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11. 发明专利

TWI565095B 發光模組有权
简体标题：发光模块
公开(公告)号：TWI565095B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104136816
申请日：2015-11-09
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/04 , H05B33/08
CPC分类号： H01L33/06 , H01L25/167 , H01L33/02 , H01L33/32

12. 发明专利

TW201836167A 圖案化基板與發光二極體晶圓审中-公开
简体标题：图案化基板与发光二极管晶圆
公开(公告)号：TW201836167A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106110087
申请日：2017-03-27
申请人：英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 王信介 , WANG, SHEN-JIE , 吳俊德 , WU, JYUN-DE , 嚴千智 , YEN, CHIEN-CHIH
IPC分类号： H01L33/20
摘要：一種圖案化基板，包括一基材以及多個圖案結構。基材具有至少一元件配置區以及一環繞元件配置區的切割區。圖案結構與基材一體成型，且位於基材的切割區內。圖案結構彼此分離且分佈於切割區。
简体摘要：一种图案化基板，包括一基材以及多个图案结构。基材具有至少一组件配置区以及一环绕组件配置区的切割区。图案结构与基材一体成型，且位于基材的切割区内。图案结构彼此分离且分布于切割区。

13. 发明专利

TW201822379A 發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201822379A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140655
申请日：2016-12-08
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳俊德 , WU, JYUN-DE , 羅玉雲 , LO, YU-YUN
IPC分类号： H01L33/02
摘要：一種發光二極體晶片，包括一P型半導體層、一發光層、一N型半導體層及一第一金屬電極。發光層配置於P型半導體層與N型半導體層之間。N型半導體層包括一第一N型半導體子層、一第二N型半導體子層及一歐姆接觸層，其中歐姆接觸層配置於第一N型半導體子層與第二N型半導體子層之間。第一金屬電極配置於第一N型半導體子層上，第一N型半導體子層之位於第一金屬電極與歐姆接觸層之間的區域中含有從第一金屬電極擴散而來的金屬原子，以使第一金屬電極與歐姆接觸層形成歐姆接觸。
简体摘要：一种发光二极管芯片，包括一P型半导体层、一发光层、一N型半导体层及一第一金属电极。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层包括一第一N型半导体子层、一第二N型半导体子层及一欧姆接触层，其中欧姆接触层配置于第一N型半导体子层与第二N型半导体子层之间。第一金属电极配置于第一N型半导体子层上，第一N型半导体子层之位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。

14. 发明专利

TWI606604B 發光二極體晶片有权
简体标题：发光二极管芯片
公开(公告)号：TWI606604B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105140653
申请日：2016-12-08
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳俊德 , WU, JYUN-DE , 羅玉雲 , LO, YU-YUN
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L33/42

15. 发明专利

TW201717429A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201717429A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136951
申请日：2015-11-10
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/58 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3086 , H01S5/3216 , H01S5/3425 , H01S5/34333
摘要：一種半導體發光元件包括一P型半導體披覆層、一N型半導體層一發光層、以及一電洞注入層。P型半導體披覆層中摻雜鎂。發光層配置於P型半導體披覆層與N型半導體層之間。電洞注入層配置於P型半導體披覆層與發光層之間。電洞注入層包括由多個氮化鎂層以及多個半導體材料層交替堆疊而構成的一第一超晶格（Super Lattice, SL）結構。每一半導體材料層的化學通式為AlxInyGa1-x-yN，且0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1。
简体摘要：一种半导体发光组件包括一P型半导体披覆层、一N型半导体层一发光层、以及一电洞注入层。P型半导体披覆层中掺杂镁。发光层配置于P型半导体披覆层与N型半导体层之间。电洞注入层配置于P型半导体披覆层与发光层之间。电洞注入层包括由多个氮化镁层以及多个半导体材料层交替堆栈而构成的一第一超晶格（Super Lattice, SL）结构。每一半导体材料层的化学通式为AlxInyGa1-x-yN，且0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1。

16. 发明专利

TW201717428A 發光模組审中-公开
简体标题：发光模块
公开(公告)号：TW201717428A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136816
申请日：2015-11-09
申请人：錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：賴彥霖 , LAI, YEN-LIN , 吳俊德 , WU, JYUN-DE
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/04 , H05B33/08
CPC分类号： H01L33/06 , H01L25/167 , H01L33/02 , H01L33/32
摘要：一種發光模組，包括驅動單元以及發光二極體。發光二極體電性連接於驅動單元，且驅動單元提供操作電流用以使發光二極體電激發光。發光二極體包括N型半導體層、發光層、電子阻擋層以及P型半導體層。電子阻擋層具有一厚度，且厚度小於等於30奈米或大於等於80奈米。發光層位於電子阻擋層與N型半導體層之間。電子阻擋層位於P型半導體層與發光層之間。發光二極體的電流密度與厚度的比例大於0且小於或等於2。
简体摘要：一种发光模块，包括驱动单元以及发光二极管。发光二极管电性连接于驱动单元，且驱动单元提供操作电流用以使发光二极管电激发光。发光二极管包括N型半导体层、发光层、电子阻挡层以及P型半导体层。电子阻挡层具有一厚度，且厚度小于等于30奈米或大于等于80奈米。发光层位于电子阻挡层与N型半导体层之间。电子阻挡层位于P型半导体层与发光层之间。发光二极管的电流密度与厚度的比例大于0且小于或等于2。

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