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11. 发明专利

TW201703048A 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：内存管理方法、内存控制电路单元以及内存存储设备
公开(公告)号：TW201703048A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104121373
申请日：2015-07-01
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：顏鴻聖 , YAN, HORNG SHENG , 陳國榮 , TAN, KOK-YONG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/02
CPC分类号： G06F3/0655 , G06F3/061 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7209
摘要：本發明提供一種記憶體管理方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置。此方法包括：接收第一寫入指令並將所述第一寫入指令所對應的資料寫入至所述實體抹除單元中的第一閒置實體抹除單元；偵測不包含第一閒置實體抹除單元的第二閒置實體抹除單元的數目；判斷第二閒置實體抹除單元的數目是否小於門檻值；以及若第二閒置實體抹除單元的數目小於門檻值，執行第一程序。第一程序包括：將所述實體抹除單元中的多筆有效資料搬移至所述實體抹除單元中的至少一第三閒置實體抹除單元中；以及將門檻值從第一門檻值調整為第二門檻值。
简体摘要：本发明提供一种内存管理方法、内存控制电路单元以及内存存储设备。此方法包括：接收第一写入指令并将所述第一写入指令所对应的数据写入至所述实体抹除单元中的第一闲置实体抹除单元；侦测不包含第一闲置实体抹除单元的第二闲置实体抹除单元的数目；判断第二闲置实体抹除单元的数目是否小于门槛值；以及若第二闲置实体抹除单元的数目小于门槛值，运行第一进程。第一进程包括：将所述实体抹除单元中的多笔有效数据搬移至所述实体抹除单元中的至少一第三闲置实体抹除单元中；以及将门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值。

12. 发明专利

TWI557561B 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：内存管理方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI557561B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW105104043
申请日：2016-02-05
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳國榮 , TAN, KOK-YONG , 顏鴻聖 , YAN, HORNG-SHENG
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08
CPC分类号： G06F3/0605 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0665 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/214 , G06F2212/657 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205

13. 发明专利

TWI381393B 區塊管理與更換方法、快閃記憶體儲存系統及其控制器有权
简体标题：区块管理与更换方法、闪存存储系统及其控制器
公开(公告)号：TWI381393B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097138395
申请日：2008-10-06
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：朱健華 , CHU, CHIEN HUA , 葉志剛 , YEH, CHIH KANG , 顏鴻聖 , YAN, HORNG SHENG
IPC分类号： G11C29/44 , G11C16/00
CPC分类号： G11C29/76

14. 发明专利

TW201015563A 區塊管理與更換方法、快閃記憶體儲存系統及其控制器 BLOCK MANAGEMENT AND REPLACEMENT METHOD, FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM AND CONTROLLER USING THE SAME 审中-公开
简体标题：区块管理与更换方法、闪存存储系统及其控制器 BLOCK MANAGEMENT AND REPLACEMENT METHOD, FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM AND CONTROLLER USING THE SAME
公开(公告)号：TW201015563A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW097138395
申请日：2008-10-06
申请人：群聯電子股份有限公司
发明人：朱健華 , 葉志剛 , 顏鴻聖
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/76
摘要：一種用於快閃記憶體的區塊管理與更換方法，其中此方法包括將快閃記憶體的多個實體區塊劃分為多個實體單元並且分組為使用區與替代區，其中每一實體單位中的實體區塊可藉由使用多區塊面存取指令來存取。此方法也包括當使用區的實體單元的實體區塊損壞時，倘若替代區中存有好的實體單元時，則以實體單元為單位來更換已損壞的實體單元並且記錄被取代的實體單元中未損壞的實體區塊。倘若替代區中無存有好的實體單元時，若有好的實體區塊則以實體區塊為單位來更換已損壞的實體區塊。由此，提升快閃記憶體的存取效能且延長快閃記憶體的壽命。
简体摘要：一种用于闪存的区块管理与更换方法，其中此方法包括将闪存的多个实体区块划分为多个实体单元并且分组为使用区与替代区，其中每一实体单位中的实体区块可借由使用多区块面存取指令来存取。此方法也包括当使用区的实体单元的实体区块损坏时，倘若替代区中存有好的实体单元时，则以实体单元为单位来更换已损坏的实体单元并且记录被取代的实体单元中未损坏的实体区块。倘若替代区中无存有好的实体单元时，若有好的实体区块则以实体区块为单位来更换已损坏的实体区块。由此，提升闪存的存取性能且延长闪存的寿命。

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