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11. 发明专利

TWI226871B 供用於薄膜反應器之複合材料 COMPOSITE MATERIALS FOR MEMBRANE REACTORS 失效
简体标题：供用于薄膜反应器之复合材料 COMPOSITE MATERIALS FOR MEMBRANE REACTORS
公开(公告)号：TWI226871B
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：TW089108693
申请日：2000-05-08
申请人： BP阿莫可公司 BP AMOCO CORPORATION
发明人：馬克S. 克里費須 MARK S. KLEEFISCH , 卡爾A. 優多維須 CARL A. UDOVICH , 約瑟G. 梅辛 JOSEPH G. MASIN , 薩迪優斯P. 柯比林斯基 THADDEUS P. KOBYLINSKI
IPC分类号： C01B , B01J
CPC分类号： B01D67/0041 , B01D53/22 , B01D53/228 , B01D53/32 , B01D63/02 , B01D63/06 , B01D63/062 , B01D67/0048 , B01D71/022 , B01D71/024 , B01D2313/42 , B01D2323/08 , B01D2323/10 , B01D2325/26 , B01J19/2475 , B01J2219/00121 , B01J2219/00159 , B01J2219/00162 , C01B3/36 , C01B13/0255 , C01B2210/0046 , C01B2210/0051 , C01B2210/0062 , C04B38/00 , C04B2111/00525 , C04B2111/00801 , C23C8/10 , Y02T50/67 , Y10S48/05 , Y10S502/525 , C04B35/00
摘要：本發明之複合材料(其包含不漏氣陶瓷、多孔金屬撐體及位於其間之界面區域)免除於此二不相似物料間之機械密封之需要。氧離子導電之緻密陶瓷膜於多孔金屬合金上形成，以提供一界面區域，其可藉由該緻密陶瓷薄膜與該多孔撐體間之界面區域之至少一金屬元素之組成梯度鑑別。使用依據本發明之複合材料之方法係用於，例如，製備包含一氧化碳及分子氫之合成氣體，藉此，該合成氣體有利地係無不利及/或惰性氣體稀釋劑(諸如，氮)。
简体摘要：本发明之复合材料(其包含不漏气陶瓷、多孔金属撑体及位于其间之界面区域)免除于此二不相似物料间之机械密封之需要。氧离子导电之致密陶瓷膜于多孔金属合金上形成，以提供一界面区域，其可借由该致密陶瓷薄膜与该多孔撑体间之界面区域之至少一金属元素之组成梯度鉴别。使用依据本发明之复合材料之方法系用于，例如，制备包含一氧化碳及分子氢之合成气体，借此，该合成气体有利地系无不利及/或惰性气体稀释剂(诸如，氮)。

12. 发明专利

TW466596B 於具金屬元件之反應器中,降低於半導體製程中金屬污染之方法失效
简体标题：于具金属组件之反应器中,降低于半导体制程中金属污染之方法
公开(公告)号：TW466596B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW087102978
申请日：1998-03-02
申请人：矽谷集團熱系統有限責任公司
发明人：羅伯特貝里 , 派翠克.布蘭狄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C8/80 , C23C8/10 , C23C16/4404 , C23C16/54 , Y10S438/909
摘要：一種方法，將氧化鋁層形成於含鋁金屬合金的表面，該方法包含的步驟有：
將該金屬合金於乾燥的氮氣氣氛下加熱至第一溫度；
將該金屬合金於乾燥的氫氣氣氛下加熱至第二溫度；
將該金屬合金於潮溼的氫氣氣氛下第一次浸漬於第二溫度，該氣氛的露點為約一４０℃至約一２０℃，使氧化鋁層形成於該金屬表面；
將該金屬合金於乾燥的氫氣氣氛下第二次浸漬於第二溫度，以減少除了該氧化鋁層外任何氧化層的形成，且
先將該金屬合金於乾燥的氫氣氣氛下冷卻至大約至少４００℃，然後在乾燥的氮氣氛下冷卻至室溫，其中，大體為純的氧化鋁形成於該金屬合金的表面。
简体摘要：一种方法，将氧化铝层形成于含铝金属合金的表面，该方法包含的步骤有：将该金属合金于干燥的氮气气氛下加热至第一温度；将该金属合金于干燥的氢气气氛下加热至第二温度；将该金属合金于潮湿的氢气气氛下第一次浸渍于第二温度，该气氛的露点为约一４０℃至约一２０℃，使氧化铝层形成于该金属表面；将该金属合金于干燥的氢气气氛下第二次浸渍于第二温度，以减少除了该氧化铝层外任何氧化层的形成，且先将该金属合金于干燥的氢气气氛下冷却至大约至少４００℃，然后在干燥的氮气氛下冷却至室温，其中，大体为纯的氧化铝形成于该金属合金的表面。

13. 发明专利

TWI576447B 沉積裝置及製造用於該沉積裝置之坩堝的方法有权
简体标题：沉积设备及制造用于该沉积设备之坩埚的方法
公开(公告)号：TWI576447B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW101102796
申请日：2012-01-30
申请人：北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 , BEIJING APOLLO DING RONG SOLAR TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：馬提亞森尤亨 , MATHIASSON, JOHAN
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： H01L31/18 , C23C8/10 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/243 , C23C16/448 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T29/49986

14. 发明专利

TW201700752A 電池包裝用不鏽鋼箔审中-公开
简体标题：电池包装用不锈钢箔
公开(公告)号：TW201700752A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105116029
申请日：2016-05-24
申请人：日新製鋼股份有限公司 , NISSHIN STEEL CO., LTD.
发明人：上田大地 , UEDA, DAICHI , 松尾正一 , MATSUO, SHOICHI , 藤井孝浩 , FUJII, TAKAHIRO , 平川直樹 , HIRAKAWA, NAOKI , 杉田修一 , SUGITA, SHUICHI , 小田敬夫 , ODA, YUKIO
IPC分类号： C22C38/40 , C21D1/76 , C21D6/00 , C21D9/46 , B32B15/08 , H01M2/02
CPC分类号： C21D1/76 , B32B15/08 , B32B15/18 , C21D8/0273 , C21D9/46 , C22C38/18 , C23C8/02 , C23C8/10 , H01M2/0275 , H01M2/0287 , H01M2/0447 , H01M2002/0297
摘要：本發明提供一種電池包裝用不鏽鋼箔，與冷熱衝擊後及電解液浸漬後的樹脂有優異的密合性。電池包裝用不鏽鋼箔(1)具有：氧化膜(1a)，含有40mol%以上的Fe、比Fe少的Cr、及40mol%以下的Si，且氧化膜(1a)的厚度為2nm以上；其中，與軋延方向垂直的方向之算術平均粗度Ra為0.02μm以上且小於0.1μm。
简体摘要：本发明提供一种电池包装用不锈钢箔，与冷热冲击后及电解液浸渍后的树脂有优异的密合性。电池包装用不锈钢箔(1)具有：氧化膜(1a)，含有40mol%以上的Fe、比Fe少的Cr、及40mol%以下的Si，且氧化膜(1a)的厚度为2nm以上；其中，与轧延方向垂直的方向之算术平均粗度Ra为0.02μm以上且小于0.1μm。

15. 发明专利

TWI561645B 肥粒鐵系不鏽鋼板及具優異氧化皮膜之導電性與密著性的肥粒鐵系不鏽鋼板之製造方法有权
简体标题：肥粒铁系不锈钢板及具优异氧化皮膜之导电性与密着性的肥粒铁系不锈钢板之制造方法
公开(公告)号：TWI561645B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102125081
申请日：2013-07-12
申请人：新日鐵住金不銹鋼股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN STAINLESS STEEL CORPORATION
发明人：秦野正治 , HATANO, MASAHARU , 池上修 , IKEGAMI, OSAMU
IPC分类号： C22C38/22 , C21D6/00
CPC分类号： C22C38/00 , C21D6/002 , C21D8/0226 , C21D8/0236 , C21D8/0273 , C21D8/0278 , C21D9/46 , C22C38/001 , C22C38/004 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/22 , C22C38/26 , C23C8/10

17. 发明专利

TW201634268A 電磁波屏蔽材审中-公开
简体标题：电磁波屏蔽材
公开(公告)号：TW201634268A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104121458
申请日：2015-07-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO , 佐藤賢次 , SATO, KENJI
IPC分类号： B32B15/04 , H05K9/00
CPC分类号： B32B15/08 , B32B2250/05 , B32B2250/42 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , C23C8/10 , H05K9/00 , H05K9/0073
摘要：本發明提供一種電磁波屏蔽特性、輕量特性、及成形加工性優異之電磁波屏蔽材。本發明之電磁波屏蔽材係具有至少3片金屬箔介隔絕緣層而積層之構造者，且構成該電磁波屏蔽材之金屬箔與絕緣層之全部組合滿足σM×dM×dR≧3×10-3。其中，式中之符號如下所示。σM：金屬箔於20℃之導電率(S/m)，dM：金屬箔之厚度(m)，dR：絕緣層之厚度(m)
简体摘要：本发明提供一种电磁波屏蔽特性、轻量特性、及成形加工性优异之电磁波屏蔽材。本发明之电磁波屏蔽材系具有至少3片金属箔介隔绝缘层而积层之构造者，且构成该电磁波屏蔽材之金属箔与绝缘层之全部组合满足σM×dM×dR≧3×10-3。其中，式中之符号如下所示。σM：金属箔于20℃之导电率(S/m)，dM：金属箔之厚度(m)，dR：绝缘层之厚度(m)

18. 发明专利

TW201406970A 肥粒鐵系不鏽鋼板及具優異氧化皮膜之導電性與密著性的肥粒鐵系不鏽鋼板之製造方法审中-公开
简体标题：肥粒铁系不锈钢板及具优异氧化皮膜之导电性与密着性的肥粒铁系不锈钢板之制造方法
公开(公告)号：TW201406970A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102125081
申请日：2013-07-12
申请人：新日鐵住金不銹鋼股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN STAINLESS STEEL CORPORATION
发明人：秦野正治 , HATANO, MASAHARU , 池上修 , IKEGAMI, OSAMU
IPC分类号： C22C38/22 , C21D6/00
CPC分类号： C22C38/00 , C21D6/002 , C21D8/0226 , C21D8/0236 , C21D8/0273 , C21D8/0278 , C21D9/46 , C22C38/001 , C22C38/004 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/22 , C22C38/26 , C23C8/10
摘要：本發明之肥粒鐵系不鏽鋼板，以質量%計，含有：C：0.02%以下、Si：0.15%以下、Mn：0.3~1%、P：0.04%以下、S：0.003%以下、Cr：20~25%、Mo：0.5~2%、Al：0.1%以下、N：0.02%以下、及Nb：0.001~0.5%，且剩餘部分係由Fe及不可避免的不純物所構成，並且滿足(1)式：2.5＜Mn/(Si+Al)＜8.0…(1)，但，(1)式中Mn、Si、Al係各別之元素的含量(質量%)之意。
简体摘要：本发明之肥粒铁系不锈钢板，以质量%计，含有：C：0.02%以下、Si：0.15%以下、Mn：0.3~1%、P：0.04%以下、S：0.003%以下、Cr：20~25%、Mo：0.5~2%、Al：0.1%以下、N：0.02%以下、及Nb：0.001~0.5%，且剩余部分系由Fe及不可避免的不纯物所构成，并且满足(1)式：2.5＜Mn/(Si+Al)＜8.0…(1)，但，(1)式中Mn、Si、Al系各别之元素的含量(质量%)之意。

19. 发明专利

TW201204872A 無方向性電磁鋼板及其製造方法审中-公开
简体标题：无方向性电磁钢板及其制造方法
公开(公告)号：TW201204872A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100105243
申请日：2011-02-17
申请人：新日本製鐵股份有限公司
发明人：山崎修一 , 久保田猛 , 黑崎洋介 , 藤倉昌浩 , 島津高英
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01F1/14783 , C21D1/26 , C21D6/002 , C21D6/005 , C21D6/008 , C21D8/12 , C21D8/1244 , C21D8/1283 , C21D8/1288 , C21D9/46 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/34 , C23C8/10 , C23C8/18 , C23C22/07 , C23C22/50 , C23C22/74 , C23C24/00 , C23C28/00 , H01F1/18 , H01F41/32
摘要：本發明係一種無方向性電磁鋼板，具有：基質鐵與形成於基質鐵表面上之1g/m 2 以上且6g/m 2 以下的應力賦予型之絕緣被膜。於基質鐵之表面形成有厚度為0.01μm以上且0.5μm以下之氧化物層，該氧化物層含有選自於由Si、Al及Cr所構成之群之至少一種氧化物。
简体摘要：本发明系一种无方向性电磁钢板，具有：基质铁与形成于基质铁表面上之1g/m 2 以上且6g/m 2 以下的应力赋予型之绝缘被膜。于基质铁之表面形成有厚度为0.01μm以上且0.5μm以下之氧化物层，该氧化物层含有选自于由Si、Al及Cr所构成之群之至少一种氧化物。

20. 发明专利

TWI339642B 經摻雜之金屬氧化物顆粒的製造方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF DOPED METAL OXIDE PARTICLES 有权
简体标题：经掺杂之金属氧化物颗粒的制造方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF DOPED METAL OXIDE PARTICLES
公开(公告)号：TWI339642B
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW095141330
申请日：2006-11-08
申请人：贏創德固賽有限責任公司
发明人：凱伊舒曼契爾 , 雷納高雀特 , 漢慕特羅德 , 哈瑞德艾夫 , 安德利麥特耶斯羅奇尼亞
IPC分类号： C01B , C01G , C09C , C23C
CPC分类号： C01B13/145 , C01G23/04 , C01P2002/52 , C01P2006/12 , C09C1/0081 , C09C1/3045 , C09C3/06 , C23C8/10
摘要：一種經摻雜之金屬氧化物顆粒的製造方法，其中摻雜性成分係以區域形式存在於表面上，於該方法中－於第一反應區中，將作為摻雜劑的可氧化及/或可水解的金屬化合物與霧化氣體一起噴霧到金屬氧化物顆粒在載體氣體中的流之中，－其中該金屬氧化物顆粒的質量流與該摻雜劑的質量流係經選擇以使得該經摻雜之金屬氧化物顆粒含有10 ppm至10重量%的該摻雜性成分，其中要導入的該摻雜劑之量係以對應的氧化物之形式計算，且－其中在該第一反應區內的溫度係經選擇以使得在當時的反應條件下該溫度係低於該摻雜劑的沸點，及－然後，於一第二反應區中，將從該第一反應區所來的流與－隨意的至少一樣多的氧氣及/或蒸汽一起導入，該氧氣及/或蒸汽的量至少足以完全地轉化該摻雜劑，－其中該溫度為從300至2000℃，較佳為500至1000℃，及接著將該反應混合物冷卻或靜置冷卻且從氣體物質中分離出該經摻雜之金屬氧化物顆粒。
简体摘要：一种经掺杂之金属氧化物颗粒的制造方法，其中掺杂性成分系以区域形式存在于表面上，于该方法中－于第一反应区中，将作为掺杂剂的可氧化及/或可水解的金属化合物与雾化气体一起喷雾到金属氧化物颗粒在载体气体中的流之中，－其中该金属氧化物颗粒的质量流与该掺杂剂的质量流系经选择以使得该经掺杂之金属氧化物颗粒含有10 ppm至10重量%的该掺杂性成分，其中要导入的该掺杂剂之量系以对应的氧化物之形式计算，且－其中在该第一反应区内的温度系经选择以使得在当时的反应条件下该温度系低于该掺杂剂的沸点，及－然后，于一第二反应区中，将从该第一反应区所来的流与－随意的至少一样多的氧气及/或蒸汽一起导入，该氧气及/或蒸汽的量至少足以完全地转化该掺杂剂，－其中该温度为从300至2000℃，较佳为500至1000℃，及接着将该反应混合物冷却或静置冷却且从气体物质中分离出该经掺杂之金属氧化物颗粒。

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