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    • 1. 发明专利
    • 半導體記憶裝置及其控制方法
    • 半导体记忆设备及其控制方法
    • TW511096B
    • 2002-11-21
    • TW090112890
    • 2001-05-29
    • 三菱電機股份有限公司
    • 山內忠昭小猿邦彥
    • G11C
    • G11C7/1006G06F12/0223G06F2212/206G11C7/24
    • 本發明係關於一種半導體記憶裝置及其控制方法,其解決手段為,一介面部2,係在位址信號ADD.所指定的區域為邏輯電路控制區域的情況,就進行與暫存器6間的資料授受,以替代授受與DRAM4間的資料。當時之資料信號 DATA,係為暫存器6所保持之邏輯電路8的控制命令或邏輯電路中用以處理的輸入資料。邏輯電路8,係按照暫存器之保持內容,以執行例如密碼處理或影像處理等在微電腦中需要時間的處理。處理結果係保存於暫存器6中,並以與對DRAM之讀出相同的時序來讀出。
    • 本发明系关于一种半导体记忆设备及其控制方法,其解决手段为,一界面部2,系在位址信号ADD.所指定的区域为逻辑电路控制区域的情况,就进行与寄存器6间的数据授受,以替代授受与DRAM4间的数据。当时之数据信号 DATA,系为寄存器6所保持之逻辑电路8的控制命令或逻辑电路中用以处理的输入数据。逻辑电路8,系按照寄存器之保持内容,以运行例如密码处理或影像处理等在微电脑中需要时间的处理。处理结果系保存于寄存器6中,并以与对DRAM之读出相同的时序来读出。
    • 3. 发明专利
    • 半導體裝置,其設計方法及其檢查方法
    • 半导体设备,其设计方法及其检查方法
    • TW449744B
    • 2001-08-11
    • TW088100809
    • 1999-01-20
    • 三菱電機股份有限公司
    • 清水禎之小猿邦彥
    • G11C
    • G11C7/1057G11C7/06G11C7/1051G11C7/1069G11C29/32
    • 本發明有關於半導體裝置其中具備有經由接受活性化信號藉以變成動作狀態之感測放大器,可以很容易將感測放大器之活性化之延遲時間設定在適當之時間。
      本發明之解決手段是設有感測放大器44,經由接受活性化信號變成可以進行信號放大之狀態。另外設有延遲電路50,經由該等傳輸路徑中之與選擇信號對應之傳輸路徑,用來傳輸活性化信號。另外設有選擇信號產生電路,用來對延遲電路50供給第l至第3選擇信號。另外設有JTAG邊界掃描測試電路,用來分配無定義模態之一作為使選擇信號產生電路進行適當動作之模態。
    • 本发明有关于半导体设备其中具备有经由接受活性化信号借以变成动作状态之传感放大器,可以很容易将传感放大器之活性化之延迟时间设置在适当之时间。 本发明之解决手段是设有传感放大器44,经由接受活性化信号变成可以进行信号放大之状态。另外设有延迟电路50,经由该等传输路径中之与选择信号对应之传输路径,用来传输活性化信号。另外设有选择信号产生电路,用来对延迟电路50供给第l至第3选择信号。另外设有JTAG边界扫描测试电路,用来分配无定义模态之一作为使选择信号产生电路进行适当动作之模态。