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11. 发明专利

TWI611918B 電磁波屏蔽材有权
简体标题：电磁波屏蔽材
公开(公告)号：TWI611918B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104121459
申请日：2015-07-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： B32B15/04 , B32B9/04 , H05K9/00 , H02K5/22
CPC分类号： B32B15/08 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , C23C22/50 , C23C22/52 , C23C22/56 , H05K9/0073 , H05K9/0088

12. 发明专利

TWI419623B 印刷配線板用銅箔及使用其之積層板有权
简体标题：印刷配线板用铜箔及使用其之积层板
公开(公告)号：TWI419623B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW101106923
申请日：2012-03-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI , 田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： H05K1/09 , C23C28/02 , H05K3/06 , B32B15/08
CPC分类号： C23C28/021 , B32B15/018 , C23C28/023 , C23C28/028 , H05K1/09 , H05K2201/0355

13. 发明专利

TW201328864A 銅箔複合體、以及成形體及其製造方法审中-公开
简体标题：铜箔复合体、以及成形体及其制造方法
公开(公告)号：TW201328864A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101134260
申请日：2012-09-19
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO , 冠和樹 , KANMURI, KAZUKI
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , H05K1/03
CPC分类号： H05K1/0393 , B32B7/02 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2307/712 , B32B2457/08 , H05K1/053 , H05K1/056 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/0358 , H05K2201/05 , H05K2201/06 , Y10T29/302 , Y10T428/12438 , Y10T428/273
摘要：本發明提供一種即便進行如壓製加工等之不同於單軸彎曲之苛刻(複雜)的變形亦可防止銅箔破裂而加工性優異之銅箔複合體、以及成形體及其製造方法。本發明係積層有銅箔與樹脂層之銅箔複合體，於將銅箔之厚度設為t2(mm)，將拉伸應變4%時之銅箔之應力設為f2(MPa)，將樹脂層之厚度設為t3(mm)，將拉伸應變4%時之樹脂層之應力設為f3(MPa)時，滿足式1：(f3×t3)/(f2×t2)≧1，並且於將銅箔與樹脂層之180°剝離接著強度設為f1(N/mm)，將銅箔複合體之拉伸應變30%時之強度設為F(MPa)，將銅箔複合體之厚度設為T(mm)時，滿足式2：1≦33f1/(F×T)，且於銅箔中之未積層有樹脂層之面，形成有附著量5~100 μg/dm2之Cr氧化物層。
简体摘要：本发明提供一种即便进行如压制加工等之不同於单轴弯曲之苛刻(复杂)的变形亦可防止铜箔破裂而加工性优异之铜箔复合体、以及成形体及其制造方法。本发明系积层有铜箔与树脂层之铜箔复合体，于将铜箔之厚度设为t2(mm)，将拉伸应变4%时之铜箔之应力设为f2(MPa)，将树脂层之厚度设为t3(mm)，将拉伸应变4%时之树脂层之应力设为f3(MPa)时，满足式1：(f3×t3)/(f2×t2)≧1，并且于将铜箔与树脂层之180°剥离接着强度设为f1(N/mm)，将铜箔复合体之拉伸应变30%时之强度设为F(MPa)，将铜箔复合体之厚度设为T(mm)时，满足式2：1≦33f1/(F×T)，且于铜箔中之未积层有树脂层之面，形成有附着量5~100 μg/dm2之Cr氧化物层。

14. 发明专利

TW201634269A 電磁波屏蔽材审中-公开
简体标题：电磁波屏蔽材
公开(公告)号：TW201634269A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104121459
申请日：2015-07-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： B32B15/04 , B32B9/04 , H05K9/00 , H02K5/22
CPC分类号： B32B15/08 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , C23C22/50 , C23C22/52 , C23C22/56 , H05K9/0073 , H05K9/0088
摘要：本發明提供一種電磁波屏蔽特性得到改善之電磁波屏蔽材。本發明之電磁波屏蔽材具有至少兩片金屬箔介隔絕緣層而積層之構造，且各金屬箔之與絕緣層相接之界面之金屬氧化物層之厚度分別為1~30nm。
简体摘要：本发明提供一种电磁波屏蔽特性得到改善之电磁波屏蔽材。本发明之电磁波屏蔽材具有至少两片金属箔介隔绝缘层而积层之构造，且各金属箔之与绝缘层相接之界面之金属氧化物层之厚度分别为1~30nm。

15. 发明专利

TWI492842B 銅箔複合體、以及成形體及其製造方法有权
简体标题：铜箔复合体、以及成形体及其制造方法
公开(公告)号：TWI492842B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101134260
申请日：2012-09-19
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO , 冠和樹 , KANMURI, KAZUKI
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , H05K1/03
CPC分类号： H05K1/0393 , B32B7/02 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2307/712 , B32B2457/08 , H05K1/053 , H05K1/056 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/0358 , H05K2201/05 , H05K2201/06 , Y10T29/302 , Y10T428/12438 , Y10T428/273

16. 发明专利

TW201334957A 銅箔複合體、以及成形體及其製造方法审中-公开
简体标题：铜箔复合体、以及成形体及其制造方法
公开(公告)号：TW201334957A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102100395
申请日：2013-01-07
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO , 冠和樹 , KAMMURI, KAZUKI
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20
CPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0141 , H05K2201/0145 , H05K2201/0158 , H05K2203/0723
摘要：本發明提供一種即便進行如壓製加工等不同於單軸彎曲之嚴苛（複雜）的變形亦可防止銅箔破裂而加工性優異之銅箔複合體、以及成形體及其製造方法。本發明係積層有銅箔與樹脂層之銅箔複合體，於將銅箔之厚度設為t2（mm），將拉伸應變4%時之銅箔的應力設為f2（MPa），將樹脂層之厚度設為t3（mm），將拉伸應變4%時之樹脂層的應力設為f3（MPa）時，滿足式1：（f3×t3）／（f2×t2）≧1，並且於將銅箔與樹脂層之180°剝離接著強度設為f1（N／mm），將銅箔複合體之拉伸應變30%時之強度設為F（MPa），將銅箔複合體之厚度設為T（mm）時，滿足式2：1≦33f1／（F×T），於銅箔中之未積層有樹脂層之面，形成有合計厚度0.001~5.0μm之Ni層及／或Ni合金層。
简体摘要：本发明提供一种即便进行如压制加工等不同於单轴弯曲之严苛（复杂）的变形亦可防止铜箔破裂而加工性优异之铜箔复合体、以及成形体及其制造方法。本发明系积层有铜箔与树脂层之铜箔复合体，于将铜箔之厚度设为t2（mm），将拉伸应变4%时之铜箔的应力设为f2（MPa），将树脂层之厚度设为t3（mm），将拉伸应变4%时之树脂层的应力设为f3（MPa）时，满足式1：（f3×t3）／（f2×t2）≧1，并且于将铜箔与树脂层之180°剥离接着强度设为f1（N／mm），将铜箔复合体之拉伸应变30%时之强度设为F（MPa），将铜箔复合体之厚度设为T（mm）时，满足式2：1≦33f1／（F×T），于铜箔中之未积层有树脂层之面，形成有合计厚度0.001~5.0μm之Ni层及／或Ni合金层。

17. 发明专利

TW201304627A 印刷配線板用銅箔及使用其之積層板审中-公开
简体标题：印刷配线板用铜箔及使用其之积层板
公开(公告)号：TW201304627A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101106923
申请日：2012-03-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI , 田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： H05K1/09 , C23C28/02 , H05K3/06 , B32B15/08
CPC分类号： C23C28/021 , B32B15/018 , C23C28/023 , C23C28/028 , H05K1/09 , H05K2201/0355
摘要：本發明提供一種適於細間距化之能以良好之製造效率製造上下底差較小之剖面形狀之電路的印刷配線板用銅箔、及使用其之積層板。本發明之印刷配線板用銅箔具備銅箔基材與被覆該銅箔基材表面之至少一部分的被覆層，且上述被覆層藉由自銅箔基材表面依序積層之由Pt、Pd及Au之至少任一種構成的第1層、以及由Ni、Co、Sn、Zn、Cu及Cr之任一種以上之金屬構成的第2層而構成，於上述被覆層中，各種金屬係以如下被覆量而存在：Au為200~2000μg/dm2、Pt為200~2000μg/dm2、Pd為120~1200μg/dm2、Ni為5~1500μg/dm2、Co為5~1500μg/dm2、Sn為5~1200μg/dm2、Zn為5~1200μg/dm2、Cu為5~1500μg/dm2、Cr為5~80μg/dm2，上述被覆層之厚度為3~25nm，若將由利用XPS之自表面起之深度方向分析而獲得的深度方向(x：單位nm)之Pt、Pd及Au之任一種以上的原子濃度(%)設為f(x)，將Ni、Co、Sn、Zn、Cu及Cr之任一種以上之金屬的原子濃度設為g(x)，且將區間[0，15]中之f(x)、g(x)之第一極大值分別設為f(F)、g(G)，則滿足G≦F、f(F)≧1%、g(G)≧1%。
简体摘要：本发明提供一种适于细间距化之能以良好之制造效率制造上下底差较小之剖面形状之电路的印刷配线板用铜箔、及使用其之积层板。本发明之印刷配线板用铜箔具备铜箔基材与被覆该铜箔基材表面之至少一部分的被覆层，且上述被覆层借由自铜箔基材表面依序积层之由Pt、Pd及Au之至少任一种构成的第1层、以及由Ni、Co、Sn、Zn、Cu及Cr之任一种以上之金属构成的第2层而构成，于上述被覆层中，各种金属系以如下被覆量而存在：Au为200~2000μg/dm2、Pt为200~2000μg/dm2、Pd为120~1200μg/dm2、Ni为5~1500μg/dm2、Co为5~1500μg/dm2、Sn为5~1200μg/dm2、Zn为5~1200μg/dm2、Cu为5~1500μg/dm2、Cr为5~80μg/dm2，上述被覆层之厚度为3~25nm，若将由利用XPS之自表面起之深度方向分析而获得的深度方向(x：单位nm)之Pt、Pd及Au之任一种以上的原子浓度(%)设为f(x)，将Ni、Co、Sn、Zn、Cu及Cr之任一种以上之金属的原子浓度设为g(x)，且将区间[0，15]中之f(x)、g(x)之第一极大值分别设为f(F)、g(G)，则满足G≦F、f(F)≧1%、g(G)≧1%。

18. 发明专利

TW201736120A 電磁波屏蔽材料审中-公开
简体标题：电磁波屏蔽材料
公开(公告)号：TW201736120A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106103841
申请日：2017-02-06
申请人： JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： B32B15/08 , B32B7/02 , H05K9/00
CPC分类号： B32B15/08 , H05K9/00
摘要：本發明提供對1MHz以下低頻電磁場的磁場屏蔽特性良好、重量輕、成型加工性也優良的電磁波屏蔽材料。所述電磁波屏蔽材料具有將至少兩張金屬箔隔著樹脂層進行密合層疊的結構，構成樹脂層的樹脂在150℃無屈服點，構成電磁波屏蔽材料的金屬箔與樹脂層的所有組合滿足下述的式(A)：以及滿足下述的式(B)：進一步地，所有的金屬箔滿足下述的式(C)：
简体摘要：本发明提供对1MHz以下低频电磁场的磁场屏蔽特性良好、重量轻、成型加工性也优良的电磁波屏蔽材料。所述电磁波屏蔽材料具有将至少两张金属箔隔着树脂层进行密合层叠的结构，构成树脂层的树脂在150℃无屈服点，构成电磁波屏蔽材料的金属箔与树脂层的所有组合满足下述的式(A)：以及满足下述的式(B)：进一步地，所有的金属箔满足下述的式(C)：

19. 发明专利

TW201841721A 層疊體和成型品的製造方法审中-公开
简体标题：层叠体和成型品的制造方法
公开(公告)号：TW201841721A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107110738
申请日：2018-03-28
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： B29C51/08 , B32B15/08
摘要：本發明提供一種適於拉深加工的金屬箔和樹脂層的層疊體。一種層疊體，是層疊有至少一片金屬箔和至少兩層樹脂層的、厚度為25～500μm的層疊體，其中，各金屬箔的兩面與樹脂層密合層疊，將依照JIS K7127：1999對層疊體進行拉伸試驗時的5%標稱應變中的標稱應力設為σY（MPa），將依照JIS K7127：1999對層疊體進行拉伸試驗時層疊體中的金屬箔斷裂的標稱應變中的標稱應力設為σb（MPa）時，60≤σY≤150、且1.4≤σb／σY成立。
简体摘要：本发明提供一种适于拉深加工的金属箔和树脂层的层叠体。一种层叠体，是层叠有至少一片金属箔和至少两层树脂层的、厚度为25～500μm的层叠体，其中，各金属箔的两面与树脂层密合层叠，将依照JIS K7127：1999对层叠体进行拉伸试验时的5%标称应变中的标称应力设为σY（MPa），将依照JIS K7127：1999对层叠体进行拉伸试验时层叠体中的金属箔断裂的标称应变中的标称应力设为σb（MPa）时，60≤σY≤150、且1.4≤σb／σY成立。

20. 发明专利

TW201832926A 電磁波屏蔽材料审中-公开
简体标题：电磁波屏蔽材料
公开(公告)号：TW201832926A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107108326
申请日：2018-03-12
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田中幸一郎 , TANAKA, KOICHIRO
IPC分类号： B32B15/08 , B32B37/10 , H05K9/00
摘要：本發明提供一種改善了成型加工性的電磁波屏蔽材料。一種電磁波屏蔽材料，具有至少一片金屬箔和至少兩層樹脂層密合層疊等多層結構，各金屬箔的兩面與樹脂層密合層疊，各金屬箔與相鄰的兩層樹脂層分別滿足0.02≤VM／VM’≤1.2的關係（式中，VM：金屬箔相對於金屬箔與樹脂層的總體積的體積率，VM’：（σR－σR’）／（σM+σR－σR’），σM：對金屬箔施加拉伸應力時金屬箔斷裂時的應力（MPa），σR：對樹脂層施加拉伸應力時樹脂層斷裂時的應力（MPa），σR’：對樹脂層施加與金屬箔斷裂時的應變相同的應變時樹脂層的應力（MPa））。
简体摘要：本发明提供一种改善了成型加工性的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，具有至少一片金属箔和至少两层树脂层密合层叠等多层结构，各金属箔的两面与树脂层密合层叠，各金属箔与相邻的两层树脂层分别满足0.02≤VM／VM’≤1.2的关系（式中，VM：金属箔相对于金属箔与树脂层的总体积的体积率，VM’：（σR－σR’）／（σM+σR－σR’），σM：对金属箔施加拉伸应力时金属箔断裂时的应力（MPa），σR：对树脂层施加拉伸应力时树脂层断裂时的应力（MPa），σR’：对树脂层施加与金属箔断裂时的应变相同的应变时树脂层的应力（MPa））。

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