WONG, WEI ZHE , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING , 吳孟益 , WU, MENG YI
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278

20. 发明专利

TW201801091A 反熔絲型一次編程記憶體胞的編程方法审中-公开
简体标题：反熔丝型一次编程内存胞的编程方法
公开(公告)号：TW201801091A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106101259
申请日：2017-01-13
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：翁偉哲 , WONG, WEI ZHE , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： G11C16/0408 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1076 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/24 , G11C16/08 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/785 , H01L27/11206 , H03K3/356113 , H04L9/3278
摘要：一次編程記憶體胞記憶胞的編程方法。首先，提供第一編程電壓至反熔絲電晶體的閘極。將第一位元線電壓傳遞至反熔絲電晶體，使得第一極性的第一電壓應力提供至反熔絲電晶體的閘極氧化層，並於該反熔絲電晶體的閘極與第一汲源端之間形成於一弱路徑。接著，提供第二編程電壓至該反熔絲電晶體的閘極。將第二位元線電壓傳遞至第一反熔絲電晶體。而第二極性的第二電壓應力提供至反熔絲電晶體的閘極氧化層，且產生的編程電流沿著弱路徑並造成第一汲源端上方的閘極氧化層破裂。
简体摘要：一次编程内存胞记忆胞的编程方法。首先，提供第一编程电压至反熔丝晶体管的闸极。将第一比特线电压传递至反熔丝晶体管，使得第一极性的第一电压应力提供至反熔丝晶体管的闸极氧化层，并于该反熔丝晶体管的闸极与第一汲源端之间形成于一弱路径。接着，提供第二编程电压至该反熔丝晶体管的闸极。将第二比特线电压传递至第一反熔丝晶体管。而第二极性的第二电压应力提供至反熔丝晶体管的闸极氧化层，且产生的编程电流沿着弱路径并造成第一汲源端上方的闸极氧化层破裂。

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