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11. 发明专利

TWI444495B 成膜裝置和成膜方法有权
简体标题：成膜设备和成膜方法
公开(公告)号：TWI444495B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100139149
申请日：2011-10-27
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：中川善之 , NAKAGAWA, YOSHIYUKI , 中野真吾 , NAKANO, SHINGO , 福田直人 , FUKUDA, NAOTO
IPC分类号： C23C14/54 , G01B17/02
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/24 , C23C14/546 , C23C16/46

12. 发明专利

TW201225198A 包含測試晶圓支架之用於蒸鍍之設備及方法 APPARATUS AND METHODS FOR EVAPORATION INCLUDING TEST WAFER HOLDER 审中-公开
简体标题：包含测试晶圆支架之用于蒸镀之设备及方法 APPARATUS AND METHODS FOR EVAPORATION INCLUDING TEST WAFER HOLDER
公开(公告)号：TW201225198A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100136115
申请日：2011-10-05
申请人：西凱渥資訊處理科技公司
发明人：劉霖T , 帝古辛邦K , 賓格理查S , 理吉詹斯A , 科諾德勒海瑟L , 威勒丹尼爾C
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C14/545 , C23C14/505 , C23C14/546 , H01L21/67253 , H01L21/68714 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要：本發明揭示用於將金屬蒸鍍至半導體晶圓上之設備及方法。此一種設備可包含一蒸鍍室,該蒸鍍室包含諸如一穹頂之一晶圓支架及與該晶圓支架分離且間隔開之一測試晶圓支架。在某些實施方案中,該測試晶圓可耦合至支撐至少一個塑形器之一橫樑。可在於定位於一測試晶圓支架中之一測試晶圓上蒸鍍金屬之同時將一金屬蒸鍍至定位於該晶圓支架中之產品晶圓上。在某些例項中,該等產品晶圓可係GaAs晶圓。可使用該測試晶圓來進行關於該等產品晶圓之一品質評估。
简体摘要：本发明揭示用于将金属蒸镀至半导体晶圆上之设备及方法。此一种设备可包含一蒸镀室,该蒸镀室包含诸如一穹顶之一晶圆支架及与该晶圆支架分离且间隔开之一测试晶圆支架。在某些实施方案中,该测试晶圆可耦合至支撑至少一个塑形器之一横梁。可在于定位于一测试晶圆支架中之一测试晶圆上蒸镀金属之同时将一金属蒸镀至定位于该晶圆支架中之产品晶圆上。在某些实例中,该等产品晶圆可系GaAs晶圆。可使用该测试晶圆来进行关于该等产品晶圆之一品质评估。

13. 发明专利

TW201221680A 偵測沈積條件 DETECTING DEPOSITION CONDITIONS 审中-公开
简体标题：侦测沉积条件 DETECTING DEPOSITION CONDITIONS
公开(公告)号：TW201221680A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100136111
申请日：2011-10-05
申请人：西凱渥資訊處理科技公司
发明人：劉霖T , 科諾德勒海瑟L , 賓格理查S , 威勒丹尼爾C
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C14/044 , C23C14/24 , C23C14/546 , H01L21/2855 , H01L21/28575 , H01L21/67253 , H01L21/68771
摘要：本發明亦揭示用於偵測用於將金屬蒸鍍至半導體晶圓上之一蒸鍍器中之沈積條件(諸如蒸鍍條件)之設備及方法。此一種設備可包含一晶體監控器感測器,該晶體監控器感測器經組態以在至一半導體晶圓上之金屬沈積之前偵測與一金屬源相關聯之金屬蒸氣。該設備亦可包含一閘板,該閘板經組態以在該晶體監控器感測器偵測到一非所要條件時保持處於一關閉位置,以便防止至該半導體晶圓上之金屬沈積。在某些實施方案中,該非所要條件可指示一金屬源之一組合物、一金屬源之一沈積速率、一金屬源之雜質、一金屬源之位置、一電子束之位置及/或一電子束之强度。
简体摘要：本发明亦揭示用于侦测用于将金属蒸镀至半导体晶圆上之一蒸镀器中之沉积条件(诸如蒸镀条件)之设备及方法。此一种设备可包含一晶体监控器传感器,该晶体监控器传感器经组态以在至一半导体晶圆上之金属沉积之前侦测与一金属源相关联之金属蒸气。该设备亦可包含一闸板,该闸板经组态以在该晶体监控器传感器侦测到一非所要条件时保持处于一关闭位置,以便防止至该半导体晶圆上之金属沉积。在某些实施方案中,该非所要条件可指示一金属源之一组合物、一金属源之一沉积速率、一金属源之杂质、一金属源之位置、一电子束之位置及/或一电子束之强度。

14. 发明专利

TW201132928A 厚度量測裝置、塗覆設備、測量層厚度的方法及厚度量測裝置的使用 THICKNESS MEASURING DEVICE, COATING INSTALLATION, METHOD OF MEASURING THE THICKNESS OF A LAYER, AND USE OF A THICKNESS MEASURING DEVICE 审中-公开
简体标题：厚度量测设备、涂覆设备、测量层厚度的方法及厚度量测设备的使用 THICKNESS MEASURING DEVICE, COATING INSTALLATION, METHOD OF MEASURING THE THICKNESS OF A LAYER, AND USE OF A THICKNESS MEASURING DEVICE
公开(公告)号：TW201132928A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099133597
申请日：2010-10-01
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：史拉曼思凡 , 莫爾菲利浦
IPC分类号： G01B , C23C
CPC分类号： G01B7/066 , C23C14/546 , C23C16/52
摘要：本發明提供一種用於量測在基材之基材表面上之一層厚度的厚度量測裝置，包括：多個壓電晶體元件，其佈置成對應於基材表面上之多個位置的一陣列，且其適於監視待沉積至基材表面上之蒸氣的沉積速率。
简体摘要：本发明提供一种用于量测在基材之基材表面上之一层厚度的厚度量测设备，包括：多个压晶体管组件，其布置成对应于基材表面上之多个位置的一数组，且其适于监视待沉积至基材表面上之蒸气的沉积速率。

15. 发明专利

TW201805463A 膜厚度監測系統及使用所述系統的方法审中-公开
简体标题：膜厚度监测系统及使用所述系统的方法
公开(公告)号：TW201805463A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105128197
申请日：2016-09-01
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：許祐霖 , HSU, YU-LIN , 黃國興 , HUANG, KUO-HSIN , 林建宏 , LIN, CHIEN-HUNG , 石邦岷 , SHIH, PANG-MIN , 宋兆峰 , SUNG, CHAO-FENG
IPC分类号： C23C14/54 , G01B21/08
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/54 , C23C14/546 , G01N29/12 , G01N2291/0237 , G01N2291/0256 , G01N2291/02854 , G01N2291/2697
摘要：提供一種膜厚度監測系統。所述膜厚度監測系統包括材料源、閥門以及腔室。所述材料源用以提供沉積材料。所述閥門連接至所述材料源。所述腔室包括歧管、石英晶體微量天平以及壓力感測器。所述歧管連接至所述閥門並具有至少一個第一噴嘴與至少一個第二噴嘴。所述石英晶體微量天平與所述至少一個第二噴嘴相對地配置。所述沉積材料適於經由所述至少一個第二噴嘴而沉積於所述石英晶體微量天平上，且所述石英晶體微量天平包括面對所述至少一個第二噴嘴的活動遮板。壓力感測器配置於所述歧管中。還提供一種用於監測膜厚度沉積製程的方法。
简体摘要：提供一种膜厚度监测系统。所述膜厚度监测系统包括材料源、阀门以及腔室。所述材料源用以提供沉积材料。所述阀门连接至所述材料源。所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器。所述歧管连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴。所述石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地配置。所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上，且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板。压力传感器配置于所述歧管中。还提供一种用于监测膜厚度沉积制程的方法。

16. 发明专利

TW201527569A 用於在真空反應器裝置中監測硒蒸氣之系統與方法审中-公开
简体标题：用于在真空反应器设备中监测硒蒸气之系统与方法
公开(公告)号：TW201527569A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103136116
申请日：2014-10-20
申请人：努渥孫公司 , NUVOSUN, INC.
发明人：渥爾雅塞C , WALL, ARTHUR C. , 高山姆 , KAO, SAM , 金約翰光洋 , KIM, JOHN KWANGYONG , 海曲曼布魯斯D , HACHTMANN, BRUCE D. , 江祥忠 , JIANG, QIONGZHONG , 波特卡寧羅斯巴倫 , PORTER, KARNING ROSS BARON
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/546 , C23C14/0623 , C23C14/243 , C23C14/543
摘要：本發明揭示用於監測一真空反應器裝置中之蒸氣的方法及系統。一種系統具有：(a)一真空腔室；(b)一蒸氣源，其收容於該真空腔室中，其中該蒸氣源經組態以產生一蒸氣；(c)一反應容器，其收容於該真空腔室中且耦接至該蒸氣源，其中該反應容器具有至該真空腔室之一出口，且其中該反應容器經組態以自該蒸氣源接收該蒸氣，且經由該出口將該所接收蒸氣之一部分排出至該真空腔室中；及(d)一或多個感測器，其收容於該真空腔室中，其中該一或多個感測器經組態以偵測經由該出口排出之該蒸氣。
简体摘要：本发明揭示用于监测一真空反应器设备中之蒸气的方法及系统。一种系统具有：(a)一真空腔室；(b)一蒸气源，其收容于该真空腔室中，其中该蒸气源经组态以产生一蒸气；(c)一反应容器，其收容于该真空腔室中且耦接至该蒸气源，其中该反应容器具有至该真空腔室之一出口，且其中该反应容器经组态以自该蒸气源接收该蒸气，且经由该出口将该所接收蒸气之一部分排出至该真空腔室中；及(d)一或多个传感器，其收容于该真空腔室中，其中该一或多个传感器经组态以侦测经由该出口排出之该蒸气。

17. 发明专利

TWI465597B 薄膜形成裝置、膜厚測定方法、膜厚感測器有权
简体标题：薄膜形成设备、膜厚测定方法、膜厚传感器
公开(公告)号：TWI465597B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW097136125
申请日：2008-09-19
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：深尾萬里 , FUKAO, MASATO , 木村孔 , KIMURA, TORU
IPC分类号： C23C14/24 , G01B15/02
CPC分类号： C23C14/545 , C23C14/546 , G01B17/02

18. 发明专利

TW201321534A 真空蒸鍍裝置审中-公开
简体标题：真空蒸镀设备
公开(公告)号：TW201321534A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101102925
申请日：2012-01-30
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：重岡伸之 , SHIGEOKA, NOBUYUKI , 平野龍也 , HIRANO, TATSUYA
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/26 , C23C14/542 , C23C14/546
摘要：本發明係提供一種無論蒸鍍材料為何，皆可不妨礙檢測地藉由所蒸發之蒸鍍材料長時間形成厚度均勻之膜的真空蒸鍍裝置。真空蒸鍍裝置(1)包括：蒸鍍材容器(2)；蒸發機構，其蒸發蒸鍍材料；複數個成膜速度監視器(3、4)，其於倒角不同之位置觀測成膜速度；成膜速度控制部，其將一個成膜速度監視器(3)之成膜速度與預定之設定值進行比較，並以使觀測到之成膜速度相對於設定值之變動為特定範圍內之方式控制蒸發機構之輸出；材料供給部(5)；蒸氣量分佈運算部，其使用藉由複數個成膜速度監視器(3、4)觀測到之成膜速度，運算藉由蒸發機構蒸發之蒸鍍材料之蒸氣量分佈；及材料供給控制部，其將運算得出之蒸氣量分佈與預定之蒸氣量分佈之設定值進行比較，並以使運算得出之蒸氣量分佈相對於蒸氣量分佈之設定值之變動為特定範圍內之方式控制蒸鍍材料之供給量及供給時序。
简体摘要：本发明系提供一种无论蒸镀材料为何，皆可不妨碍检测地借由所蒸发之蒸镀材料长时间形成厚度均匀之膜的真空蒸镀设备。真空蒸镀设备(1)包括：蒸镀材容器(2)；蒸发机构，其蒸发蒸镀材料；复数个成膜速度监视器(3、4)，其于倒角不同之位置观测成膜速度；成膜速度控制部，其将一个成膜速度监视器(3)之成膜速度与预定之设置值进行比较，并以使观测到之成膜速度相对于设置值之变动为特定范围内之方式控制蒸发机构之输出；材料供给部(5)；蒸气量分布运算部，其使用借由复数个成膜速度监视器(3、4)观测到之成膜速度，运算借由蒸发机构蒸发之蒸镀材料之蒸气量分布；及材料供给控制部，其将运算得出之蒸气量分布与预定之蒸气量分布之设置值进行比较，并以使运算得出之蒸气量分布相对于蒸气量分布之设置值之变动为特定范围内之方式控制蒸镀材料之供给量及供给时序。

19. 发明专利

TW201300555A 偵測沈積條件审中-公开
简体标题：侦测沉积条件
公开(公告)号：TW201300555A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101134056
申请日：2011-10-05
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：劉霖T , LUU, LAM T. , 科諾德勒海瑟L , KNOEDLER, HEATHER L. , 賓格理查S , BINGLE, RICHARD S. , 威勒丹尼爾C , WEAVER, DANIEL C.
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/54
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C14/044 , C23C14/24 , C23C14/546 , H01L21/2855 , H01L21/28575 , H01L21/67253 , H01L21/68771
摘要：本發明亦揭示用於偵測用於將金屬蒸鍍至半導體晶圓上之一蒸鍍器中之沈積條件(諸如蒸鍍條件)之設備及方法。此一種設備可包含一晶體監控器感測器，該晶體監控器感測器經組態以在至一半導體晶圓上之金屬沈積之前偵測與一金屬源相關聯之金屬蒸氣。該設備亦可包含一閘板，該閘板經組態以在該晶體監控器感測器偵測到一非所要條件時保持處於一關閉位置，以便防止至該半導體晶圓上之金屬沈積。在某些實施方案中，該非所要條件可指示一金屬源之一組合物、一金屬源之一沈積速率、一金屬源之雜質、一金屬源之位置、一電子束之位置及/或一電子束之強度。
简体摘要：本发明亦揭示用于侦测用于将金属蒸镀至半导体晶圆上之一蒸镀器中之沉积条件(诸如蒸镀条件)之设备及方法。此一种设备可包含一晶体监控器传感器，该晶体监控器传感器经组态以在至一半导体晶圆上之金属沉积之前侦测与一金属源相关联之金属蒸气。该设备亦可包含一闸板，该闸板经组态以在该晶体监控器传感器侦测到一非所要条件时保持处于一关闭位置，以便防止至该半导体晶圆上之金属沉积。在某些实施方案中，该非所要条件可指示一金属源之一组合物、一金属源之一沉积速率、一金属源之杂质、一金属源之位置、一电子束之位置及/或一电子束之强度。

20. 发明专利

TW200941033A 抗反射膜及其製成方法 ANTIREFLECTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：抗反射膜及其制成方法 ANTIREFLECTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200941033A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097110886
申请日：2008-03-26
申请人：財團法人國家實驗研究院
发明人：邱柏凱 , 卓文浩 , 陳宏彬 , 潘漢昌 , 蕭健男
IPC分类号： G02B , C23C
CPC分类号： G02B1/115 , C23C14/022 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/546 , C23C14/547 , C23C14/562 , Y10T428/265
摘要：本案係指一種抗反射膜，其包含具有一基材折射率的一基材；一第一透明層，其設置於該基材上且具有一第一折射率；以及一第二透明層，其設置於該第一透明層上且具有一第二折射率。其中，該第一折射率大於該基材折射率和該第二折射率，且該第一透明層的厚度介於1nm-40nm之間。
简体摘要：本案系指一种抗反射膜，其包含具有一基材折射率的一基材；一第一透明层，其设置于该基材上且具有一第一折射率；以及一第二透明层，其设置于该第一透明层上且具有一第二折射率。其中，该第一折射率大于该基材折射率和该第二折射率，且该第一透明层的厚度介于1nm-40nm之间。

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